导读:本文包含了传导共模论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:永磁同步电机,功率器件,共模谐波,共模传导
传导共模论文文献综述
金顶鑫[1]（2019）在《永磁同步电机驱动系统共模谐波及共模传导路径研究》一文中研究指出随着半导体功率器件的快速发展,SiC MOSFET(Silicon Carbide MOSFET)具有较快的开关速度、较低的开关损耗、较高的结晶温度等众多优点。正因为如此,SiC MOSFET正在代替硅IGBT(Si IGBT)成为功率逆变电路的核心器件。因为SiC MOSFET在开关过程中产生非常高的电流和电压变化率,给电机驱动系统带来更为复杂的电磁兼容问题。为了使整个系统达到相关的电磁兼容标准,优化系统设计,本文重点分析系统的共模谐波,阐明系统共模传导路径。首先,电机作为电机驱动系统共模谐波传导的重要路径,建立合适的电机模型,对系统的共模谐波分析、传导路径的研究、整体仿真模型都十分重要。根据当前学者对感应电机建模方法的研究,结合永磁同步电机的物理结构,找到一种适合永磁同步电机的建模方法,并通过实验对模型的有效性、合理性进行验证,确保模型的精度。其次,功率器件是电机驱动系统中大功率、高频开关的元件,快速通断过程产生的共模谐波会严重干扰系统的正常工作。本文以SiC MOSFET为例,建立用来分析功率器件开关过程的数学模型,阐述开关过程中谐波产生的机理,研究过程大概分为四个步骤:第一,根据理想情况下的双脉冲电路和SiC MOSFET开通与关断条件,得到SiC MOSFET开关过程的数学模型;第二,分析SiC MOSFET通过数学模型得到的仿真波形与实测波形之间的差异,定性定量的分析导致差异的因素,采用适当的方法,确定因素的具体值;第叁,考虑到产生差异的因素,优化双脉冲电路,得到SiC MOSFET在非理想情况下开关过程的数学模型;第四,根据开关过程的数学模型,分叁种情况对SiC MOSFET开关波形进行频谱分析,研究SiC MOSFET在开关过程中产生的共模谐波。最后,根据实验室电机驱动系统,对导线、电缆进行建模,在Simulink、Simplorer联合仿真平台上搭建电机驱动系统的仿真系统。对仿真系统和实验系统中关键结点的电压(电流)进行时域、频域对比分析,根据对比分析结果,优化仿真系统;分析上述频谱,根据关键结点的电压(电流)包含的频率成分和不同的接地回路,判断不同频率成分对电机驱动系统的高频谐波的影响,分情况画出永磁同步电机驱动系统共模传导路径图,并针对不同的功率器件,分析永磁同步电机驱动系统共模谐波之间的差异。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-03-15）
谢立宏[2]（2018）在《隔离型变换器共模传导干扰的建模与抑制方法研究》一文中研究指出隔离型变换器具有电压匹配和电气隔离的优点,已广泛应用于各种功率变换场合。由于主功率器件工作在高频开关状态,电路中电位高频跳变的节点会通过对地的寄生电容,以及变压器原副边绕组间的分布电容产生位移电流,引起共模传导干扰。为了减小隔离型变换器的共模传导干扰,需要加入共模EMI滤波器,但这会占据较大的体积,制约电源的功率密度和效率的提升。因此,有必要抑制隔离型变换器的原始共模传导干扰,从而减小共模EMI滤波器的体积。本文将建立隔离型变换器共模传导干扰的模型,并研究原始共模传导干扰的抑制方法。在隔离型变换器中,变压器原副边绕组间的分布电容是共模传导干扰的主要传递路径之一。由于变压器的分布电容模型较为复杂,不便于分析共模传导干扰,因此通常将其等效为集总电容。本文分析了变压器原副边绕组间分布电容的特点,推导了一般绕组结构变压器中流过其分布电容的位移电流表达式。