取向ZnO纳米线阵列的制备及特性研究

取向ZnO纳米线阵列的制备及特性研究

论文摘要

本论文在调研总结国内外各种纳米ZnO研究文献的基础上,采用化学气相沉积(CVD)法,制备了高取向的纳米ZnO阵列。并发现了一些新形貌的纳米ZnO。研究分析了取向ZnO纳米线阵列的制备工艺、生长机理及其相关特性,获得了一些研究结果,其结果如下:1、采用CVD方法,以ZnO和活性碳粉为反应原料,制备了高取向ZnO纳米线阵列,研究了制备工艺的各种影响因素。我们发现混合原料区域的最佳控制温度约为1000~1100℃;不同反应温度和气体流量下,ZnO纳米线阵列的生长形貌存在着较大的差异。研究还发现,通过在ZnO粉末和活性碳粉反应原料中添加一定比例的Zn粉,可生长制备出取向性较好的ZnO微/纳米管和ZnO微/纳米钉。2、以气液固(VLS)生长理论为基础,对不同微观结构的ZnO纳米线阵列的生长机理做了探讨,解释了不同微观结构的生长过程和相关影响因素。发现ZnO纳米线在VLS生长模式下还受到E-S势垒和凝结核的作用,论文对E-S势垒和凝结核对ZnO纳米线阵列的生长形貌的影响进行了分析讨论。3、用SEM,XRD和PL技术,对不同微观结构的ZnO纳米线阵列各种特性进行了分析,结果发现所制备的纳米线阵列样品均为纯度较高的单晶体;研究也发现,六棱锥形状的ZnO纳米线阵列同柱状纳米ZnO纳米线阵列相比,具有较好的紫外发光特性,但其绿光同样较强;通过利用BET方法测试了ZnO纳米管的比表面积,结果发现其比表面积可达100.78m2/g,较纳米ZnO粉体46.318m2/g高,这种特性使ZnO纳米管能更好应用于光催化、太阳能电池、声波或光信号的吸收等应用领域。4、用原子力针尖和静电探针加工技术,在高倍光学显微镜辅助下,通过组装一维ZnO纳米钉,制作出了纳/微米尺度的绝缘栅场效应晶体管,对其电学特性研究发现,器件不加栅压时,具有较明显的IV整流特性,类似于一个PN结,而器件加上1.5V的栅压时,出现了更明显的线性区和饱和区特征。由此可知,纳/微米尺的ZnO纳米钉场效应管为n沟道器件,具有良好的类似MOSFET的相关特性,可望作为电子开关及放大器基本器件单元,对器件的微型化有较大的研究和应用意义。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 第一章 绪论
  • 1.1 引言
  • 1.2 ZnO 半导体研究进展
  • 1.2.1 ZnO 薄膜研究进展
  • 1.2.2 纳米ZnO 及阵列研究进展
  • 1.3 目前存在的问题
  • 1.4 本论文研究的意义和目的
  • 参考文献
  • 第二章 取向纳米 ZnO 阵列的制备工艺与分析方法
  • 2.1 引言
  • 2.2 实验
  • 2.2.1 基片的清洗
  • 2.2.2 催化剂的制备
  • 2.3 生长机理解释
  • 2.4 实验方案
  • 2.5 测试仪器
  • 2.5.1 X-射线衍射测定(XRD)
  • 2.5.2 形貌表征
  • 2.5.3 比表面积测定
  • 2.5.4 PL 光谱分析
  • 参考文献
  • 第三章 取向 ZnO 阵列的生长机理及发光特性
  • 3.1 引言
  • 3.2 ZnO 光致发光机理
  • 3.3 取向 ZnO 阵列的制备
  • 3.4 生长机理
  • 3.5 光致发光特性
  • 3.6 结论
  • 参考文献
  • 第四章 取向 ZnO 纳米钉的制备及生长机理及电学特性
  • 4.1 引言
  • 4.2 ZnO 纳米的电学特性
  • 4.3 ZnO 纳米钉的制备
  • 4.4 生长机理
  • 4.5 电学特性
  • 4.6 结论
  • 参考文献
  • 第五章 ZnO 纳米管的合成及其比表面积研究
  • 5.1 引言
  • 5.2 比表面积
  • 5.3 ZnO 纳米管的制备
  • 5.4 ZnO 纳米管的生长机理
  • 5.5 比表面积原理及其测试方法
  • 5.6 测试结果
  • 5.7 结论
  • 参考文献
  • 第六章 总结
  • 致谢
  • 附录
  • 相关论文文献

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