本文主要研究内容
作者马铭,任瑛,侯晓多,陈国清,张贵锋（2019）在《磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化简》一文中研究指出：采用磁控溅射技术沉积了AlCrWTaTiNb多元高熵合金薄膜,在400℃以下采用高密度等离子体设备对沉积的薄膜进行了氮化处理.用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜和纳米压痕对氮化后薄膜的微观结构、表面形貌以及力学性能进行了分析.结果表明,高熵效应有利于降低氮化温度,最低氮化温度仅为200℃,所有的(AlCrWTaTiNb)N薄膜晶体结构呈现简单的FCC结构,且具有(111)择优取向.随着氮化温度的增加,(AlCrWTaTiNb)N复合薄膜的显微硬度、弹性模量和对应的H3/E2均增大,氮化温度为300℃时,达到最大,随后略微下降.随氮化时间的延长,显微硬度和弹性模量均逐渐增加.
Abstract
cai yong ci kong jian she ji shu chen ji le AlCrWTaTiNbduo yuan gao shang ge jin bao mo ,zai 400℃yi xia cai yong gao mi du deng li zi ti she bei dui chen ji de bao mo jin hang le dan hua chu li .yong Xshe xian yan she (XRD)、yuan zi li xian wei jing he na mi ya hen dui dan hua hou bao mo de wei guan jie gou 、biao mian xing mao yi ji li xue xing neng jin hang le fen xi .jie guo biao ming ,gao shang xiao ying you li yu jiang di dan hua wen du ,zui di dan hua wen du jin wei 200℃,suo you de (AlCrWTaTiNb)Nbao mo jing ti jie gou cheng xian jian chan de FCCjie gou ,ju ju you (111)ze you qu xiang .sui zhao dan hua wen du de zeng jia ,(AlCrWTaTiNb)Nfu ge bao mo de xian wei ying du 、dan xing mo liang he dui ying de H3/E2jun zeng da ,dan hua wen du wei 300℃shi ,da dao zui da ,sui hou lve wei xia jiang .sui dan hua shi jian de yan chang ,xian wei ying du he dan xing mo liang jun zhu jian zeng jia .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自大连理工大学学报的马铭,任瑛,侯晓多,陈国清,张贵锋，发表于刊物大连理工大学学报2019年01期论文，是一篇关于多元高熵合金薄膜论文,低温渗氮论文,力学性能论文,大连理工大学学报2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自大连理工大学学报2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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