基于位移电流不变原则,推导了集总电容的一般表达式,由此建立了一种通用的变压器集总电容模型。该集总电容模型适用于一般绕组结构的变压器,且不依赖于变换器拓扑。最后,制作了不带屏蔽层和带屏蔽层的两个变压器,测试了流过它们原副边绕组间分布电容的位移电流,并将其与采用变压器集总电容模型计算的结果进行对比。实测结果验证了变压器集总电容模型的正确性。利用变压器集总电容模型,本文建立了基本隔离型变换器的共模干扰等效电路,并对其进行了简化,提出了等效干扰源的概念。等效干扰源综合了变压器绕组结构和副边整流滤波电路结构等影响共模传导干扰的因素,是分析隔离型变换器共模传导干扰的有效方法。应用等效干扰源分析了基本隔离型变换器在不同副边整流滤波电路结构下的共模传导干扰的特点,揭示了某些拓扑具有共模干扰自然对消的特性,即这些拓扑的共模干扰能够通过合理设计变压器绕组结构来减小到零。最后,在实验室制作了一台40W的反激变换器原理样机,测试并比较了整流二极管位置不同时变换器的共模干扰,验证了等效干扰源和共模干扰等效电路的正确性。变压器屏蔽技术是减小隔离型变换器共模干扰的有效方法之一。本文对单层屏蔽技术进行了分析,指出单层屏蔽能够阻断变压器中相邻原副边绕组间的电场耦合,但是该屏蔽层到与之相邻的绕组之间仍然存在引起共模传导干扰的位移电流。绕组对消法能够有效消除相邻原副边绕组的位移电流,但是难以应用于原副边绕组夹绕的情形。为此,本文将单层屏蔽和绕组对消法相结合,将屏蔽层调整为绕组的形式,使其在保留屏蔽作用的同时具有绕组对消的功能,提出了抑制隔离型变换器共模传导干扰的屏蔽-对消技术。在实验室搭建了一台60W的反激变换器原理样机,测试并比较了变换器在叁种变压器(不加屏蔽的变压器、加入单层屏蔽的变压器以及采用屏蔽-对消技术的变压器)下的共模干扰。实验结果表明,当反激变换器的变压器采用屏蔽-对消技术时,其共模干扰最低。进一步地,提出将屏蔽-对消技术分别与对称电路和无源对消电路相结合,以消除流过原边电路中电位高频跳变节点到地的寄生电容的位移电流。移相控制全桥变换器具有开关管电压应力低,能够实现软开关等优点,在中大功率场合有着广泛的应用。本文将该变换器两桥臂中点对地的电压和谐振电感电压视为引起共模传导干扰的电压源,建立了移相控制全桥变换器的共模干扰模型。基于该模型,提出了采用对称电路,即对称谐振电感加对称变压器的方法,有效消除了谐振电感电压对共模传导干扰的影响。在此基础上,加入由补偿绕组和补偿电容构成的无源对消电路,进一步消除了由两桥臂中点对地的电压引起的共模传导干扰。本文阐明了对称电路和无源对消电路相结合以实现共模传导干扰抑制的必要性,指出只有同时采用对称电路和无源对消电路,移相控制全桥变换器的共模传导干扰才能显着降低。在实验室研制了一台1kW的移相控制全桥变换器原理样机,对所提出的共模干扰抑制方法进行了实验验证。实验结果表明,同时采用对称电路和无源对消电路,有效降低了移相控制全桥变换器的共模干扰。(本文来源于《南京航空航天大学》期刊2018-04-01）
周锦平[3]（2016）在《叁相PWM逆变器传导共模干扰模型与原始噪声抑制技术研究》一文中研究指出随着新能源技术的推广,叁相脉宽调制(PWM)的电压源变换器的应用越来越广泛。为了满足相应的电磁干扰(EMI)限值标准要求,在网侧通常都需要加入EMI滤波器,包括差模滤波器和共模滤波器。因为共模噪声源内阻的复杂性,共模滤波器的设计通常具有相当的挑战,需要工程师反复的试错。因此分析共模噪声的流通路径,建立等效电路模型对于提升滤波器设计的针对性和有效性都很有意义。另外,EMI滤波器通常在系统中占有比较大的体积和重量,成本也较高,特别是在大功率系统中,因电流大需要的绕线很粗,要求磁环尺寸也会很大,当要求的共模电感感量较大时,该共模电感甚至很难设计。