半导体激光器改善峰值激射波长的研究

论文摘要

半导体激光器激射峰值波长是其在工作中被考虑的一个重要参数,在使用中,人们为了控制波长漂移问题,往往在驱动电路中附加温度控制系统,而忽略了在半导体激光器制备及封装过程中影响波长漂移的各种因素。本文就此结合理论与生产实践,对半导体激光器制备及封装工艺尤其是在热沉的制备过程中影响峰值波长餉原因进行了分析及提出了可行性的改善方案,使激射峰值波长减小0.3nm左右,并使波长稳定性及半导体激光器的可靠性有所改善,对实际生产具有一定的现实意义。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 目录
• 第一章 绪论
• §1.1 半导体激光器的发展概述
• §1.2 量子阱激光器的发展及现状
• §1.3 半导体激光器的关键技术
• §1.4 本论文的主要工作
• 第二章 对影响半导体激光器发光波长的各种因素分析
• §2.1 量子阱厚度
• §2.2 温度
• §2.3 增益区材料组分
• §2.4 折射率与谐振腔尺寸
• §2.5 用特征温度表征半导体激光器激射波长随温度变化的灵敏度
• §2.6 腔面反射率对发射波长所产生的影响
• 第三章 微通道热沉的理论分析设计
• §3.1 微通道热沉的热模型分析
• §3.2 微通道热沉的热阻
• §3.3 微通道热沉热阻的模拟计算分析
• 第四章 半导体激光器制备工艺
• §4.1 器件制备的工艺流程
• §4.2 半导体激光器材料的外延生长
• §4.3 中间工艺
• 第五章 半导体激光器封装改善峰值激射波长漂移的研究
• §5.1 半导体激光芯片与热沉之间不完善烧结导致的波长漂移严重及不可靠情况
• §5.2 改善峰值波长漂移的具体实验方案与分析
• §5.3 芯片-热沉烧结完善状态的电流比较判断法
• 结论
• 致谢
• 参考文献