0.18μm CMOS压控振荡器研究与设计

0.18μm CMOS压控振荡器研究与设计

论文摘要

第一代模拟蜂窝移动通信系统诞生以来的短短几十年间,移动通信技术得到了飞速发展,人类已经实现随时随地通信的梦想。特别是随着近几年来无线通信系统的迅猛发展,射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视,而低成本、低功耗CMOS射频集成电路的研究与开发更是成为现代电子设计领域的热点。作为无线通信系统的核心模块之一,压控振荡器(VCO)不仅可以提供稳定的本振信号,还可以倍频产生整个电路所需的时钟信号。它的相位噪声、调节范围、功耗对无线通信系统的性能有很大影响,因而如何设计一个高性能的压控振荡器已经成为模拟集成电路设计的一个重要课题。本文根据湖南省自然科学基金资助项目——高性能CMOS电荷泵锁相环研究与设计的项目要求设计了两个工作于不同频段的压控振荡器。论文首先简单介绍了压控振荡器的发展历史和研究现状,分析了振荡器的基本工作原理,然后系统而深入地分析了目前主要的三种相位噪声模型以及环形振荡器和电感电容振荡器的工作原理。针对环形压控振荡器和电感电容压控振荡器的不同特点采取了一系列的措施来优化电路性能,并基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺给出了电路实施方案及仿真结果和版图。1、环形压控振荡器:主要是优化控制电路、设计了一种新型的延迟单元电路以及大电容滤波措施来改善电路性能,最终实现的环形压控振荡器在1.8V工作电压下,中心频率为357MHz,调谐范围为74.5%,相位噪声为-79.4dBc/Hz@10kHz和-99.6dBc/Hz@100kHz,静态功耗为9mW。2、电感电容压控振荡器:在分析了片上电感和可变电容的实现方法和优化措施后,采用大电容滤波技术、二次谐波降噪技术以及感性压控端技术等一系列措施来优化电路性能,最终实现的电感电容压控振荡的中心频率为2.005GHz,调谐范围为17.5%,相位噪声为-90.5dBc/Hz@10kHz和一112.3dBc/Hz@100kHz,静态功耗为5.4mW。后仿真结果表明,本文设计的压控振荡器均达到了设计要求,具有很好的实用性和可行性。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 第1章 绪论
  • 1.1 研究背景
  • 1.2 研究目标
  • 1.3 压控振荡器的历史
  • 1.4 压控振荡器的发展现状及趋势
  • 1.4.1 环形压控振荡器
  • 1.4.2 电感电容压控振荡器
  • 1.5 论文的内容和结构
  • 1.6 本章小结
  • 第2章 振荡器原理与分类
  • 2.1 振荡器工作原理概述
  • 2.1.1 双端负反馈系统分析法
  • 2.1.2 单端能量补偿系统分析法
  • 2.1.3 压控振荡器的数学模型
  • 2.1.4 压控振荡器的性能指标
  • 2.2 相位噪声分析
  • 2.2.1 振荡器噪声分类
  • 2.2.2 相位噪声定义
  • 2.2.3 相位噪声模型分析
  • 2.3 环形振荡器
  • 2.3.1 振荡分析
  • 2.3.2 大信号分析
  • 2.3.3 延迟单元电路
  • 2.3.4 频率调谐
  • 2.4 电感电容振荡器
  • 2.4.1 反馈型LC振荡器
  • 2.4.2 负阻型LC振荡器
  • 2.4.3 频率调谐
  • 2.5 本章小结
  • 第3章 可变电容和片上电感优化设计
  • 3.1 可变电容选取
  • 3.1.1 PN结变容管
  • 3.1.2 MOS变容管
  • 3.2 片上电感优化设计
  • 3.2.1 片上电感模型
  • 3.2.2 片上电感的品质因数
  • 3.2.3 片上电感的优化设计
  • 3.3 本章小结
  • 第4章 压控振荡器电路优化设计
  • 4.1 总体优化设计策略
  • 4.2 环形压控振荡器电路优化设计
  • 4.2.1 环形压控振荡器优化设计
  • 4.2.2 环形压控振荡器电路设计
  • 4.3 电感电容压控振荡器电路优化设计
  • 4.3.1 低功耗设计
  • 4.3.2 电路结构选取
  • 4.3.3 大电容滤波技术
  • 4.3.4 二次谐波滤波技术
  • 4.3.5 感性压控端降噪技术
  • 4.3.6 整体电感电容压控振荡器电路
  • 4.4 本章小结
  • 第5章 版图设计及后仿真结果
  • 5.1 版图设计要点
  • 5.2 环形压控振荡器版图与后仿真结果
  • 5.2.1 设计要求
  • 5.2.2 版图设计
  • 5.2.3 后仿真结果及分析
  • 5.3 电感电容压控振荡器设计与仿真
  • 5.3.1 设计目标
  • 5.3.2 版图设计
  • 5.3.3 后仿真结果及分析
  • 5.4 本章小结
  • 结论
  • 参考文献
  • 致谢
  • 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文)
  • 相关论文文献