目前各国对电力电子系统的EMI问题十分重视,并且也都相继开展了噪声模型和抑制技术等方面的研究。但从现有文献来看,主要还是集中在开关电源和单相变换器方面。在叁相变换器的噪声模型方面,有些模型考虑的因素还不够完善,遗漏了一些重要的影响因素,例如桥臂中点对地的分布电容,有些则模型过于复杂,实用性不强。本文建立了叁相逆变器的共模噪声通路模型,分析了模型中的关键参数,得到一个简单但实用的等效电路模型,并实验验证了所提出模型的准确性。基于该模型分析了连接在交流母线与直流母线之间的滤波电容对共模噪声特性的影响。在共模噪声抑制技术方面,有源滤波,低共模噪声的调制策略等新一代低成本的抑制方法虽然提出了很多种,但大多都停留在实验室研究与探讨阶段,还不能满足实际工程对功率变换器高功率密度的要求,并且这些方法都存在着一定的局限性。总体来说无源滤波技术还是发展最早,可靠性最高,应用最广泛的一类EMI噪声抑制技术。因此本文的研究重点还是放在无源滤波技术及原始噪声补偿方面。根据共模噪声模型以及不同的应用场合,本文提出了叁种新型的原始共模噪声的补偿方案。其中两种是通过在原储能电感上增加一个辅助绕组来实现的,分别适用于叁相四线系统和叁相叁线系统,由于该辅助绕组只通过噪声电流,没有功率电流,绕线可以较细,几乎不会增加额外的体积和成本,但是可以有效地降低对EMI滤波器的要求,减小滤波器的体积,节省成本。第叁种方案是从共模噪声模型出发,通过在直流母线和交流母线之间连接一个感性阻抗,构造一个惠斯登电桥,实现电桥的平衡,从而使得流过电网的共模噪声大幅降低。相比常规的在直流母线和交流母线之间连接容性阻抗的方案,本文的方案有更好的共模噪声抑制效果。本文所提出的叁种新型共模噪声抑制方案可以降低整个系统对共模滤波器的要求,对叁相PWM逆变器系统的体积和成本控制具有重要意义。(本文来源于《上海交通大学》期刊2016-12-01）
王举贤[4]（2016）在《PWM逆变器共模传导电磁干扰及其抑制方法研究》一文中研究指出作为电力电子装置的主要组成部分,逆变器已经在人们的生产生活中具有不可替代的作用。而且随着PWM技术的应用,逆变器的输出波形得到了极大的改善,从而使负载端(交流电机)具有更小的电流纹波,更小的铜损以及更小的开关损耗。但是由于PWM逆变器自身会产生高频共模dv/dt,它不但会产生泄露地电流,而且会通过电机定子与转子之间的电磁耦合而形成轴电压。泄露地电流不但会影响敏感设备的正常工作,而且会造成EMI问题。轴电压会引起轴电流,进而引起轴承上产生电蚀的凹陷,加速电机轴承老化。而当逆变器与感应电机通过长线电缆相连时,逆变器输出的电压会在电缆上发生行波反射现象,导致电机端出现过电压,这会引起电机及电缆绝缘性能下降,甚至绝缘击穿。共模传导EMI已经成为危害逆变系统安全性、限制逆变系统应用的一个主要的因素。本论文正是在此背景下,结合前人的研究成果以及本课题组的研究而提出的。本文的研究脉络是PWM逆变器共模传导EMI特性理论分析——PWM逆变器共模传导EMI建模分析——PWM逆变器共模传导EMI抑制。共模传导EMI特性理论分析,本文主要从共模电压、过电压以及传导EMI传输路径叁个方面进行了分析。共模传导EMI建模本文主要分逆变器、传输电缆以及感应电机叁部分,并且进行了模型仿真与实验对比。共模传导EMI抑制主要从两个方面入手:一方面是采用滤波器来减小共模传导EMI,本文设计了一款前馈式共模有源滤波器;另一方面是从控制策略上来减小共模传导EMI,本文提出了基于扩展频谱技术的PWM控制策略。本文研究内容不仅有助于对PWM逆变器共模传导EMI的特性及危害有全面系统的认识,提出的一些新的建模方法对逆变器及其它电力电子器件的EMI分析有一定的指导意义。除此之外,本研究提出的两种抑制EMI的方法也有一定的实用价值和经济效益。(本文来源于《吉林大学》期刊2016-06-01）
