论文摘要
白光LED是新一代半导体照明光源,高效光转换材料的合成制备是其关键技术之一。在过去十年中,稀土离子掺杂的纳米材料由于其在光、电、磁学等方面表现出的独特性质已经引起人们极大的关注。目前稀土掺杂无机纳米发光材料在显示、照明、光通讯、激光器件、X射线传感器等领域仍然具有广阔的应用前景。本文主要对适用于白光LED荧光粉的Dy3+,Tm3+单掺/共掺杂GdVO4纳米晶的制备及发光性质进行研究。合成GdVO4晶体的制备过程中溶液pH值为7.00时合成的产品最佳。采用共沉淀法合成Dy3+,Tm3+单掺/共掺杂的GdVO4纳米晶,并通过X射线粉末衍射、扫描电镜、荧光光谱仪等测试手段对最终产物进行了表征。结果表明:采用化学共沉淀法用Tm3+,Dy3+单掺或双掺大小为30nm左右的GdVO4可制得荧光材料,当添加Tm3+后,发现Dy3+离子的发光程度会发生显著的提高。当GdVO4双掺Dy3+,Tm3+时,Tm3+→Dy3+两个最有可能的通道(Tm3+1D2→Dy3+4M15/2,Tm3+1G4→Dy3+4F9/2),都能增加Dy3+4F9/2能级的布居,并且Dy3+和Tm3+的最优掺杂浓度分别是2mol%和0.5mol%,继续增加就会引起浓度猝灭。在色坐标中在Tm3+和Dy3+单掺的样品中能分别观察到蓝色和黄绿的白光,并且能得到接近等能点的材料,白光材料GdVO4:Dy3+,Tm3+荧光粉材料在固态照明领域有潜在应用。
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