铝基硅氧化物陶瓷膜层制备、性能及机理研究

铝基硅氧化物陶瓷膜层制备、性能及机理研究

论文摘要

金属基陶瓷涂层既有金属的韧性、强度、导电性等性能,又有陶瓷材料高硬度、高强度、耐磨、耐高温、耐腐蚀等优点,在航天、航空、电力、电子等工业中得到广泛应用。大量研究表明硅氧化合物陶瓷膜层具有特殊的光学、电学、力学等性能,广泛应用于光电功能器件、集成电路、高阻隔材料等领域。通过CVD技术制备金属铝基硅氧化物陶瓷膜层,是一个尚未进行研究的领域,技术瓶颈在于常规CVD技术的工艺温度高于铝的熔点。本论文研究开发低温常压化学气相沉积(APCVD)技术,在铝及其合金基底上成功制备硅氧化物陶瓷薄膜;采用多种检测技术对表面结构性能进行表征;探讨了薄膜的形核机理,对经典形核理论进行修正,提出了形核模型。通过对基底预处理以及工艺参数的研究,系统考察薄膜生长组织和表面形貌的影响因素,沉积温度对薄膜厚度的影响呈单峰状,最佳沉积温度为400℃;最佳沉积气体流量为硅烷稀释气流量0.2L/min,空气0.3L/min;载气(氮气)流量同薄膜的生长速率呈线性关系,最佳流量为2L/min;薄膜厚度变化随沉积时间增加线性增大;薄膜SEM表面形貌由大量的球状或等轴状硅氧化物颗粒镶嵌堆垛而成,颗粒间存在间隙;随着沉积时间的增加,颗粒发生融合长大,间隙体积减少。沉积薄膜后续退火有助于薄膜表面发育完整,减少孔隙,使硅氧化物球状颗粒发生融合粗化长大;退火温度越高,保温时间越长,薄膜颗粒融合长大越充分。退火可使薄膜中发生铝、硅、氧原子互扩散,改变薄膜结构,增强了薄膜与铝基的结合力。铝硅氧化物薄膜在反应温度下能够自发进行沉积生长。薄膜同基底结合部位原子互扩散过程中能够形成稳定的Al-O-Si复杂晶体结构,促进表面形核和长大;薄膜形核率以及生长速率同气压、温度、界面能、界面接触角、沉积表面扩散激活能、气相反应形核能垒、表面解附能等有关。由于APCVD技术气压高,温度低,气相反应能垒小,沉积形核率高,因此薄膜呈现非晶态具有各种缺陷以及悬挂键。硅氧化物薄膜表层O/Si原子比稳定在2.2—2.4之间,证明该结构中的氧除了与硅键合外,还以OH基团存在,形成Si-OH结构;该表层O/Si原子比与沉积时间没有直接关系。薄膜存在成分过渡层,有铝、硅、氧原子的互扩散现象;铝和硅原子通过氧原子形成桥连的Al-O-Si键合结构,局部区域组成复杂类尖晶石结构,也对薄膜同基底的紧密结合起重要作用;铝基硅氧化物薄膜大部分为非晶态结构,表层局部区域还发现晶态的SiO2结构生成。铝基硅氧化物薄膜具有胞状组织形貌,胞状组织具有交叠层片亚结构。其生长机理是:硅烷和氧气在铝基表面反应生成硅氧化物微粒,与铝基表面的新鲜氧化铝结合成为成膜核心;后续的气源分子依附形核点继续反应,使初生晶核发育长大,形成的岛状硅氧化物分子团,在三维竞争生长过程中,因硅氧化物与铝基表面的新鲜氧化铝键合力较强,两者“浸润”性能较好,XY方向上生长速度大于Z方向,岛状单元的长大形成亚结构层片,相互接触,构成胞状组织的底层;这种形核—长大—融合的层片生长过程反复进行,构成具有层片式亚结构的胞状组织。铝基硅氧化物薄膜的亚结构层片由Si-O-Si无规网络环状结构组成,还包含硅悬挂键、Si-Si共价键以及Si-OH键合结构,产生原因是Si-O-Si键合中的桥氧产生空位,形成硅悬挂键结构;部分硅悬挂键通过相互键合形成“≡Si—Si≡”共价键结构,部分通过获取气相中OH集团和氢原子形成Si-OH结构及Si-H结构。研究并分析了铝基硅氧化物薄膜性能及机理。划痕实验载荷达到80N,切应力达到1.24GPa时,薄膜仍未发生剥落,这种良好的结合力依靠氧同铝硅的强烈键合作用和铝硅氧原子发生互扩散。