论文摘要
研究目的脑血管疾病居高不下的致残率是影响人类提高生活质量和制约社会经济发展的巨大障碍。局灶性缺血性脑血管病是脑血管病的主要类型，对其进行深入的病理生理机制研究和寻找新的治疗策略有着重大的意义。局灶性缺血性脑血管病由于血管堵塞致局部脑血流量下降，最终导致组织缺氧和细胞死亡。此时机体需作出反应维持机体氧的平衡与稳态来抵抗这种不利因素，其中一种重要机制就是诱导新生血管形成，改善侧支循环，增加脑血流，但这种自发性血管新生的作用抗脑缺血损伤的能力有限。对血管新生（angiogenesi，AG）的分子生物学机制的研究发现新生血管形成是一个非常复杂的生物学过程，受到多种相关因子的调控。在血管新生的诸多调控因子中，血管内皮生长因子（vascularendothelial growth factor，VEGF）是已经发现的促血管新生作用最强的因子，VEGF通过激活其特异性受体，介导脑缺血后早期的血管新生。VEGF在脑缺血早期即可见到表达，被认为是促进血管内皮细胞增殖的关键因子之一，而血管内皮细胞的增殖是新生血管形成的启动环节；VEGF还可以改变血脑屏障的通透性，促进血管基质的破坏，为血管新生提供必要的微环境；同时VEGF也是十分重要的神经营养因子和保护因子，并对神经元凋亡具有抑制作用。VEGF的激活有赖于低氧诱导因子-1α（Hypoxia Inducible Factor-1α，HIF-1α）的调节，HIF-1α的激活被认为是启动低氧反应的关键，而它对VEGF及其受体（flt-1）均可产生调控作用。本课题选用大脑中动脉栓塞制备脑缺血再灌注模型，观察电针对VEGFmRNA、HIF-1αmRNA和对脑内血管新生的影响，探讨电针抗脑缺血再灌注损伤的可能机制。研究方法将120只SD大鼠随机分为模型组、电针组、假手术组、正常对照组，其中模型组、电针组均按缺血30min再灌注6h、12h、1d、2d和4d分为5个亚组，每个亚组10只，假手术组、正常对照组各10只。采用改进的Longa线栓法，制备大脑中动脉线栓法脑缺血再灌注模型。并采用Zea-Longa5级评分标准对模型大鼠神经功能障碍评分，只有神经功能障碍在1级以上的大鼠才能保留下来。电针组选用疏密波刺激“百会”、“水沟”、双侧“足三里”穴。运用免疫组化法检测各组大鼠右侧大脑皮层的CD34阳性微血管密度的变化；运用原位杂交技术检测各组大鼠右侧大脑皮层中的VEGFmRNA和HIF-1αmRNA表达水平；并对脑缺血再灌注不同时间点各指标的变化和电针干预的影响进行分析。研究结果（1）模型组和电针组缺血再灌注6h亚组CD34阳性微血管密度与正常对照组、假手术组比较无显著性差异（P＞0.05）；模型组和电针组缺血再灌注12h、1d、2d和4d亚组大鼠缺血侧大脑皮层均可见微血管增生明显，与正常对照组和假手术组比较，有显著性差异（P＜0.05），表明脑缺血再灌注后缺血区存在血管新生；电针组缺血再灌注1d、2d和4d亚组微血管密度高于相应时相的模型组（P＜0.05），说明电针能促进脑缺血再灌注后的血管新生；（2）正常对照组和假手术组HIF-1αmRNA阳性表达微弱。模型组和电针组缺血再灌注各亚组大鼠缺血侧大脑皮层HIF-1αmRNA表达水平升高，两组比较，模型组和电针组缺血再灌注4d亚组与比较无显著性差异（P＞0.05）；电针组缺血再灌注6h、12h、1d、2d亚组大鼠缺血侧大脑皮层HIF-1αmRNA表达水平明显高于相应时相的模型组亚组，两组间比较有显著性差异（P＜0.05），说明电针能在脑缺血再灌注早期上调缺血区大脑皮层的HIF-1αmRNA表达水平。（3）模型组和电针组缺血再灌注6h亚组缺血侧大脑皮层VEGFmRNA表达水平与正常对照组、假手术组比较无显著性差异（P＞0.05）；模型组和电针组缺血再灌注12h、1d、2d和4d亚组大鼠缺血侧大脑皮层VEGFmRNA表达水平升高，与正常组和假手术组比较有显著性差异（P＜0.01），电针组缺血再灌注12h、1d、2d和4d亚组大鼠缺血侧大脑皮层VEGFmRNA表达水平高于相应时相的模型组亚组，两组间比较有显著性差异（P＜0.05），说明电针能上调脑缺血再灌注后大脑皮层的VEGFmRNA表达水平。结论脑缺血再灌注后出现缺血区血管新生，VEGF和HIF-1α参与了脑缺血再灌注损伤后缺血区的血管新生的发生过程。电针对脑缺血再灌注损伤后皮层血管新生有良性调节作用，能促进缺血区的血管新生，其作用可能是通过上调VEGFmRNA和HIF-1αmRNA的表达而实现的。
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