赵磊[5]（2016）在《基于叁相四桥臂逆变器的共模传导EMI抑制研究》一文中研究指出采用脉冲宽度调制(PWM)方式的叁相逆变器广泛应用于各个场合,但是由于开关器件的高频通断,使逆变器每相桥臂中点输出相对参考地的电压在高频跳变,该跳变电压经开关器件的对地寄生电容会产生共模电流。较大的dv/dt和di/dt会产生严重的电磁干扰(EMI),这不但会影响周围其他设备的正常工作,而且还会让逆变器本自身的可靠性下降,降低它的使用寿命。本文重点研究了下列内容:叁相逆变器的数学模型建立、调制策略的选择和共模干扰产生原因分析;基于改良SVM调制方案来抑制叁相逆变器的共模电压;基于新的叁维空间矢量调制方案的叁相四桥臂逆变器来彻底消除共模干扰。分析PWM逆变器的共模传导路径,建立叁相逆变器的共模电路模型,并且详细分析比较两种常用于叁相逆变器的调制方案,指出SVM更适合叁相逆变器,最后结合着传统SVM调制方案具体分析了每个开关周期内的共模电压,并指出了共模干扰存在的原因。在分析几种去零矢量SVM调制方案的基础上,提出一种改良方案,并通过仿真证明,在基本不改变输出电压特性的情况下,该改良方案能使共模电压变为原来的叁分之一,随之共模干扰也会减小。同时注意到如果只是改变一下调制方式,那么不管采用什么样的调制方式,叁相叁桥臂逆变器结构是无法做到完全消除掉共模电压的。为了彻底消除叁相逆变器的共模干扰,指出可以从电路拓扑结构入手,将叁相叁桥臂逆变器变为叁相四桥臂逆变器,接着分析了叁相四桥臂逆变器的共模模型,推导出共模电压的表达式,由此得出共模电压为零的条件,最后提出一种新的叁维空间矢量调制方案,并通过理论分析和仿真证明,既能够保证输出电压波形质量,又能使叁相逆变器的共模电压始终为零,从而消除掉共模干扰。在一台25kW的叁相四桥臂逆变器实验样机进行实验,结果表明本文最后提出的这种基于叁相四桥臂逆变器外加新的叁维空间矢量调制策略的方案,可以有效地消除共模电压,使其基本为0,进而可以有效地抑制甚至消除掉共模干扰。并且,此时叁相逆变器的输出电压波形质量依然很好,THD还是很低,说明在基本没有影响输出波形质量的情况下实现了对共模干扰的抑制。(本文来源于《华中科技大学》期刊2016-05-01）
王晨,辛绍杰,宁尚贤[6]（2015）在《功率变换器共模传导电磁干扰分析》一文中研究指出随着高效、可靠的功率变换器的广泛使用及开关频率的不断提高,变换器内部的电磁环境越来越复杂,出现的电磁干扰(EMI)问题也越来越多。其中,共模电流干扰危害最大。主要分析了共模电磁干扰问题与解决措施,并以典型的单相逆变器为例,通过类比Buck变换电路,在Saber中建立了简单的等效EMI仿真模型。在抑制共模干扰过程中增设旁路稳压电路能有效抑制共模电压,并通过实验仿真认证了LC滤波器的工作有效性和高频寄生参数对滤波性能的影响。(本文来源于《科技与创新》期刊2015年19期）
韩伟健,马瑞卿,刘青[7]（2014）在《无刷直流电机驱动系统共模传导EMI源的研究》一文中研究指出以脉宽调制(PWM)技术为核心的电机驱动系统已经广泛应用于各个领域。然而,逆变器产生的高dv/dt电压瞬变也带来了严重的电磁干扰问题。针对无刷直流电机驱动系统,分析了共模传导电磁干扰(EMI)的产生机理,推导了共模干扰电流与零序电压变化率的数学关系,得出高电压瞬变的零序电压是造成系统中共模传导EMI的主要原因。在此基础上,针对调制方式和电机换相对零序电压的影响进行了研究。结果表明:受调制方式的影响,全桥PWM逆变器在开关瞬间的零序电压变化率要明显低于半桥PWM,进而得出,在相同条件下,全桥PWM有助于抑制系统中的共模传导EMI。在电机换相时,关断相的续流作用导致零序电压产生很高的变化率。(本文来源于《第十九届中国小电机技术研讨会论文集》期刊2014-11-12）
