导读:本文包含了快恢复论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:肖特基,二极管,快恢复,整流
快恢复论文文献综述
王莹[1]（2019）在《车载肖特基二极管耐压可提升至200 V,有望替代快恢复/整流二极管》一文中研究指出在车载二极管市场,200 V产品的需求量越来越大,传统是整流二极管和快恢复二极管主导的领域;不过,现在出现了颠覆者,通过改进肖特基势垒二极管的阻挡金属材料,肖特基势垒二极管可实现高达200 V的耐压,从而显着改善正向电压V_F特性(比以往FRD低约11%)。例如,ROHM已推出了这种新型肖特基势垒二极管(SBD),实现了小型化、耐高温、低功耗。(本文来源于《电子产品世界》期刊2019年10期）
刘宿城,甘洋洋,刘晓东,刘雁飞[2]（2018）在《超级电容接口双向DC-DC变换器的电压快恢复控制策略》一文中研究指出直流微网中控制母线电压稳定是核心问题,在母线受到不同时间尺度的功率扰动时显得尤为重要。针对直流母线瞬时功率不平衡问题,结合超级电容高功率密度特性,将电容电荷平衡控制思想引入超级电容接口双向DC-DC变换器,以实现母线电压在负载大扰动下的快速恢复。在现有单向电流DC-DC变换器的电容电荷平衡控制基础上,将间接预测电容电流变化规律的思路进行扩展和优化,得出一般的节点电流替代法及相应的控制律,达到快速控制双向DC-DC变换器的目的。给出了电容电荷平衡复合控制策略的具体实现过程,并利用平均电流模式控制和滞环电流限幅环节实现对接口变换器的双端稳定控制。最后通过仿真和样机实验验证了所提复合控制策略的有效性。(本文来源于《电工技术学报》期刊2018年23期）
甘洋洋[3]（2018）在《超级电容接口双向DC/DC变换器的电压快恢复控制研究》一文中研究指出分布式能源的间歇性及负载的功率波动会直接影响到直流微网的稳定性,引起母线电压波动,进而影响直流微网中相关设备的正常工作。因此,直流微网中控制母线电压稳定成为核心问题,在母线受到不同时间尺度的功率扰动时显得尤为重要。针对直流母线瞬时功率不平衡问题,本论文将电容电荷平衡控制(Capacitor Charge Balance Control,CBC)思想引入直流微网储能系统的双向DC/DC接口变换器,以实现母线电压的快速恢复。完成的主要工作有以下叁个方面:首先,采用双向CBC复合控制策略,稳态时结合平均电流模式控制和滞环电流限幅环节实现接口变换器双端口稳定控制,大信号暂态时通过双向CBC控制实现母线电压的快速恢复。对超级电容单体进行配组,建立了基于互补PWM输出控制下的双向DC/DC接口变换器小信号模型,并对平均电流模式控制器进行连续域补偿和离散域设计;加入了滞环电流限幅环节,实现对超级电容的过压欠压保护。其次,选取母线侧滤波电容为特征控制对象,根据两个稳态恢复条件推导得到双向CBC控制的控制律,并总结出间接预测电容电流变化规律的通用数字式CBC控制研究思路;同时给出了双向CBC控制的实现步骤、时序构建以及复合控制策略的控制流程。所得到的双向CBC控制器是在现有的控制单向电流的CBC原理基础上,将间接预测电容电流变化规律的思想进行扩展和优化,得出一般的节点电流替代法及相应的控制律,并达到暂态时快速控制双向电流的目的,进而实现功率波动下直流微网母线电压的快速恢复。最后,根据所研究的控制方案,完成了直流微网超级电容储能系统的软硬件设计,搭建了相应的仿真模型和硬件实验平台,并进行了母线电压恢复、超级电容过压欠压保护的仿真与实验。结果表明,双向CBC复合控制策略可以实现母线电压快恢复,同时控制器兼顾较好的过压欠压保护性能。(本文来源于《安徽工业大学》期刊2018-05-16）
陈佳俊[4]（2018）在《550V厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的优化设计》一文中研究指出目前,单片集成智能功率芯片在家用电器和交流电机中得到了广泛的应用。厚膜绝缘体上硅快恢复二极管(Silicon On Insulator-Fast Recovery Diode,SOI-FRD)作为单片集成智能功率芯片中的重要器件之一,主要用作续流二极管,其功耗和面积的优化对单片集成智能功率芯片低功耗、小型化的发展至关重要。因此,研究厚膜SOI-FRD并设计一款具有优秀反向恢复特性的厚膜SOI-FRD极具意义。本文首先基于理论分析和仿真手段研究了传统厚膜SOI-FRD的工作原理,指出了二极管的漂移区长度和空穴注入效率是限制优化其反向恢复特性的因素。然后对常见的快恢复结构进行了仿真,仿真结果表明:深氧化物沟槽结构能够提高二极管的反向恢复速度,但其波形会发生振荡,且深氧化物沟槽很难制备;结势垒肖特基结构能够改善二极管的反向恢复特性,但其耐压能力不足;自调节发射效率结构能够改善二极管的反向恢复特性,但其正向导通压降过大。