    • [1].一种基于0.18μm CMOS工艺抗辐照压控振荡器[J]. 微电子学 2019(06)
    • [2].2.4GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计[J]. 中国集成电路 2017(Z1)
    • [3].0.18 μm CMOS射频低噪声放大器设计[J]. 现代电子技术 2014(24)
    • [4].基于0.18μm CMOS工艺的低噪声放大器设计[J]. 天津职业技术师范大学学报 2014(03)
    • [5].一种基于0.35μm CMOS工艺的单片集成微机械陀螺仪接口电路[J]. 电子学报 2014(09)
    • [6].基于0.13μm CMOS工艺的低电压高速1:2分频器设计[J]. 电子测试 2011(01)
    • [7].1.9GHz0.18μm CMOS低噪声放大器的设计[J]. 通信技术 2010(08)
    • [8].一种基于0.18μm CMOS的X射线聚焦光学信号采集电路设计[J]. 科技通报 2016(08)
    • [9].基于0.18μm CMOS工艺的混频器设计[J]. 世界科技研究与发展 2009(05)
    • [10].5.2GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计[J]. 中国集成电路 2010(12)
    • [11].0.18μm CMOS高线性低噪声混频器设计[J]. 电子器件 2019(06)
    • [12].一种0.18 μm CMOS模拟滤波器的设计与实现[J]. 微电子学 2015(05)
    • [13].基于0.18μm CMOS工艺、适于WCDMA的低噪声放大器设计[J]. 硅谷 2009(17)
    • [14].2~5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计[J]. 计算机工程与科学 2011(02)
    • [15].商用0.18μm CMOS工艺抗总剂量辐射性能研究[J]. 电子与封装 2016(04)
    • [16].基于0.13μm CMOS工艺的功率放大器设计[J]. 西安邮电大学学报 2016(04)
    • [17].0.6μm CMOS工艺全差分运算放大器的设计[J]. 电子元器件应用 2009(10)
    • [18].0.35μm CMOS工艺的品质因数时域测量电路[J]. 西安电子科技大学学报 2017(02)
    • [19].基于0.13μm CMOS技术的超宽带低噪放大器设计[J]. 中北大学学报(自然科学版) 2013(02)
    • [20].基于0.18μm CMOS工艺的多标准射频滤波器[J]. 微电子学 2009(05)
    • [21].0.18μm CMOS宽带镜像抑制混频器的设计[J]. 信息与电子工程 2008(01)
    • [22].0.13μm CMOS工艺抗辐射触发器优化设计[J]. 电子与封装 2015(10)
    • [23].一种0.18μm CMOS毫米波带通滤波器的设计[J]. 微电子学 2011(03)
    • [24].一维0.18μm CMOS光电二极管量子效率的研究与模拟[J]. 电子器件 2008(04)
    • [25].0.18μm CMOS高效高增益功率放大器设计[J]. 杭州电子科技大学学报 2012(05)
    • [26].一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器[J]. 国防科技大学学报 2009(06)
    • [27].一种用于脉冲超宽带接收机的0.18-μm CMOS工艺的高增益检波器(英文)[J]. 中国科学技术大学学报 2011(04)
    • [28].0.6μm CMOS工艺折叠共源共栅运算放大器设计[J]. 华北电力大学学报(自然科学版) 2008(03)
    • [29].一种D类功放中0.5μm CMOS轨到轨比较器设计[J]. 中国集成电路 2008(12)
    • [30].折叠式共源共栅运算放大器的0.6μm CMOS设计[J]. 信息技术 2009(03)

    标签:;  ;  ;  ;  

    0.18μm CMOS压控振荡器研究与设计
    下载Doc文档

    猜你喜欢