胡寅秋[8]（2014）在《多功能自助终端设备电信端口传导共模骚扰电压干扰整改实例》一文中研究指出通过对电信端口的传导共模骚扰电压干扰整改案例,分析得出多功能自助终端设备电信端口传导共模骚扰电压干扰出现的主要原因和结构设计缺陷,并提出了抑制干扰电压的一些改进设计方案及措施。整改后,再次进行测试,干扰电压完全符合标准。(本文来源于《电子质量》期刊2014年10期）
冯强,廖成,熊祥正[9]（2014）在《一种新的基于共模扼流圈传导干扰模态分离网络》一文中研究指出测试传导性干扰的模态噪声,是设计电磁干扰(EMI)滤波器的前提条件。共模扼流圈能够抑制共模模态,而不影响差模电流的输出。根据共模扼流圈这一特点,设计一种由两个共模扼流圈为核心的共模/差模分离网络,实现共模电压和差模电压的同时输出。仿真结果表明,在150 kHz~30 MHz的测试频带,输入端口阻抗基本在50Ω,并且共模传递比(CMTR)、差模抑制比(DMRR)、差模传递比(DMTR)及共模抑制比(CMRR)四个结果显示了该分离网络的良好模态分离效果。(本文来源于《现代电子技术》期刊2014年15期）
陈志雪,白保东,王禹[10]（2014）在《PWM变频驱动系统传导共模EMI对电机轴承影响的预测与抑制》一文中研究指出随着PWM变频技术进一步完善和发展,PWM变频器在体积、性能以及适应性都有了很大的完善,现今,几乎所有的驱动设备中都采用了PWM变频器,然而,由于PWM变频驱动系统中变频器所产生的传导共模EMI会对电机轴承产生一定的影响,减少轴承的寿命,影响了电机驱动系统的运行。本文首先对PWM变频驱动系统传导共模EMI进行了理论分析,然后对该理论的正确性进行实验验证,最后提出了一种减少传导共模EMI的抑制方案,为进一步消除传导共模EMI提供了理论与方法上的支持。(本文来源于《第十一届沈阳科学学术年会暨中国汽车产业集聚区发展与合作论坛论文集（信息科学与工程技术分册）》期刊2014-06-26）
传导共模论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
隔离型变换器具有电压匹配和电气隔离的优点,已广泛应用于各种功率变换场合。由于主功率器件工作在高频开关状态,电路中电位高频跳变的节点会通过对地的寄生电容,以及变压器原副边绕组间的分布电容产生位移电流,引起共模传导干扰。为了减小隔离型变换器的共模传导干扰,需要加入共模EMI滤波器,但这会占据较大的体积,制约电源的功率密度和效率的提升。因此,有必要抑制隔离型变换器的原始共模传导干扰,从而减小共模EMI滤波器的体积。本文将建立隔离型变换器共模传导干扰的模型,并研究原始共模传导干扰的抑制方法。在隔离型变换器中,变压器原副边绕组间的分布电容是共模传导干扰的主要传递路径之一。由于变压器的分布电容模型较为复杂,不便于分析共模传导干扰,因此通常将其等效为集总电容。本文分析了变压器原副边绕组间分布电容的特点,推导了一般绕组结构变压器中流过其分布电容的位移电流表达式。基于位移电流不变原则,推导了集总电容的一般表达式,由此建立了一种通用的变压器集总电容模型。该集总电容模型适用于一般绕组结构的变压器,且不依赖于变换器拓扑。最后,制作了不带屏蔽层和带屏蔽层的两个变压器,测试了流过它们原副边绕组间分布电容的位移电流,并将其与采用变压器集总电容模型计算的结果进行对比。实测结果验证了变压器集总电容模型的正确性。利用变压器集总电容模型,本文建立了基本隔离型变换器的共模干扰等效电路,并对其进行了简化,提出了等效干扰源的概念。等效干扰源综合了变压器绕组结构和副边整流滤波电路结构等影响共模传导干扰的因素,是分析隔离型变换器共模传导干扰的有效方法。