论文题目: 新型结构半导体材料的制备与表征
论文类型: 博士论文
论文专业: 材料加工工程
作者: 梁建
导师: 许并社
关键词: 半导体,氧化物,纳米管,纳米线,空心四足晶须,纳米片
文献来源: 太原理工大学
发表年度: 2005
论文摘要: 氧化物半导体材料、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料以其独特的物理、化学性质已经被广泛应用于微电子、环境保护、航空航天等领域,已经成为当今材料领域研究的热点。纳米科技的发展带动了新型半导体材料的发展,不仅提高了材料的性能,而且拓展了半导体材料的结构、形貌和性能的内涵。 本文以TiO2和ZnO两种材料为主要研究对象,研究其新型结构的制备工艺,并通过性能与结构的表征提出新型结构的生长机制;同时,介绍了对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaN的半导体照明应用研究方面的成果。 1、采用水热合成工艺成功制备了TiO2纳米管,研究了TiO2纳米管的生长机理。分析结果表明,其晶型为锐钛矿型,管壁为多层,管外径为10nm-20nm;发现纳米管的紫外吸收光谱相对于原料粉呈现出蓝移现象,TiO2纳米管的光致发光谱也显示出蓝移现象,并发现在可见光区的发光强度明显增强;TiO2纳米管对降解甲基橙有较强的降解率,说明其具有较高的光催化性能。 2、用TiO2和KOH为原料,用水热方法合成了K2Ti6O13纳米线。通过X射线粉末衍射图谱的Rietveld精修方法、高分辨透射电镜（HRTEM）图像的模拟计算,表明纳米线的化学组成为K2Ti6O13,
论文目录:
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 纳米科技与半导体材料
1.2.1 纳米材料及其特性
1.2.2 纳米半导体材料及其研究现状
1.2.3 纳米半导体材料的应用
1.3 新型半导体材料研究的研究现状与发展动向
1.4 本论文的选题目的、研究对象和研究内容
1.4.1 选题目的
1.4.2 研究对象
1.4.3 研究内容
参考文献
第二章 TiO_2纳米管的制备与表征
2.1 引言
2.2 实验过程
2.3 实验结果与讨论
2.3.1 物相分析
2.3.2 形貌与结构分析
2.3.3 纳米管端口结构分析
2.3.4 TiO_2纳米管的生长机理
2.3.5 反应条件对产物的影响
2.3.6 TiO_2纳米管的光学性能
2.3.7 TiO_2纳米管的光催化性能
2.4 本章小结
参考文献
第三章 钛酸钾纳米线的制备、表征与结构模拟
3.1 引言
3.2 实验过程
3.2.1 样品的制备
3.2.2 表征实验
3.3 实验结果与讨论
3.4 本章小结
参考文献
第四章 空心四足ZnO晶须的制备与表征
4.1 引言
4.2 实验过程
4.3 实验结果与讨论
4.3.1 物相分析
4.3.2 微观结构分析
4.3.3 样品成分分析
4.3.4 反应条件对产物的影响
4.3.5 四足空心ZnO晶须柱状样品的生长控制
4.3.6 形成机理初探
4.3.7 四足空心ZnO的光学性能
4.5 本章小结
参考文献
第五章 ZnO纳米线/片阵列的分级生长与表征
5.1 引言
5.2 实验过程
5.3 结果与讨论
5.3.1 生长过程分析
5.3.2 物相、成分分析
5.3.3 生长机理探讨
5.4 本章小结
参考文献
第六章 ZnO纳米片状晶体的生长及其表征
6.1 引言
6.2 实验过程
6.3 结果与讨论
6.3.1 物相分析
6.3.2 形貌与微结构分析
6.3.3 塔状晶体的形成
6.3.4 形成机理
6.4 本章小结
参考文献
第七章 III-V族化合物半导体材料GaN及其应用研究
7.1 引言
7.2 III-V族GaN基材料
7.3 GaN基LED的制备
7.4 GaN基白光LED的应用研究
7.5 本章小结
参考文献
第八章 总结与展望
8.1 工作总结
8.2 后续工作设想
致谢
攻博期间的科研工作
博士学位论文独创性说明
发布时间: 2005-11-14
参考文献
- [1].基于微纳加工技术改性半导体材料及其光电器件制备研究[D]. 易宁波.哈尔滨工业大学2018
- [2].两种新型TiO2（B）-基半导体材料的制备与光催化、吸附性能研究[D]. 郭泽清.陕西师范大学2018
- [3].低维半导体材料（InGaN量子阱、InAs量子点）显微结构与光学性能关系研究[D]. 吕威.吉林大学2005
- [4].有机场效应晶体管的研究与试制[D]. 陈金伙.兰州大学2006
- [5].有机功能半导体材料的合成，性质及其聚集体的纳米结构[D]. 苏炜.山东大学2007
- [6].半导体材料的电沉积制备及其形貌控制研究[D]. 李赫.浙江大学2007
- [7].低维半导体材料的电子自旋结构及设计[D]. 赵旭光.华东师范大学2013
- [8].高分辨电子显微学方法及其在半导体材料研究中的应用[D]. 常云杰.中国科学院大学(中国科学院物理研究所)2017
- [9].高迁移率半导体材料的自旋注入[D]. 刘盼.内蒙古大学2017
- [10].典型半导体材料电学性能的温度依赖特性研究[D]. 豆艳坤.北京理工大学2015
相关论文
- [1].新型半导体材料的制备及性能研究[D]. 俞笑竹.上海交通大学2012
- [2].纳米氧化锌的制备及其光学性能研究[D]. 吴莉莉.山东大学2005
- [3].氧化物半导体纳米材料的制备及光学性能研究[D]. 魏慧英.山东大学2005
- [4].一维纳米材料的低热固相自组装及机理研究[D]. 贾殿赠.四川大学2005
- [5].半导体纳米材料的制备及发光性质的研究[D]. 顾锋.山东大学2005
- [6].ZnO纳米晶的修饰、自组装及光学性质研究[D]. 董林.中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）2005
- [7].ZnO基稀磁半导体的制备与性质研究[D]. 车平.中国科学院研究生院（长春应用化学研究所）2005
- [8].ZnO半导体光电材料的制备及其性能的研究[D]. 吕建国.浙江大学2005
- [9].新型半导体材料物理特性的凝聚态光谱研究[D]. 陈静.上海交通大学2007
- [10].半导体材料的电沉积制备及其形貌控制研究[D]. 李赫.浙江大学2007