铝基硅氧化物薄膜能有效提高样品表面硬度,但由于薄膜表面存在孔隙,且硅氧化物薄膜表面容易在外力作用发生坍塌挤压;随着载荷压力的增大,薄膜将随基底一起发生塑性形变。硅氧化物薄膜能有效提高铝及铝合金表面的耐磨性,磨损机理是对磨时,薄膜表面发生坍塌挤压,形成细小的硅氧化物陶瓷碎片或粉末充当磨粒,形成磨粒磨损;磨损量的变化具有线性变化规律。铝基硅氧化物陶瓷薄膜在紫外光到红外光波段具有很好的光吸收性能,反射率均低于30%;吸收光的原因是由于薄膜由大量硅氧化物颗粒堆跺而成,颗粒间存在孔隙,光线进入内部空洞后通过不断反射,延长了光线的传播距离,消耗一部分能量;非晶态薄膜内部存在大量不同类型缺陷,悬挂键、氧空位等结构缺陷都会吸收不同波长的光,显著降低薄膜的光学反射率。以激光作为激发光源,薄膜呈现大范围波段的光致发光,发光机理是薄膜中大量的缺陷结构在激光激发下产生电子跃迁发光,呈白色荧光;铝合金基底的硅氧化物薄膜发光强度要高于纯铝基底,原因是铝合金基底含有其他元素成分,在制备薄膜的过程中扩散到薄膜内部,引起薄膜内部缺陷结构的变化。铝基硅氧化物薄膜表面具有良好的聚乙烯热喷涂工艺性,由于硅氧化物薄膜表面孔隙率较高,部分粘流态的聚乙烯进入到薄膜孔洞中,增大了聚乙烯薄膜同硅氧化物薄膜的附着力。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 目录
  • 第一章 绪论
  • 1.1 课题研究的背景和进展
  • 1.2 本论文研究的目的
  • 1.3 本文结构和内容提要
  • 第二章 铝基硅氧化物薄膜研究进展
  • 2.1 引言
  • 2.2 硅氧化物薄膜的制备方法
  • 2.2.1 物理沉积方法
  • 2.2.2 化学沉积方法
  • 2.2.3 其他制备方法
  • 2.3 硅氧化物薄膜性能和机理研究进展
  • 2.3.1 光学性能
  • 2.3.2 电学性能
  • 2.3.3 磁学性能
  • 2.3.4 力学性能
  • 2.3.5 阻隔性能
  • 2.3.6 其他性能
  • 2.4 硅氧化物薄膜的应用
  • 2.4.1 光学器件
  • 2.4.2 电功能器件
  • 2.4.3 光电器件与传感器
  • 2.4.4 其他功能器件
  • 2.4.5 阻隔材料
  • 2.4.6 表面改性应用
  • 2.4.7 其他应用
  • 2.4.8 应用小结
  • 2.5 薄膜生长机理简介
  • 2.6 课题研究方向
  • 第三章 铝基硅氧化物薄膜的制备与实验方法
  • 3.1 引言
  • 3.2 低温常压化学气相沉积法制备硅氧化物薄膜方法简介
  • 3.2.1 实验原料的选择
  • 3.2.2 实验设备简介
  • 3.2.3 实验样品的预处理
  • 3.2.4 薄膜沉积基本过程
  • 3.2.5 退火工艺
  • 3.2.6 聚乙烯涂覆
  • 3.4 铝和铝合金基底硅氧化物薄膜的检测和表征方法
  • 3.4.1 形貌表征方法
  • 3.4.2 成分分析方法
  • 3.4.3 结构表征方法
  • 3.4.4 性能检测方法
  • 第四章 铝基硅氧化物薄膜沉积工艺研究
  • 4.1 引言
  • x薄膜的影响'>4.2 预处理对SiOx薄膜的影响
  • 4.2.1 基底表面基本预处理
  • 4.2.2 电解抛光和阳极氧化预处理
  • 4.3 沉积工艺参数的研究
  • 4.3.1 温度的影响
  • 4.3.2 气体成分的影响
  • 4.3.3 载气的影响
  • 4.3.4 沉积时间的影响
  • 4.3.5 最佳沉积工艺
