论文摘要
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,简称BST)在研制电可调谐器件(如微波铁电移相器)具有巨大的应用潜力。但纯BST在调谐率较高时,介电常数较高,损耗也比较大,还不能完全满足制备微波铁电移相器的要求。本论文通过对BST进行掺杂改性研究,期望研制出高调谐率、低损耗、介电常数适中的优良综合性能的BST块体及其薄膜材料,最终能满足器件设计的要求。本论文采用“复合掺杂”和“替位掺杂”相结合的掺杂改性思路,分别对低钡(x=0.40)和高钡(x=0.55)两种BST材料进行了掺杂改性研究。对于低钡BST材料,实验制备了La2O3掺杂的Ba0.4Sr0.6TiO3/MgO的复合陶瓷材料,微观性能测试结果显示:样品中BST与MgO形成了较良好的复合结构,La3+进入BST晶格形成了“替位掺杂”效应;电性能测试表明:微量La2O3掺杂能有效地降低BST材料的微波介电损耗,0.5wt%La2O3掺杂量的样品在10GHz频率下测试的介电常数为ε=91.5,介电损耗为tanδ=8×10-4;低频调谐率为17.6% (2KV/mm)。对于高钡BST材料,实验制备了La2O3掺杂的Ba0.55Sr0.45TiO3/Mg2TiO4的复合陶瓷材料,微观结构分析结果表明:当La2O3的掺入量为1.2wt%时,La3+进入BST晶格,且其过程抑制了Ba0.55Sr0.45TiO3/ Mg2TiO4复合材料体系中的Ti从+4向+3价转化;电性能测试结果表明:Mg2TiO4和La2O3的掺入能分别较明显地降低介电常数和微波介电损耗,当La2O3掺入量为1.2wt%时其微波(f=10GHz)介电常数为ε=52,介电损耗tanδ=0.0011,低频下调谐率13.6%(3KV/mm)。将0.5wt%La2O3掺杂的Ba0.4Sr0.6TiO3/MgO复合陶瓷材料加工成溅射靶材,利用磁控溅射法制备了BST薄膜材料。微观测试结果显示所制备的BST薄膜致密、无裂纹,低频下(f=100KHz)测试其常数ε=176.5,介电损耗tanδ=0.011,调谐率为18.1%。
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