论文摘要
Al掺杂ZnO薄膜(AZO)是一种新型的透明导电薄膜,具有广泛应用前景。采用高密度AZO靶材用RF磁控溅射法在玻璃衬底上制备出AZO薄膜样品,研究了镀膜时间、靶衬距、Ar气压强、溅射功率、衬底温度等制备工艺对薄膜的电阻率、透过率及薄膜结构的影响,并进一步优化工艺参数,制备出性能优良的AZO薄膜;针对AZO薄膜性能上和应用中存在的问题,从复合薄膜的角度对膜系进行了一些改进尝试。具体如下:1、氩气压强小于0.8Pa时方阻在10--20Ω/□范围内,变化很小;当压强增大到0.8Pa以后,方阻迅速增大到96Ω/□。同时随着氩气压强增大,可见光透过率呈线性下降趋势。在0.3-0.6Pa的氩气压强范围内,薄膜综合性能较好。2、电阻率随溅射功率增大呈减小趋势,功率从100W增加到200W时,从10-3Ω?cm降低到10-4Ω·cm量级,之后趋于饱和。同时薄膜透过率、紫外吸收区受溅射功率影响都较小。可以确定在200-300W范围内,是较佳的功率范围。3、电阻率在靶衬距从38mm增加到45mm时逐步下降,当靶衬距继续增大后电阻率开始逐步上升。薄膜透过率也随靶衬距的增大呈下降趋势,在38mm靶衬距时可见光透过率只有74%。4、提高衬底温度可以提高沉积粒子的成膜活性,优化薄膜结构,减少界面缺陷,改善薄膜的光电性能。但过高的温度,反而使薄膜晶向变差,薄膜性能降低。本组实验中,衬底温度在400--450℃范围内,薄膜具有良好电学及光学性能。5、随镀膜时间增加,薄膜厚度线性增加,AZO薄膜电学特性改善。但是厚度继续增加,薄膜晶体结构反而恶化,电阻率升高。在本组实验中,30min时的样品具有良好的导电性。随镀膜时间的增加,薄膜的透过率呈下降趋势。6、综上所述,选定工艺参数在溅射功率为300W、衬底温度为200℃、靶衬距为45mm、工作气压为0.3Pa、镀膜30min时,获得电阻率为2.3×10-4Ω.cm,透过率为81%的AZO薄膜样品,综合性能良好。7、针对AZO薄膜抗功能衰退性等问题,尝试了在AZO薄膜上加镀ITO覆盖层的工艺,所制备的AZO复合薄膜电阻率显著下降,一般为10-4Ω.cm量级。同时,针对AZO与玻璃衬底之间晶格匹配的问题,进行了加镀ZnO过渡层的实验,结果表明薄膜结构得以优化,证明了其可行性
论文目录
相关论文文献
- [1].衬底温度对铝掺杂氧化锌薄膜生长及其微结构性能的影响[J]. 中南民族大学学报(自然科学版) 2015(03)
- [2].衬底温度对脉冲激光沉积多晶锗薄膜的影响[J]. 材料科学与工程学报 2019(06)
- [3].衬底温度对碲化镉薄膜结构及光学性能的影响[J]. 人工晶体学报 2017(11)
- [4].衬底温度和氢气退火对ZnO:Al薄膜性能的影响[J]. 真空科学与技术学报 2010(01)
- [5].衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响[J]. 光电子.激光 2012(03)
- [6].衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响[J]. 华南师范大学学报(自然科学版) 2012(04)
- [7].衬底温度对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响[J]. 半导体技术 2009(07)
- [8].衬底温度对激光脉冲沉积氧化锌薄膜结构及发光性能的影响[J]. 吉林师范大学学报(自然科学版) 2008(04)
- [9].一种具有衬底温度补偿功能的非制冷红外读出电路[J]. 红外与毫米波学报 2013(03)
- [10].衬底温度对ZnO:N薄膜结构和光学性能的影响[J]. 光电子.激光 2012(11)
- [11].衬底温度对CuCrO_2薄膜结构及光电性能的影响[J]. 中国有色金属学报 2019(02)
- [12].衬底温度对制备出CNT膜的影响[J]. 现代电子技术 2010(12)
- [13].衬底温度对超声喷雾法制备大面积绒面SnO_2:F薄膜特性影响的研究[J]. 光电子.激光 2009(06)
- [14].衬底温度对共溅射制备AZO薄膜光电性能影响[J]. 压电与声光 2018(05)
- [15].衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响[J]. 人工晶体学报 2015(05)
- [16].衬底温度对MoO_x空穴传输层的影响研究[J]. 太阳能学报 2020(07)
- [17].γ-CuI超快闪烁转换屏的制备与性能表征[J]. 光谱学与光谱分析 2015(04)
- [18].衬底温度对Al/Zn_3N_2薄膜制备的影响[J]. 光谱学与光谱分析 2015(08)
- [19].衬底温度对ScAlN薄膜结构及电阻率的影响[J]. 压电与声光 2013(06)
- [20].衬底温度对磁控溅射法制备的Ag/AZO绒面背反电极性能的影响[J]. 光子学报 2013(07)
- [21].衬底温度对SnO_2薄膜中激光感生电压效应的影响[J]. 激光与光电子学进展 2012(01)
- [22].基于最优加权的大面积金刚石膜衬底温度数据融合研究[J]. 中国机械工程 2011(14)
- [23].衬底温度对HfO_xN_y薄膜相关物性的影响[J]. 应用化工 2009(08)
- [24].衬底温度对NiO:Cu/ZnO异质pn结的光电性能影响[J]. 光电子·激光 2016(04)
- [25].衬底温度对反应溅射TiN_x薄膜结构与电阻率的影响[J]. 光电子.激光 2010(02)
- [26].衬底温度对Fe_3N薄膜生长和磁性的影响[J]. 高等学校化学学报 2009(01)
- [27].衬底温度对HfO_xN_y薄膜光学性质的影响[J]. 化学研究 2009(03)
- [28].微晶硅薄膜材料的沉积以及微结构与光电特性的研究[J]. 真空科学与技术学报 2014(02)
- [29].EACVD一体化系统衬底温度控制研究[J]. 现代制造工程 2014(10)
- [30].衬底温度对Ta_2O_5薄膜结构和光学性质的影响[J]. 功能材料 2013(23)