本文主要研究内容
作者高丽娟,白彩艳（2019）在《静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟》一文中研究指出：单粒子翻转(SEU)效应是离子入射静态随机存储器(SRAM)使其逻辑状态发生改变的一种效应.依据地面单粒子翻转实验数据构建合适的模型可以对器件的在轨运行错误率进行预估.文章主要针对0.15μm工艺的SRAM,基于蒙特卡罗软件Geant4,构建经验模型,模拟其单粒子翻转效应截面,并将模拟结果与实验结果进行对比,结果表明该经验模型可以应用于亚微米器件单粒子翻转效应的模拟.
Abstract
chan li zi fan zhuai (SEU)xiao ying shi li zi ru she jing tai sui ji cun chu qi (SRAM)shi ji luo ji zhuang tai fa sheng gai bian de yi chong xiao ying .yi ju de mian chan li zi fan zhuai shi yan shu ju gou jian ge kuo de mo xing ke yi dui qi jian de zai gui yun hang cuo wu lv jin hang yu gu .wen zhang zhu yao zhen dui 0.15μmgong yi de SRAM,ji yu meng te ka luo ruan jian Geant4,gou jian jing yan mo xing ,mo ni ji chan li zi fan zhuai xiao ying jie mian ,bing jiang mo ni jie guo yu shi yan jie guo jin hang dui bi ,jie guo biao ming gai jing yan mo xing ke yi ying yong yu ya wei mi qi jian chan li zi fan zhuai xiao ying de mo ni .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自山西师范大学学报(自然科学版)的高丽娟,白彩艳，发表于刊物山西师范大学学报(自然科学版)2019年03期论文，是一篇关于单粒子翻转效应论文,截面论文,重离子论文,山西师范大学学报(自然科学版)2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自山西师范大学学报(自然科学版)2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。