论文题目: 无源器件对混频器镜像抑制影响的研究与应用
论文类型: 硕士论文
论文专业: 微电子与固体电子
作者: 强铨一
导师: 吴建辉
关键词: 镜像抑制,下变频混频器,镜像抑制结构,电阻电容多相滤波网络,无源器件,失配
文献来源: 东南大学
发表年度: 2005
论文摘要: 下变频混频器在很多通信系统中是一个非常重要的电路模块。它将低噪声放大器(LNA)输出的射频(RF)信号与本振振荡器产生的本振(LO)信号进行混频,从而将信号频谱从射频转换到中频(IF)。由于下变频混频器位于系统的前级,其性能对整个系统的性能影响很大。对下变频混频器而言,高镜像抑制比(IRR)、低噪声系数(NF)、高增益、高线性度、高灵敏度以及低功耗是其设计要求。射频信号及其镜像信号经过混频器后,两者的输出信号频率相同,从而对有用中频信号造成干扰,甚至破坏有用中频信号。因此混频器必须提高镜像抑制性能,减少这种镜像干扰。目前主要采用三种方法来提高镜像抑制:1)滤除镜像信号(如超外差接收器);2)镜像信号抵消(如Hartley结构与Weaver结构);3)零中频。本文设计的下变频混频器用于双变频结构的数字电视调谐器接收芯片,该芯片对镜像抑制性能要求很高。该混频器基于Hartley结构,采用电阻电容多相滤波网络来抑制镜像信号,该网络根据不同的连接方式,可在8MHz频带范围内产生精确的正交信号或滤除镜像信号。本文首先分析了电阻电容多相滤波网络的特性,然后通过公式推导研究该网络中电阻电容值的偏差对镜像抑制的影响、负载对镜像抑制的影响、电阻电容不匹配与输入信号不匹配对镜像抑制的影响,以及正交信号产生网络对镜像抑制的影响,并根据推导结果定义电阻电容参数,最后完整的设计了一个下变频器。该下变频混频器采用Chartered 0.25μm CMOS工艺,射频输入信号1.22GHz,本振信号1.176/1.184GHz,输出中频信号为36—44MHz,镜像抑制比>49dB,增益为38dB,噪声系数9.2dB。
论文目录:
摘要
ABSTRACT
第一章 引言
1.1 本课题的提出
1.2 论文的主要内容
1.3 论文结构
第二章 无源器件存在的误差与不匹配理论基础
2.1 电阻误差及寄生
2.2 电容误差及寄生
2.3 器件的不匹配
第三章 电阻电容多相网络对下变频器镜像抑制性能的影响
3.1 镜像干扰及镜像抑制原理
3.2 本文采用的下变频结构
3.3 多相滤波网络工作原理
3.4 多相滤波网络电阻电容误差对镜像抑制的影响
3.5 多相滤波网络输出负载对镜像抑制的影响
3.6 多相滤波网络电阻电容不匹配对镜像抑制的影响
3.7 多相滤波网络输入信号不匹配对镜像抑制的影响
3.8 RC 正交信号产生网络对镜像抑制的影响
第四章 下变频器的电路设计
4.1 RC 多相滤波网络的设计
4.2 下变频器的设计
第五章 下变频器的版图设计
5.1 版图设计的基本考虑因素
5.2 多相滤波器的版图设计
5.3 RC 正交信号产生网络的版图设计
5.4 整个下变频电路的版图
第六章 下变频仿真结果及分析
6.1 多相滤波网络的仿真
6.2 下变频器的仿真
结束语
致谢
参考文献
研究生期间发表的论文
发布时间: 2007-06-11
参考文献
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