应用于AlN陶瓷混合结合厚膜金属化浆料的研究

应用于AlN陶瓷混合结合厚膜金属化浆料的研究

论文摘要

本文是在研究厚膜导体浆料制备工艺、组成、性能的基础上,以氮化铝(AlN)基片厚膜金属化浆料为研究对象,以降低膜层与基片之间的热阻,同时又能获得较高附着强度为主要研究目标,以溶胶-凝胶、球磨湿混、丝网印刷和低温烧成等工艺为技术特征,采用XRD, SEM,TG-DSC以及厚膜金属层电性能测试等分析手段,研究了制备工艺、粘接剂对厚膜金属化浆料性能的影响规律。研究了采用溶胶-凝胶法制备低熔玻璃料,按照配方(wt%)CaO(40),B2O3(15),SiO2(35),BaO(10),制得了低熔(773.3℃) CaO-B2O3-SiO2-BaO体系玻璃粘结剂。研究了金属化浆料粘度的工艺控制,实验发现:浆料的粘度在150~240Pa·s时,具有较好的可印刷性。研究了表面活性剂和分散剂对金属化膜层流平性的影响。研究了玻璃粘结剂组成、含量对金属化膜层性能的影响,实验发现当玻璃含量为10%时,Ag导体层与AlN基片之间附着强度最大(11.6MPa);在固含量不变的情况下,随着玻璃含量的增加,方阻逐渐增大。XRD分析表明TiB2做粘结剂时在高温下与AlN接触生成硼铝尖晶石(2Al2O3·B2O3),促进了金属化膜层与AlN陶瓷的紧密结合。考察了玻璃与TiB2混合对于金属化膜层的性能的影响,实验发现:混合结合的金属化膜层的表面方阻和附着强度更好。获得最佳金属化层性能的工艺条件为:金属化浆料中Ag、TiB2、玻璃、有机载体的含量分别为74.25%、0.75%、5%、20%;室温到600℃空气烧结,600℃以后N2气氛烧结,850℃保温10min。在此工艺下可以获得附着力达12.3MPa,表面方阻为8.9 mΩ/□的光亮、致密金属化膜层。

论文目录

  • 中文摘要
  • ABSTRACT
  • 第一章 文献综述
  • 1.1 微电子系统封装概述
  • 1.2 微电子系统封装用基板
  • 1.2.1 有机封装基板
  • 1.2.2 金属基复合基板
  • 1.2.3 陶瓷封装基板
  • 1.3 AlN陶瓷基板及其金属化
  • 1.3.1 AlN陶瓷材料性能及导热机理
  • 1.3.2 AlN陶瓷基板金属化
  • 1.4 AlN陶瓷厚膜金属化浆料研究现状及其发展趋势
  • 1.5 论文的选题及研究内容
  • 第二章 实验及测试
  • 2.1 原料与设备
  • 2.1.1 实验用主要原料
  • 2.1.2 实验用器皿及设备
  • 2.2 实验及测试
  • 2.2.1 有机载体的制备
  • 2.2.2 玻粉体制备
  • 2.2.3 厚膜金属化浆料制备
  • 2.2.4 AlN厚膜金属化
  • 第三章 厚膜金属化浆料的研究
  • 3.1 金属化浆料各组成的选择与制备
  • 3.1.1 粘结剂的选择
  • 3.1.2 金属相的选择
  • 3.1.3 有机载体的选择
  • 3.2 金属化浆料中玻璃对AlN基片的润湿性探讨
  • 3.3 金属化浆料丝网印刷性能研究
  • 3.3.1 金属化浆料的粘度工艺控制
  • 3.3.2 金属化膜层的流平性研究
  • 3.3.3 金属化膜层厚度工艺控制
  • 第四章 AlN基片厚膜金属化Ag浆料研究
  • 4.1 金属粉混合工艺对金属化膜层的影响
  • 4.2 粘结剂对金属化膜层的影响
  • 4.2.1 反应粘结剂对金属化膜层性能的影响
  • 4.2.2 玻璃粘结剂对金属化膜层性能的影响
  • 4.2.3 混合粘结剂对金属化膜层性能的影响
  • 第五章 结论
  • 参考文献
  • 发表论文和科研情况说明
  • 致谢
  • 相关论文文献

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