本文主要研究内容
作者齐全文,仲顺安,王征晨,李安安（2019）在《K波段双通道集成CMOS发射前端芯片设计》一文中研究指出：采用TSMC 90 nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25 GHz处,两个通道的增益分别为19.1 dB和18.9 dB,输出1 dB压缩点分别为9.57 dBm和8.41 dBm,相位误差分别为1.38°和1.47°,供电电压为1.2 V,总功耗为0.32 W,芯片总面积为2.2 mm×1.25 mm.
Abstract
cai yong TSMC 90 nm CMOSgong yi ,she ji bing shi xian le yi kuan ju you yi xiang gong neng de Kbo duan shuang tong dao ji cheng fa she qian duan xin pian .gai xin pian zhu yao you yi ge gong lv fen pei qi 、liang zu can shu bu tong de you yuan yi xiang qi he gong lv fang da qi gou cheng ,tong shi zai pian shang ji cheng le yong yu kong zhi yi xiang qi de shu zi mo kuai .ce shi jie guo biao ming ,zai zhong xin pin dian 25 GHzchu ,liang ge tong dao de zeng yi fen bie wei 19.1 dBhe 18.9 dB,shu chu 1 dBya su dian fen bie wei 9.57 dBmhe 8.41 dBm,xiang wei wu cha fen bie wei 1.38°he 1.47°,gong dian dian ya wei 1.2 V,zong gong hao wei 0.32 W,xin pian zong mian ji wei 2.2 mm×1.25 mm.
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自北京理工大学学报的齐全文,仲顺安,王征晨,李安安，发表于刊物北京理工大学学报2019年05期论文，是一篇关于波段论文,双通道论文,有源移相器论文,功率放大器论文,工艺论文,北京理工大学学报2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自北京理工大学学报2019年05期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。