应用等效干扰源分析了基本隔离型变换器在不同副边整流滤波电路结构下的共模传导干扰的特点,揭示了某些拓扑具有共模干扰自然对消的特性,即这些拓扑的共模干扰能够通过合理设计变压器绕组结构来减小到零。最后,在实验室制作了一台40W的反激变换器原理样机,测试并比较了整流二极管位置不同时变换器的共模干扰,验证了等效干扰源和共模干扰等效电路的正确性。变压器屏蔽技术是减小隔离型变换器共模干扰的有效方法之一。本文对单层屏蔽技术进行了分析,指出单层屏蔽能够阻断变压器中相邻原副边绕组间的电场耦合,但是该屏蔽层到与之相邻的绕组之间仍然存在引起共模传导干扰的位移电流。绕组对消法能够有效消除相邻原副边绕组的位移电流,但是难以应用于原副边绕组夹绕的情形。为此,本文将单层屏蔽和绕组对消法相结合,将屏蔽层调整为绕组的形式,使其在保留屏蔽作用的同时具有绕组对消的功能,提出了抑制隔离型变换器共模传导干扰的屏蔽-对消技术。在实验室搭建了一台60W的反激变换器原理样机,测试并比较了变换器在叁种变压器(不加屏蔽的变压器、加入单层屏蔽的变压器以及采用屏蔽-对消技术的变压器)下的共模干扰。实验结果表明,当反激变换器的变压器采用屏蔽-对消技术时,其共模干扰最低。进一步地,提出将屏蔽-对消技术分别与对称电路和无源对消电路相结合,以消除流过原边电路中电位高频跳变节点到地的寄生电容的位移电流。移相控制全桥变换器具有开关管电压应力低,能够实现软开关等优点,在中大功率场合有着广泛的应用。本文将该变换器两桥臂中点对地的电压和谐振电感电压视为引起共模传导干扰的电压源,建立了移相控制全桥变换器的共模干扰模型。基于该模型,提出了采用对称电路,即对称谐振电感加对称变压器的方法,有效消除了谐振电感电压对共模传导干扰的影响。在此基础上,加入由补偿绕组和补偿电容构成的无源对消电路,进一步消除了由两桥臂中点对地的电压引起的共模传导干扰。本文阐明了对称电路和无源对消电路相结合以实现共模传导干扰抑制的必要性,指出只有同时采用对称电路和无源对消电路,移相控制全桥变换器的共模传导干扰才能显着降低。在实验室研制了一台1kW的移相控制全桥变换器原理样机,对所提出的共模干扰抑制方法进行了实验验证。实验结果表明,同时采用对称电路和无源对消电路,有效降低了移相控制全桥变换器的共模干扰。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
传导共模论文参考文献
[1].金顶鑫.永磁同步电机驱动系统共模谐波及共模传导路径研究[D].电子科技大学.2019
[2].谢立宏.隔离型变换器共模传导干扰的建模与抑制方法研究[D].南京航空航天大学.2018
[3].周锦平.叁相PWM逆变器传导共模干扰模型与原始噪声抑制技术研究[D].上海交通大学.2016
[4].王举贤.PWM逆变器共模传导电磁干扰及其抑制方法研究[D].吉林大学.2016
[5].赵磊.基于叁相四桥臂逆变器的共模传导EMI抑制研究[D].华中科技大学.2016
[6].王晨,辛绍杰,宁尚贤.功率变换器共模传导电磁干扰分析[J].科技与创新.2015
[7].韩伟健,马瑞卿,刘青.无刷直流电机驱动系统共模传导EMI源的研究[C].第十九届中国小电机技术研讨会论文集.2014
[8].胡寅秋.多功能自助终端设备电信端口传导共模骚扰电压干扰整改实例[J].电子质量.2014
[9].冯强,廖成,熊祥正.一种新的基于共模扼流圈传导干扰模态分离网络[J].现代电子技术.2014
[10].陈志雪,白保东,王禹.PWM变频驱动系统传导共模EMI对电机轴承影响的预测与抑制[C].第十一届沈阳科学学术年会暨中国汽车产业集聚区发展与合作论坛论文集（信息科学与工程技术分册）.2014