基于上述研究,提出了一种新型厚膜SOI多沟槽FRD结构,该结构在漂移区内引入氧化物沟槽,确保器件具有足够的耐压能力;然后缩短了器件的漂移区长度,从而优化了器件的反向恢复速度和正向导通压降;同时合理的多沟槽设计能阻碍电场穿通,进而提高器件的反向恢复软度。最后本文对器件的工艺和版图进行了设计。流片测试结果表明论文所设计的厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的击穿电压为603V,正向导通压降为1.2V,反向恢复时间为122ns,波形未发生振荡。和同类产品相比,新结构的反向恢复时间缩短了28ns。(本文来源于《东南大学》期刊2018-05-07）
[5]（2018）在《Vishay推新款200V FRED Pt~? Ultrafast快恢复整流器》一文中研究指出日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的200V FRED Pt~? Ultrafast快恢复整流器——VS-6DKH02-M3和VS-8DKH02-M3,汽车级VS-6DKH02HM3和VS-8DKH02HM3。新整流器采用高热效的Flat PAK?5x6封装,高度小于1mm。商用/工业用的VS-6DKH02-M3(本文来源于《电源世界》期刊2018年04期）
宣佳卓,胡丁文,陆翌,裘鹏,童凯[6]（2017）在《采用下垂控制的MMC换流器的快恢复重启优化控制策略》一文中研究指出采用下垂控制的模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)可以实现孤岛联网的平滑转换,无需切换控制模式。暂时性闭锁MMC换流器,然后快速恢复系统是柔直系统处理故障的一种方式。当MMC换流器采用下垂控制时,直接解锁重启可能会导致恢复速度慢或者超调量过大触发桥臂过流保护等问题。为此本文提出了一种基于闭锁前有功功率指令的主动补偿控制方案,并得到了补偿函数的表达式。最后基于MATLAB搭建了仿真验证平台,仿真结果表明,采用基于有功功率的主动补偿法,可以适应不同有功功率指令下的快恢复重启,提高系统的恢复速度,降低超调量。(本文来源于《2017年“电子技术应用”智能电网会议论文集》期刊2017-12-27）
吴郁,俞敏锋,郭晨,金锐,崔磊[7]（2018）在《主结边缘电阻区对高压功率快恢复二极管特性的影响》一文中研究指出针对高压功率快恢复二极管的过流关断失效问题,设计了3种主结边缘电阻连接区.为了分析其失效机理,采用仿真工具Sentaurus TCAD,对场屏蔽阳极二极管结构的过流关断进行仿真,重点研究不同电阻连接区对器件关断过程的影响。研究结果表明:电阻连接区结构不同可以引发器件不同位置的烧毁,而当电阻连接区增加到一定长度时,可以有效避免器件烧毁.(本文来源于《北京工业大学学报》期刊2018年02期）
刘杰[8]（2017）在《3.3kV IDEE-FCE快恢复二极管工作机理与特性研究》一文中研究指出在新型电力电子器件的应用中,都需要一个快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)续流。随着IGBT功率模块的广泛应用,对其中续流二极管的电学特性和可靠性提出了更高要求,不仅要有高电压、大电流、低损耗,而且要求软度高、浪涌电流容量大,动态雪崩耐量高。本文提出了一种具有注入效率逆增长阳极(IDEE)和场抽取电荷阴极(FCE)的高压快恢复二极管(FRD)新结构(IDEE-FCE),采用Sentaurus-TCAD软件对其工作机理与静、动态特性进行了研究,最后对关键结构参数进行了优化设计。主要内容如下:第一,分析了 IDEE-FCE FRD的结构特点,研究了其工作机理,对比分析了不同阳极和不同阴极结构的空穴注入效率。与普通阳极结构相比,采用IDEE阳极结构,在高电流密度下,空穴注入效率出现逆转,有利于在通态浪涌电流容量和反向恢复特性之间进行折衷;与普通阴极结构相比,采用FCE阴极结构,能显着改善FRD的反向恢复特性和抗动态雪崩能力。第二,研究了IDEE-FCEFRD静、动态特性,并与普通pn-nn+、IDEE及FCE结构的FRD特性进行了对比分析。结果表明,IDEE-FCEFRD的正向导通特性、反向恢复特性、抗浪涌电流能力和抗动态雪崩能力的折衷效果最好。第叁,对IDEE-FCEFRD的关键参数,如阳极p+区掺杂浓度和宽度、FCE阴极p+区宽度比、缓冲层掺杂浓度和厚度进行了优化设计,分析了关键参数对FRD特性的影响,确定了关键参数的取值。本文研究的结果对高压快速软恢复二极管的设计与开发具有一定的参考价值。(本文来源于《西安理工大学》期刊2017-06-30）
