ZnO薄膜的MOCVD生长及GaN/Si绿光LED特性研究

ZnO薄膜的MOCVD生长及GaN/Si绿光LED特性研究

论文摘要

本论文分为两大部分。第一部分为氧化锌薄膜的MOCVD生长及性能研究;第二部分为硅衬底氮化镓基绿光LED材料生长及器件性能研究。 第一部分: 氧化锌作为一种多功能材料,已经有着几十年的应用历史。然而,在近年短波长发光器件越来越受重视的背景下,氧化锌作为一种具有巨太潜力的发光材料正在被人们重新“发现”。与氧化锌的传统应用不同,要制作高效率的发光器件,必须首先获得高质量的氧化锌单晶薄膜。近几年来,尽管国际上氧化锌单晶薄膜的制备取得了重要进展,但是可实用的氧化锌发光器件仍没有制备成功。在这种背景下,本文开展了使用金属有机化学气相沉积技术制备氧化锌薄膜的研究。 本文使用一台自制的常压金属有机化学气相沉积系统进行氧化锌薄膜生长。通过大量的生长实验,对各种生长条件对氧化锌薄膜质量的影响进行了系统的研究。经过工艺优化,本文在蓝宝石衬底和硅(111)衬底上都成功制备出高质量的氧化锌单晶薄膜。本文对蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜的结构和光学特性进行了深入的分析。本文还研究了高温退火对蓝宝石衬底上氧化锌薄膜结构和光学特性的影响。在这些研究中,本文获得了以下具有创新性的研究结果: 1、本文研究了缓冲层生长温度对氧化锌外延薄膜的影响,提出了一种高温缓冲层生长方法。采用该方法制备的氧化锌薄膜的(0002)和(1012)面X射线摇摆曲线半峰宽最小值分别达112弧秒和214弧秒,为当前文献中使用化学气相沉积法制备的氧化锌薄膜的最小值。 2、通过使用氮化铝缓冲层,本文在硅衬底上生长出高质量的氧化锌单晶薄膜。其(0002)和(1012)面X射线摇摆曲线半峰宽最小值分别达410弧秒和1321弧秒,为当前文献中硅(111)衬底上制备的氧化锌薄膜的最小值。 3、目前关于氧化锌薄膜化学气相沉积过程中的在线测量技术的报道很少。本文研究了蓝宝石衬底上生长氧化锌薄膜过程中在线测量的激光干涉反射率曲

论文目录

  • 第一部分
  • 第一章 ZnO薄膜生长及性质研究进展
  • 1.1 引言
  • 1.2 ZnO的基本性质
  • 1.3 ZnO薄膜的制备方法
  • 1.4 ZnO薄膜的掺杂研究
  • 1.5 ZnO基三元合金的研究
  • 1.6 总结和展望
  • 参考文献
  • 第二章 ZnO薄膜生长的MOCVD系统
  • 2.1 ZnO生长系统简介
  • 2.2 本论文使用的MOCVD系统的基本构造
  • 2.3 反应室
  • 2.4 激光干涉在线监测系统
  • 2.5 衬底
  • 2.6 源
  • 2.7 基本生长工艺
  • 参考文献
  • 2O3衬底上ZnO薄膜的生长'>第三章 Al2O3衬底上ZnO薄膜的生长
  • 3.1 无缓冲层ZnO薄膜的生长
  • 3.2 缓冲层生长温度的影响
  • 3.3 外延层生长温度的影响
  • 3.4 缓冲层Ⅵ/Ⅱ比的影响
  • 3.5 高温缓冲层
  • 3.6 小结
  • 参考文献
  • 2O3薄膜的在线激光测量研究'>第四章 MOCVD生长ZnO/Al2O3薄膜的在线激光测量研究
  • 4.1 薄膜生长在线激光测量简介
  • 4.2 薄膜干涉的基本理论
  • 4.3 干涉曲线的几种模型
  • 2O3生长干涉曲线的分析'>4.4 散射模型对ZnO/Al2O3生长干涉曲线的分析
  • 4.5 厚度涨落模型
  • 4.6 生长曲线的拟合分析
  • 4.7 小结
  • 参考文献
  • 2O3薄膜的结构和光学特性研究'>第五章 ZnO/Al2O3薄膜的结构和光学特性研究
  • 2O3中的结构缺陷'>5.1 ZnO/Al2O3中的结构缺陷
  • 5.2 波长色散对ZnO摇摆曲线的影响
  • 2O3薄膜的光学特性'>5.3 ZnO/Al2O3薄膜的光学特性
  • 5.4 小结
  • 参考文献
  • 2O3薄膜特性的影响'>第六章 退火对ZnO/Al2O3薄膜特性的影响
  • 6.1 引言
  • 6.2 样品生长条件
  • 6.3 退火气氛对发光特性的影响
  • 6.4 退火对结构特性的影响
  • 6.5 退火表面损伤层的厚度
  • 6.6 表面覆盖退火
  • 6.7 小结
  • 参考文献
  • 第七章 Si(111)上ZnO薄膜的生长及特性
  • 7.1 引言
  • 7.2 Si衬底/AlN缓冲层/ZnO外延膜的取向关系
  • 7.3 ZnO/AlN/Si(111)材料生长
  • 7.4 反射率曲线
  • 7.5 表面形貌
  • 7.6 结构特性
  • 7.7 发光特性
  • 7.8 小结
  • 参考文献
  • 第二部分
  • 第八章 Si衬底GaN绿色发光二极管制备及特性
  • 8.1 引言
  • 8.2 Si衬底GaN基LED专利
  • 8.3 本文制备的Si衬底绿光LED的性能
  • 8.4 小结
  • 参考文献
  • 总结和展望
  • 攻读博士学位期问发表的论文目录
  • 致谢
  • 相关论文文献

    • [1].用同步辐射X射线衍射技术分析GaN/Si外延膜的结构与应变[J]. 物理实验 2011(08)
    • [2].比利时EpiGaN公司参与欧盟新启动的“硅基高效毫米波欧洲系统集成平台”项目,提供的核心GaN/Si射频材料技术[J]. 半导体信息 2018(03)
    • [3].预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响[J]. 中国激光 2013(01)
    • [4].MOCVD生长非故意掺杂GaN/Si薄膜的电阻率控制研究[J]. 科技创新导报 2011(31)

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