PECVD法制备掺磷非晶硅薄膜及其结构和性能的研究

PECVD法制备掺磷非晶硅薄膜及其结构和性能的研究

论文摘要

当前,非晶硅薄膜太阳能电池以其成本低,工艺简单,能量回收时间短等优点得到了广泛关注。根据衬底状况和各层沉积顺序的不同,非晶硅薄膜太阳电池可分为p-i-n和n-i-p两种结构。n层和p层共同构建非晶硅薄膜太阳能电池的内建电场,两层直接影响电池的开路电压(Voc),短路电流密度(Jsc),所以n层对整个电池的性能起着重要的作用。本文通过射频等离子增强化学气相沉积(:RF-PECVD),以氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,磷烷(PH3)为掺杂气体,制备了n型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。本论文研究磷掺杂浓度,辉光放电功率,衬底温度对非晶硅薄膜结构和光电性能的影响,薄膜微结构通过XRD和拉曼散射光谱进行表征,薄膜透过率通过紫外可见光分光度计来测试,折射率和消光系数通过NKD-7000W光学薄膜系统拟合得出,暗电导率通过高阻仪测试。结果表明:在本实验条件下沉积的硅薄膜都是非晶态;非晶硅薄膜折射率在R=0.8%(R=PH3/SiH4)时最大,消光系数随着掺杂浓度增加而增大,暗电导率随着磷掺杂浓度先增加后降低,薄膜表面粗糙度基本不受掺杂浓度影响;非晶硅薄膜折射率随着辉光功率增大先增加后减小,功率为70W达到最大值3.7,暗电导率在100W最大,最大值为9.32×10-3S/cm;衬底温度在60~300℃内变化,非晶硅薄膜暗电导率是先上升后下降,200℃时电导率值达到最大,为1.88×10-2S/cm。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 1 绪论
  • 1.1 光伏发电是促进社会发展的最佳能源形式
  • 1.2 太阳能电池种类和原理
  • 1.2.1 太阳能电池种类
  • 1.2.2 太阳能电池的原理
  • 1.3 非晶硅薄膜
  • 1.3.1 非晶硅薄膜的结构特点
  • 1.3.2 非晶硅薄膜材料的电学性能
  • 1.3.3 本征a-Si:H的光学特点
  • 1.3.4 光致衰减效应(Staebler-Wronski Effect)
  • 1.3.5 非晶硅薄膜制备方法
  • 1.4 非晶硅薄膜太阳能电池
  • 1.4.1 非晶硅薄膜太阳能电池结构
  • 1.4.2 非晶硅薄膜太阳能电池的优势和劣势
  • 1.5 选题的目的及研究内容
  • 2 实验设计
  • 2.1 非晶硅薄膜的沉积工艺流程
  • 2.1.1 玻璃基片的清洗
  • 2.1.2 非晶硅薄膜制备流程
  • 2.2 非晶硅薄膜性能表征
  • 2.2.1 非晶硅薄膜光学性能测试
  • 2.2.2 非晶硅薄膜暗电导率测试
  • 2.2.3 非晶硅薄膜激光拉曼(Raman)分析
  • 2.2.4 非晶硅X射线衍射(XRD)分析
  • 2.2.5 非晶硅薄膜表面形貌分析
  • 3 磷掺杂对a-Si:H薄膜结构及光电性能的影响
  • 3.1 磷掺杂对薄膜微结构的影响
  • 3.1.1 XRD衍射分析
  • 3.1.2 拉曼散射光谱表征
  • 3.2 磷掺杂对非晶硅薄膜光学性能的影响
  • 3.2.1 磷掺杂对非晶硅薄膜透过率的影响
  • 3.2.2 磷掺杂对非晶硅薄膜折射率的影响
  • 3.2.3 磷掺杂对非晶硅薄消光系数的影响
  • 3.3 磷掺杂对非晶硅薄膜电导率的影响
  • 3.4 磷掺杂对非晶硅薄膜表面形貌的影响
  • 3.5 小结
  • 4 辉光功率对n型a-Si:H薄膜结构及光电性能的影响
  • 4.1 辉光功率对n型非晶硅薄膜微结构的影响
  • 4.1.1 XRD表征
  • 4.1.2 Rama散射光谱表征
  • 4.2 辉光功率对n型非晶硅薄膜光学性能的影响
  • 4.2.1 辉光功率对n型非晶硅薄膜透过率的影响
  • 4.2.2 辉光功率对n型非晶硅薄膜折射率的影响
  • 4.3 辉光功率对n型非晶硅薄膜电学性能的影响
  • 4.4 不同辉光功率下n型非晶硅薄膜表面形貌
  • 4.5 小结
  • 5 衬底温度对n型a-Si:H薄膜结构及光电性能的影响
  • 5.1 基底温度对n型非晶硅薄膜微结构的影响
  • 5.1.1 XRD表征
  • 5.1.2 Raman散射光谱表征
  • 5.2 衬底温度对n型非晶硅薄膜透过率的影响
  • 5.3 衬底温度对n型非晶硅薄膜电学性能的影响
  • 5.4 n型非晶硅薄膜的表面形貌
  • 5.5 小结
  • 6 结论
  • 参考文献
  • 研究生期间发表的论文
  • 致谢
  • 相关论文文献

    标签:;  ;  ;  ;  ;  ;  

    PECVD法制备掺磷非晶硅薄膜及其结构和性能的研究
    下载Doc文档

    猜你喜欢