王辉[9]（2017）在《2500V/2A快恢复二极管的优化设计》一文中研究指出2500V/2A的快恢复二极管具有导通电压低、开关时间短、体积小(直径仅为3mm)等优点,在航天航空及军事领域有着广泛且重要的应用。本文通过分析影响二极管的静态与动态特性的因素,研究了LC振荡形成的原因与减缓机制,重点探究了影响动态雪崩耐量的主要因素,最终优化得到了i区、缓冲层、P区与终端的结构参数。主要研究工作和研究成果如下:(1)分析了阴极侧缓冲层及P区的结构参数与少子寿命对2500V/2A快恢复二极管反向恢复特性的影响,得出了P区掺杂浓度减小,少子寿命降低以及缓冲层浓度梯度减小均可使二极管的反向恢复时间减小。(2)探究了反向恢复末期2500V/2A快恢复二极管产生LC振荡的原因及引入阴极侧缓冲层结构对LC振荡的抑制,结果表明加入缓冲层结构能够避免pn结与nn+结处的电场穿通,消除了振荡现象。(3)研究了P区掺杂浓度与阴极侧缓冲层结构对2500V/2A快恢复二极管动态雪崩耐量的影响,并对其进行了优化。结果显示,二极管nn+结处的电场峰值强度从2.1×105V/c减小至1×104V/cm,雪崩耐量得到提高。(4)结合以上结论,经仿真优化,确定了二极管i区,P区,缓冲层,斜角终端的主要结构参数,优化后的二极管的特性参数为trr=100nsVF=2.3V,IRM=14A,达到了设计指标。本课题的研究成果对开展小体积高耐压二极管方面的研究具有指导和参考价值。(本文来源于《西安理工大学》期刊2017-06-30）
项永金[10]（2017）在《快恢复二极管铜迁移失效机理及应用可靠性研究》一文中研究指出变频空调控制器柜机主板在生产过程出现大量IPM炸裂失效,IPM炸失效同步自举二极管失效,位置不集中,对主板进行分析,确定是IPM自举电路升压二极管异常导致IPM炸裂失效,经过对大量失效二极管及全检异常二极管分析,分析研究结果表明:二极管因为晶圆设计工艺结构缺陷、焊接工艺问题,导致晶圆焊接时产生高温铜迁移,抗机械应力水平下降,在实际应用中又因为器件引脚跨距设计不合理导致器件受机械应力影响加深失效程度,最终出现过电击穿失效,经大量的方案分析验证最终确定可行的方案,有效解决二极管铜迁移失效。从器件本身提高器件的应用可靠性。(本文来源于《电子产品世界》期刊2017年05期）
快恢复论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
直流微网中控制母线电压稳定是核心问题,在母线受到不同时间尺度的功率扰动时显得尤为重要。针对直流母线瞬时功率不平衡问题,结合超级电容高功率密度特性,将电容电荷平衡控制思想引入超级电容接口双向DC-DC变换器,以实现母线电压在负载大扰动下的快速恢复。在现有单向电流DC-DC变换器的电容电荷平衡控制基础上,将间接预测电容电流变化规律的思路进行扩展和优化,得出一般的节点电流替代法及相应的控制律,达到快速控制双向DC-DC变换器的目的。给出了电容电荷平衡复合控制策略的具体实现过程,并利用平均电流模式控制和滞环电流限幅环节实现对接口变换器的双端稳定控制。最后通过仿真和样机实验验证了所提复合控制策略的有效性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
快恢复论文参考文献
[1].王莹.车载肖特基二极管耐压可提升至200V,有望替代快恢复/整流二极管[J].电子产品世界.2019
[2].刘宿城,甘洋洋,刘晓东,刘雁飞.超级电容接口双向DC-DC变换器的电压快恢复控制策略[J].电工技术学报.2018
[3].甘洋洋.超级电容接口双向DC/DC变换器的电压快恢复控制研究[D].安徽工业大学.2018
[4].陈佳俊.550V厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的优化设计[D].东南大学.2018
[5]..Vishay推新款200VFREDPt~?Ultrafast快恢复整流器[J].电源世界.2018
[6].宣佳卓,胡丁文,陆翌,裘鹏,童凯.采用下垂控制的MMC换流器的快恢复重启优化控制策略[C].2017年“电子技术应用”智能电网会议论文集.2017
[7].吴郁,俞敏锋,郭晨,金锐,崔磊.主结边缘电阻区对高压功率快恢复二极管特性的影响[J].北京工业大学学报.2018
[8].刘杰.3.3kVIDEE-FCE快恢复二极管工作机理与特性研究[D].西安理工大学.2017
[9].王辉.2500V/2A快恢复二极管的优化设计[D].西安理工大学.2017
[10].项永金.快恢复二极管铜迁移失效机理及应用可靠性研究[J].电子产品世界.2017