  • 4.4 后续处理
  • 4.4.1 退火
  • 4.4.2 高分子涂覆
  • 4.5 本章小结
  • 第五章 铝基硅氧化物薄膜XPS成分分析
  • 5.1 引言
  • 5.2 沉积时间对薄膜成分的影响
  • 5.2.1 薄膜表面成分研究
  • 5.2.2 薄膜亚表层的成分研究
  • 5.2.3 薄膜内部成分研究
  • 5.3 铝基硅氧化物薄膜成份深度蚀刻分析
  • 5.3.1 蚀刻分析XPS谱
  • 5.3.2 不同沉积时间的影响
  • 5.3.3 薄膜成分随深度的变化规律
  • 5.4 本章小结
  • 第六章 铝基硅氧化物薄膜组织形貌与结构分析
  • 6.1 引言
  • 6.2 X射线衍射分析
  • 6.2.1 铝基硅氧化物XRD分析
  • 6.2.2 气相反应硅氧化物粉末XRD分析
  • 6.2.3 沉积时间的影响
  • 6.3 透射电子显微镜分析
  • 6.3.1 TEM形貌分析
  • 6.3.2 TED结构分析
  • 6.3.3 HRTEM高分辨形貌与结构分析
  • 6.4 光致发光谱分析
  • 6.4.1 氙灯光致发光谱研究
  • 6.4.2 激光光致发光谱研究
  • 6.5 本章小结
  • 第七章 铝基硅氧化物薄膜红外光谱分析
  • 7.1 引言
  • 7.2 红外光谱结构分析
  • 7.2.1 气相反应硅氧化物粉末IR结构分析
  • 7.2.2 沉积时间对铝基硅氧化物薄膜红外结构的影响
  • 7.2.3 铝合金基底硅氧化物薄膜IR结构分析
  • 7.2.4 铝基底硅氧化物薄膜NIR结构分析
  • 7.2.5 分析结果讨论
  • 7.3 红外光谱成分分析
  • 7.4 本章小结
  • 第八章 铝基硅氧化物薄膜的生长机理
  • 8.1 引言
  • 8.2 薄膜生长模型
  • 8.2.1 薄膜生长机理
  • 8.2.2 薄膜同基底互扩散机理
  • 8.3 硅氧化物结构模型
  • 8.3.1 薄膜表面结构
  • 8.3.2 薄膜内部结构
  • 8.3.3 薄膜同基底结合部位结构
  • 8.4 热力学分析
  • 8.4.1 形核长大热力学分析
  • 8.4.2 扩散过渡层结构热力学机理
  • 8.5 动力学分析
  • 8.5.1 气相分子动力学
  • 8.5.2 形核长大动力学分析
  • 8.5.3 动力学分析结果讨论
  • 8.6 本章小结
  • 第九章 铝基硅氧化物薄膜的性能研究
  • 9.1 引言
  • 9.2 铝基硅氧化物薄膜和基底结合性能研究
  • 9.2.1 拉拔试验
  • 9.2.2 划痕测试
  • 9.2.3 薄膜和基底结合力讨论
  • 9.3 硅氧化物薄膜力学性能研究
  • 9.3.1 薄膜表面显微维氏硬度
  • 9.3.2 薄膜表面纳米压痕测试
  • 9.4 铝基硅氧化物薄膜磨损性能研究
  • 9.4.1 磨损量的影响因素
  • 9.4.2 磨损形貌观察
  • 9.4.3 磨损机理和结果讨论
  • 9.5 光学性能研究
  • 9.5.1 薄膜表面光吸收性能
  • 9.5.2 光致发光性能
  • 9.6 本章小结
  • 第十章 总结与展望
  • 10.1 全文结论
  • 10.2 主要创新性成果
  • 10.3 未来工作展望
  • 参考文献
  • 攻读博士学位期间第一作者发表的课题相关论文
  • 致谢
  • 相关论文文献

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