本文主要研究内容
作者王崇杰,祝柏林,赵绚,马俊敏,吴隽,甘章华,刘静（2019）在《Ag层沉积速率对SnO2/Ag/SnO2三层膜透明导电性能的影响》一文中研究指出：以射频磁控溅射方法在两种沉积速率下（0.065和0.750 nm/s）制备单层Ag膜,研究了沉积速率对Ag膜结构的影响。以同样的两种速率制备Ag层,并变化Ag层厚度,研究了制备的SnO2/Ag/SnO2 3层膜的透明导电性能。结果发现:高速沉积的Ag膜晶粒粗大、表面粗糙度低,也即其结晶性更好且易于连续成膜,该结果很好地解释了当Ag层膜厚较薄时（<6 nm）,高速沉积Ag层制备的SnO2/Ag/SnO2 3层膜表现出更高的品质因子。当Ag层膜厚较厚时（>6 nm）,低速沉积Ag层制备的3层膜的品质因子更高,并且在Ag层厚度为8 nm时获得的最高的品质因子(4.73×10-2/Ω),大于Ag层高速沉积且膜厚为6 nm时,获得的最高品质因子(3.45×10-2/Ω),这可能与Ag层较厚时,粗糙表面的Ag层表现出更高的透光性有关。
Abstract
yi she pin ci kong jian she fang fa zai liang chong chen ji su lv xia （0.065he 0.750 nm/s）zhi bei chan ceng Agmo ,yan jiu le chen ji su lv dui Agmo jie gou de ying xiang 。yi tong yang de liang chong su lv zhi bei Agceng ,bing bian hua Agceng hou du ,yan jiu le zhi bei de SnO2/Ag/SnO2 3ceng mo de tou ming dao dian xing neng 。jie guo fa xian :gao su chen ji de Agmo jing li cu da 、biao mian cu cao du di ,ye ji ji jie jing xing geng hao ju yi yu lian xu cheng mo ,gai jie guo hen hao de jie shi le dang Agceng mo hou jiao bao shi （<6 nm）,gao su chen ji Agceng zhi bei de SnO2/Ag/SnO2 3ceng mo biao xian chu geng gao de pin zhi yin zi 。dang Agceng mo hou jiao hou shi （>6 nm）,di su chen ji Agceng zhi bei de 3ceng mo de pin zhi yin zi geng gao ,bing ju zai Agceng hou du wei 8 nmshi huo de de zui gao de pin zhi yin zi (4.73×10-2/Ω),da yu Agceng gao su chen ji ju mo hou wei 6 nmshi ,huo de de zui gao pin zhi yin zi (3.45×10-2/Ω),zhe ke neng yu Agceng jiao hou shi ,cu cao biao mian de Agceng biao xian chu geng gao de tou guang xing you guan 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自硅酸盐学报的王崇杰,祝柏林,赵绚,马俊敏,吴隽,甘章华,刘静，发表于刊物硅酸盐学报2019年07期论文，是一篇关于氧化物论文,金属论文,氧化物层膜论文,透明导电性论文,沉积速率论文,渗透阈值论文,品质因子论文,硅酸盐学报2019年07期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自硅酸盐学报2019年07期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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