导读:本文包含了反型区论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:纳米MOSFET,受抑制散粒噪声,射频,噪声建模
反型区论文文献综述
曾洪波,彭小梅,王军[1]（2019）在《强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析》一文中研究指出为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法。在分析45nm MOSFET射频小信号等效电路参数提取结果的基础上,建立了该器件漏极电流噪声的简洁模型。该模型完整地表征了决定45nm器件噪声机理的叁个组成部分:本征漏极电流噪声、栅极管脚寄生电阻热噪声和栅漏衬底寄生电磁耦合噪声。噪声测量在验证所建模型准确性和精度的同时,还表明:45nm MOSFET的本征漏极电流噪声为受抑制的散粒噪声,并且随着栅源偏压的降低受抑制性逐渐减弱直至消失。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年03期）
朱臻[2]（2014）在《Poly-Si TFT弱反型区表面势分布研究》一文中研究指出研究了弱反型时多晶硅薄膜晶体管表面势的分布。考虑到弱反型时,沟道势对表面势的影响可忽略,利用一维泊松方程,得到相应沿沟道方向任一点的表面势模型。通过将基于此模型的表面势二维分布与二维器件仿真结果进行比较,发现弱反型时,其可逼近二维器件中的表面势分布;并发现分别在相异栅电压,相异漏端电压和相异沟道长度时,弱反型时的表面势与其在沟道中所处的相对位置几乎无关。(本文来源于《山西大学学报(自然科学版)》期刊2014年01期）
阮英超[3]（1981）在《半导体表面反型区电势分布的解析迫近问题》一文中研究指出可用如下简单模型(spelling ModeL)改进方法:φ_α=InN_A,并在点2φ_α上容许一小的电场跃变。(本文来源于《黑龙江大学自然科学学报》期刊1981年02期）
反型区论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了弱反型时多晶硅薄膜晶体管表面势的分布。考虑到弱反型时,沟道势对表面势的影响可忽略,利用一维泊松方程,得到相应沿沟道方向任一点的表面势模型。通过将基于此模型的表面势二维分布与二维器件仿真结果进行比较,发现弱反型时,其可逼近二维器件中的表面势分布;并发现分别在相异栅电压,相异漏端电压和相异沟道长度时,弱反型时的表面势与其在沟道中所处的相对位置几乎无关。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反型区论文参考文献
[1].曾洪波,彭小梅,王军.强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析[J].强激光与粒子束.2019
[2].朱臻.Poly-SiTFT弱反型区表面势分布研究[J].山西大学学报(自然科学版).2014
[3].阮英超.半导体表面反型区电势分布的解析迫近问题[J].黑龙江大学自然科学学报.1981