HC1、HBr分子化学键断裂过程中内禀特征轮廓及轮廓上电子密度的变化

论文摘要

应用分子内禀特征轮廓理论[1-3]　本文计算出了HCl、HBr 分子在化学键断裂过程中内禀特征轮廓及轮廓上的密度的变化情况,用Matlab 程序绘制了边界轮廓及轮廓上的电子密度分布的三维图像,生动直观地展示了这一变化的动态过程。同时参考HF 分子化学键断裂过程中内禀特征轮廓及轮廓上的密度的变化情况[4],本文归纳总结出了卤化氢分子在化学键断裂过程中内禀特征轮廓及轮廓上的密度的一些变化规律。

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关键词

1 引言

2 理论模型

2.1 分子内禀特征轮廓的定义

2.2 分子中一个电子的作用势的表达式

2.3 自旋限制的 Hartree—FoCk 自洽场分子轨道理论下的表达

2.4 组态相互作用下一个电子所受到作用势的具体表达

2.4.1 组态相互作用的波函数

2.4.2 Slater 行列式波函数的一阶约化密度函数

2.4.3 多Slater 行列式波函数的二阶约化密度函数

2.5 分子中一个电子所受到的作用势（PAEM）的从头计算方法和程

2.5.1 工自旋限制的Hartree—FoCk 自洽场分子轨道理论

2.5.2 组态相互作用

2.5.3 程序

3 结果与讨论

3.1 HCl 分子在化学键断裂过程中边界轮廓及轮廓上电子密度的变化

3.1.1 HCl 分子在不同核间距下电离能的计算

3.1.2 平衡几何构型下HCl 分子的空间和电子密度特征轮廓

3.1.3 HCl 体系处于临界点时的内禀边界轮廓与密度

3.1.4 HCl 体系化学键断裂后的边界轮廓及密度特征

3.1.5 小结

3.2 HBr 分子化学键断裂过程中內禀特征轮廓及轮廓上电子密度的变化

3.3 HF、HCl、HBr 分子在化学键断裂时边界轮廓及轮廓上电子密度的变化的比较讨论

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