本文主要研究内容
作者李宗鉴,王俊,余佳俊,江希,沈征（2019）在《SiC JMOS和SiC DMOS在Si/SiC混合器件单相逆变器中的应用研究》一文中研究指出：Si IGBT与SiC MOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC MOSFET特性直接影响Si/SiC混合器件的性能,对基于不同类型SiCMOSFET的Si/SiC混合器件的特性差异分析极为必要。该文对比分析基于新型集成结势垒肖特基二极管(JBS)的SiCMOSFET(SiCJMOS)的Si/SiC混合器件(HyS_J)和基于传统平面栅SiCMOSFET的传统Si/SiC混合器件(HyS_D)的特性差异。对比分析2种混合器件的导通特性与开关特性,结果表明,与HyS_D相比,HyS_J具有更低的反向导通压降,更好的反向恢复性能和更小的开通损耗。建立适用于2种混合器件单相逆变器损耗模型,对比分析2种器件在逆变器应用中的损耗差异。设计基于2种混合器件的5kW单相逆变器样机,对比应用2种混合器件的变换器损耗、效率及器件结温。实验结果表明,在轻载条件下,与HyS_D方案相比,HyS_J可以实现最大0.5%的峰值转换效率的提升。
Abstract
Si IGBTyu SiC MOSFETbing lian zu cheng de Si/SiChun ge qi jian (HyS)yin zai gong lv bian huan qi zhong di gong le yi chong cheng ben yu xing neng de you hua she zhong er shou dao an fan guan zhu 。ji zhong ,SiC MOSFETte xing zhi jie ying xiang Si/SiChun ge qi jian de xing neng ,dui ji yu bu tong lei xing SiCMOSFETde Si/SiChun ge qi jian de te xing cha yi fen xi ji wei bi yao 。gai wen dui bi fen xi ji yu xin xing ji cheng jie shi lei xiao te ji er ji guan (JBS)de SiCMOSFET(SiCJMOS)de Si/SiChun ge qi jian (HyS_J)he ji yu chuan tong ping mian shan SiCMOSFETde chuan tong Si/SiChun ge qi jian (HyS_D)de te xing cha yi 。dui bi fen xi 2chong hun ge qi jian de dao tong te xing yu kai guan te xing ,jie guo biao ming ,yu HyS_Dxiang bi ,HyS_Jju you geng di de fan xiang dao tong ya jiang ,geng hao de fan xiang hui fu xing neng he geng xiao de kai tong sun hao 。jian li kuo yong yu 2chong hun ge qi jian chan xiang ni bian qi sun hao mo xing ,dui bi fen xi 2chong qi jian zai ni bian qi ying yong zhong de sun hao cha yi 。she ji ji yu 2chong hun ge qi jian de 5kWchan xiang ni bian qi yang ji ,dui bi ying yong 2chong hun ge qi jian de bian huan qi sun hao 、xiao lv ji qi jian jie wen 。shi yan jie guo biao ming ,zai qing zai tiao jian xia ,yu HyS_Dfang an xiang bi ,HyS_Jke yi shi xian zui da 0.5%de feng zhi zhuai huan xiao lv de di sheng 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自中国电机工程学报的李宗鉴,王俊,余佳俊,江希,沈征，发表于刊物中国电机工程学报2019年19期论文，是一篇关于碳化硅论文,混合器件论文,损耗模型论文,结势垒肖特基二极管论文,中国电机工程学报2019年19期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自中国电机工程学报2019年19期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：碳化硅论文; 混合器件论文; 损耗模型论文; 结势垒肖特基二极管论文; 中国电机工程学报2019年19期论文;