论文摘要
本论文采用原位化学法在纳米结构TiO2膜上分别沉积了量子点PbS和CdS(Q-PbS,Q-CdS),并用电化学方法在TiO2/Q-PbS,Q-CdS上聚合3-甲基噻吩poly(3-Methylthiophene)(PMeT)。对PMeT修饰量子点Q-PbS,Q-CdS连接纳米结构TiO2膜的光电化学性能进行了研究。研究的主要结果如下:1)用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/TiO2/Q-PbS(Q代表quantum dots)膜电极的光电转换性质。结果表明,由于量子尺寸效应的结果,在饱和的Pb(CH3COO)2溶液中浸泡时间不同所制备的Q-PbS颗粒大小不同,禁带宽度随着浸泡时间的增大而减小,并确定了浸泡时间为40s,在80℃烘干下制备的Q-PbS的禁带宽度为1.68eV,其价带位置为-5.538 eV。修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。2)用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/TiO2/Q-CdS(Q代表quantum dots)膜电极的光电转换性质。结果表明,由于量子尺寸效应的结果,浸泡时间为60s,在80℃烘干下制备的Q-CdS的禁带宽度由块体的2.42 eV被拓宽到2.51 eV,其价带位置为—6.168 eV。研究还发现Q-CdS修饰ITO/TiO2电极可使光响应范围发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。3)通过对PMeT修饰Q-PbS连接TiO2纳米结构膜的研究表明,PMeT和Q-PbS单独修饰纳米结构TiO2电极和PMeT修饰Q-PbS连接纳米结构TiO2电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动;在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO2的光电转换效率有明显的提高;PMeT与Q-PbS修饰的纳米结构TiO2之间存在p-n异质结。在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子/空穴的分离,提高了光电转换效率。4)通过对PMeT修饰Q-CdS连接TiO2纳米结构膜的研究表明,PMeT和Q-CdS单独修饰纳米结构TiO2电极和PMeT修饰Q-CdS连接纳米结构TiO2电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动;一定条件下在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO2的光电转换效率有明显地提高:聚3-甲基噻吩(PMeT)与Q-CdS连接的纳米结构TiO2之间存在p-n异质结。在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子/空穴的分离,提高了光电转换效率。5)用光电化学方法研究了PMeT修饰Q-CdS、Q-PbS连接TiO2纳米结构膜,实验结果表明,PMeT和Q-CdS,Q-PbS单独修饰纳米结构TiO2电极和PMeT修饰Q-CdS、Q-PbS连接纳米结构TiO2电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动;一定条件下在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO2的光电转换效率有明显的提高;聚3-甲基噻吩(PMeT)与Q-CdS、Q-PbS连接的纳米结构TiO2之间存在p-n异质结。在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子/空穴的分离,在本文实验条件下PMeT修饰Q-CdS、Q-PbS连接纳米结构TiO2电极最高的单色光的光电转换效率分别为11%和7%。
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