论文摘要
磁控溅射技术是一种高效的薄膜沉积工艺,近年来被得到广泛应用,据报道纳米LaB6颗粒在近红外波具有很好的吸收性,ITO薄膜作为代表性的透明导电材料,在中红外波段具有较强的光反射效应,为了综合两种材料在红外光波段的的特点,本文通过直流磁控溅射方法在玻璃基体上沉积了LaB6/ITO复合薄膜,并利用X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电镜等测试仪器研究了退火及不同溅射条件下LaB6/ITO薄膜组织、结构及光电性能的变化。LaB6/ITO双层薄膜的结构受第一层LaB6层溅射工艺跟退火工艺的共同影响,退火促进了薄膜(222)晶向的生长。溅射条件对薄膜的生长有很大的影响,只在氩气氛围下溅射容易形成不均匀的结构,加入偏压后薄膜生长更加致密,结晶更完全,功率过高或者过低薄膜容易出现坍塌现象,因为薄膜内部存在较大的内应力。薄膜的生长模式为岛状生长,生长过程中出现了“手指状”“圆锥状”的组织。改变四种工艺条件氩气气压、基片偏压、溅射功率、退火温度,均没有得到LaB6的晶体,XPS显示La、B元素没有产生有效结合,透射电镜也证明了LaB6为非晶组织,上层ITO结晶良好。退火后薄膜的断面由柱状晶变为等轴晶,晶格常数变大,为0.3125 nm,硬度与弹性模量值也得到提高。溅射时间为3分钟时,退火后薄膜由非晶态变为多晶,光学透过率、.导电性也明显得到改善,电阻率最高可降低两个数量级。
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摘要ABSTRACT本文主要创新点第一章 绪论1.1 研究背景6的结构、性能及研究现状'>1.1.1 LaB6的结构、性能及研究现状1.1.2 ITO的结构、性能及研究现状6、ITO复合材料研究概况'>1.1.3 LaB6、ITO复合材料研究概况1.2 薄膜生长机理及磁控溅射方法1.2.1 薄膜生长1.2.2 磁控溅射原理及研究概况1.3 薄膜的热处理1.4 课题研究的目的及主要内容第二章 试验内容2.1 试验材料2.2 试验设备与溅射工艺参数2.3 薄膜分析测试方法2.3.1 X射线衍射仪2.3.2 高分辨透射电镜2.3.3 X射线光电子能谱仪2.3.4 热场发射扫描电镜2.3.5 原子力显微镜2.3.6 台阶仪2.3.7 纳米压痕测试仪2.3.8 紫外/可见/近红外分光光度计2.3.9 霍尔测量仪6/ITO薄膜组织结构的影响'>第三章 热处理及溅射工艺对LAB6/ITO薄膜组织结构的影响6/ITO薄膜热处理前后的XRD分析'>3.1 不同溅射工艺下LaB6/ITO薄膜热处理前后的XRD分析6/ITO薄膜热处理前后的XRD分析'>3.1.1 不同氩气气压下LaB6/ITO薄膜热处理前后的XRD分析6/ITO薄膜的XRD分析'>3.1.2 不同基片偏压下热处理前后LaB6/ITO薄膜的XRD分析6/ITO薄膜的XRD分析'>3.1.3 不同溅射功率下热处理前后LaB6/ITO薄膜的XRD分析6/ITO薄膜的XRD分析'>3.1.4 不同热处理温度下LaB6/ITO薄膜的XRD分析6薄膜的XRD、XPS分析'>3.2 LaB6薄膜的XRD、XPS分析6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析'>3.3 不同溅射工艺下LaB6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析'>3.3.1 不同氩气气压下LaB6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析'>3.3.2 不同基片偏下LaB6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析'>3.3.3 不同溅射功率下LaB6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析6/ITO薄膜的AFM分析'>3.3.4 不同热处理温度下LaB6/ITO薄膜的AFM分析3.3.5 由原子力显微镜观察薄膜生长6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌'>3.4 不同溅射工艺下LaB6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌'>3.4.1 不同氩气气压下LaB6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌6/ITO薄膜的断口形貌'>3.4.2 不同基片偏压下热处理前后LaB6/ITO薄膜的断口形貌6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌'>3.4.3 不同溅射功率下LaB6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌6/ITO薄膜的断口形貌'>3.4.4 不同热处理温度下LaB6/ITO薄膜的断口形貌6/ITO薄膜的能谱分析'>3.5 不同氩气气压下溅射LaB6/ITO薄膜的能谱分析6/ITO薄膜的高分辨分析'>3.6 LaB6/ITO薄膜的高分辨分析6/ITO薄膜的硬度、弹性模量分析'>3.7 LaB6/ITO薄膜的硬度、弹性模量分析3.8 本章小结6/ITO薄膜的光电性能分析'>第四章 LAB6/ITO薄膜的光电性能分析6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析'>4.1 不同溅射工艺下LaB6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析'>4.1.1 不同氩气气压下LaB6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析'>4.1.2 不同基片偏压下LaB6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析'>4.1.3 不同溅射功率下LaB6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析6/ITO薄膜的光学性能分析'>4.1.4 不同热处理温度下LaB6/ITO薄膜的光学性能分析6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析'>4.2 不同溅射工艺下LaB6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析'>4.2.1 不同氩气气压下LaB6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析'>4.2.2 不同基片偏压下LaB6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析'>4.2.3 不同溅射功率下LaB6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析6/ITO薄膜的电学性能分析'>4.2.4 不同热处理温度下LaB6/ITO薄膜的电学性能分析4.3 本章小结第五章 结论参考文献致谢攻读硕士期间发表的论文学位论文评阅及答辩情况表
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标签:热处理论文; 直流磁控溅射论文; 双层薄膜论文;
SiO2基体上直流磁控溅射LaB6/ITO复合薄膜的性能研究
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