论文摘要
纳米半导体氧化亚铜(Cu2O)由于良好的光催化性能,广泛应用于化学能源催化材料、环境污染有机物催化降解材料、高选择性传感器敏感材料等研究领域。属当前纳米科学和异相催化领域热门研究课题。本论文选择醋酸铜溶液体系,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃电极上电沉积制备了Cu2O。应用循环伏安法(CV)电流-时间曲线(i-t)法、开路电位时间曲线(Ocp-t)法、扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)分析法、紫外-可见光谱(UV-vis)吸收光谱法等手段,对所制备的ITO/Cu2O材料进行成核机理、形貌特征和光电性能分析研究。主要研究内容如下:1.用CV法研究了在醋酸铜溶液中制备ITO/Cu2O材料的条件,发现选择较低的沉积电位,可以避免金属铜的沉积发生;由恒电位沉积所得电流-时间关系进行计算和理论比对,证明了在所选定的条件下Cu2O的电沉积过程具备“瞬间成核”特点;用SEM镜像验证了成核密度与沉积电位的关系。2.创新性的使用脉冲法沉积树状纳米Cu2O晶体,实现了以增加纳米Cu2O比表面积为目的的形貌控制;系统的研究了脉冲沉积中脉冲宽度、脉冲间隔、脉冲电位等电化学参数对结晶形貌的影响;通过本方法与前人的工作结果相比较,提出了电压脉冲沉积Cu2O的相关机理,有望用于构建更复杂结构的纳米晶体。3.研究了半导体纳米Cu2O的光电效应并对其进行了半导体性质的分型:证明加入表面活性剂聚乙二醇(PEG)可对纳米Cu2O半导体类型进行调控;实验证明具有较高比表面积的半导体纳米Cu2O,其半导体带隙宽度较小,在紫外-可见光区有更好的光学性能。
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