导读:本文包含了晶片直接键合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:光电集成,直接键合,GaAs,GaN
晶片直接键合论文文献综述
李慧,何国荣,渠红伟,石岩,种明[1]（2007）在《n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合》一文中研究指出采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年11期）
马子文,汤自荣,廖广兰,史铁林[2]（2007）在《晶片直接键合所需表面粗糙度条件》一文中研究指出根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把硅片键合分为三种类型硅片直接键合(α>1.065);在外压力作用下键合(0.57<α<1.065)和有空洞产生的键合(α<0.57).实验数据与理论结果吻合得很好.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年03期）
王慧,郭霞,梁庭,刘诗文,高国[3]（2006）在《基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合》一文中研究指出对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.(本文来源于《半导体学报》期刊2006年06期）
付兴华,黄庆安,陈军宁,童勤义[4]（1994）在《硅直接键合工艺对晶片平整度的要求》一文中研究指出本文用弹性力学近似,给出了键合工艺对硅片表面平整度的定量要求以及沾污粒子与孔洞大小之间的关系,并用X射线双晶衍射技术和红外透射图象对键合硅片进行了实验研究。(本文来源于《电子科学学刊》期刊1994年03期）
晶片直接键合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把硅片键合分为三种类型硅片直接键合(α>1.065);在外压力作用下键合(0.57<α<1.065)和有空洞产生的键合(α<0.57).实验数据与理论结果吻合得很好.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶片直接键合论文参考文献
[1].李慧,何国荣,渠红伟,石岩,种明.n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合[J].半导体学报.2007
[2].马子文,汤自荣,廖广兰,史铁林.晶片直接键合所需表面粗糙度条件[J].半导体学报.2007
[3].王慧,郭霞,梁庭,刘诗文,高国.基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合[J].半导体学报.2006
[4].付兴华,黄庆安,陈军宁,童勤义.硅直接键合工艺对晶片平整度的要求[J].电子科学学刊.1994