含时谐振缺陷势对半导体超晶格输运特性的影响

论文摘要

在本文中,我们首先介绍了半导体超品格的基本理论。其次,我们运用单个粒子格林函数的形式来计算系统的位置对角元的格林函数,此系统是外加电场驱动下的紧束缚模型。通过格林函数可获得局域态密度。我们又研究了在均匀电场驱动下的超晶格中有一缺陷势的紧束缚模型,缺陷势随时间作简谐变化。在U（t,t′）的方法框架下获得含时系统的Floquet-Green函数。用Floquet-Green函数获得此含时系统态密度的解析连分式表达。通过这种解析表达式,给出了进一步的数值计算。我们进一步研究了这个系统的局域态密度,通过改变系统中不同参数来研究局域态密度随参数的变化。局域态密度的计算显示了在Wannier-Stark共振态之间有新的态出现。最后我们运用数值计算的方法研究了此系统的动力学演化。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 引言
• 第一章 半导体超晶格的基本理论
• 1.1 瓦尼尔态和紧束缚模型
• 1.2 Wannier—Stark阶梯
• 1.3 Floquet定理
• 1.4 实验进展与应用
• 第二章 在U（t,t）方法框架下计算局域态密度
• 2.1 研究含时系统的几种方法的介绍
• 2.2 外加电场驱动下的紧束缚模型的格林函数形式
• 2.3 在直流电场驱动下的超晶格中有随时间作简谐变化的缺陷势的紧束缚模型的局域态密度的计算
• 2.3.1 U（t,t）方法和Floquet-Green函数
• 2.3.2 谐振驱动势和矩阵连分式方法
• 2.3.3 在直流电场驱动下的超晶格中有随时间作简谐变化的缺陷势的紧束缚模型的局域态密度
• 2.4 数值计算和讨论
• 第三章 直流电场驱动下具有谐振缺陷势的紧束缚模型的动力学演化
• 3.1 模型和方法
• 3.2 结论与数值计算
• 第四章 结论和展望
• 参考文献
• 致谢
• 承诺书