本文主要研究内容
作者杨小波,孙志强,张冰清,苗镇江,王华栋,吕毅（2019）在《BAS粘接碳化硅材料的性能》一文中研究指出：采用原位生成钡长石为烧结助剂,研究BAS/SiC复相陶瓷的低温无压液相烧结工艺,制备高致密度的陶瓷材料。通过XRD、SEM及力学试验机等研究烧结温度、BAS含量对复相碳化硅陶瓷的致密化、组织结构及力学性能的影响。结果表明:在1800℃温度下原位生成了BAS相,运用无压液相烧结法制备出了密度达到3.2 g/cm3的BAS/SiC复相陶瓷;陶瓷中BAS以六方结构析出、SiC颗粒均匀分布;烧结温度不宜超过1800℃,温度过高将促使碳化硅颗粒长大,损伤陶瓷材料抗弯强度和断裂韧度;当复相BAS/SiC陶瓷中BAS质量分数为30%时,弯曲强度达到413 MPa,模量达到210 GPa,断裂韧度达到5.03 MPa·m1/2。
Abstract
cai yong yuan wei sheng cheng bei chang dan wei shao jie zhu ji ,yan jiu BAS/SiCfu xiang tao ci de di wen mo ya ye xiang shao jie gong yi ,zhi bei gao zhi mi du de tao ci cai liao 。tong guo XRD、SEMji li xue shi yan ji deng yan jiu shao jie wen du 、BAShan liang dui fu xiang tan hua gui tao ci de zhi mi hua 、zu zhi jie gou ji li xue xing neng de ying xiang 。jie guo biao ming :zai 1800℃wen du xia yuan wei sheng cheng le BASxiang ,yun yong mo ya ye xiang shao jie fa zhi bei chu le mi du da dao 3.2 g/cm3de BAS/SiCfu xiang tao ci ;tao ci zhong BASyi liu fang jie gou xi chu 、SiCke li jun yun fen bu ;shao jie wen du bu yi chao guo 1800℃,wen du guo gao jiang cu shi tan hua gui ke li chang da ,sun shang tao ci cai liao kang wan jiang du he duan lie ren du ;dang fu xiang BAS/SiCtao ci zhong BASzhi liang fen shu wei 30%shi ,wan qu jiang du da dao 413 MPa,mo liang da dao 210 GPa,duan lie ren du da dao 5.03 MPa·m1/2。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自航空材料学报的杨小波,孙志强,张冰清,苗镇江,王华栋,吕毅，发表于刊物航空材料学报2019年03期论文，是一篇关于钡长石论文,碳化硅论文,无压烧结论文,力学性能论文,航空材料学报2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自航空材料学报2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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