外场下键稀疏和随机晶场混合自旋BCM的相变和磁学特性

外场下键稀疏和随机晶场混合自旋BCM的相变和磁学特性

论文摘要

混合自旋BCM 的临界行为和磁学性质是本文重点讨论的内容,在本文中我们主要采用了键稀疏和随机晶场作用下混合自旋为1 和1/2 的BC模型,在有效场的框架内计算并讨论了三维简立方系统的临界行为和相关磁学性质。系统的居里温度随着晶场的增加而单调递减并且在相图中出现了三临界点,而键稀疏对三临界点有着明显的抑制作用,当键稀疏浓度降低到阈值pc 的时候系统将出现诱导磁有序,此时晶场浓度无论如何取值,该系统在一定的晶场范围内( 0 ≤?D/J≤0.5)都将存在有序,这种有序完全是由晶场的作用引起的。进一步的研究发现在不存在外场的情况下,系统不仅出现了单补偿点而且也有双补偿点的存在,同时,外磁场对系统的补偿现象有着很明显的影响。此外,我们在M-H 空间里发现,如果负晶场和随机晶场浓度的取值较大时,一定大小的磁场有可能使当前系统的总磁化完全消失,从而出现了一种类似温度补偿的磁补偿现象。其中的一些结论在以前的工作中是没有发现的。

论文目录

  • 第一章 引言
  • 1.1 理论模型
  • 1.2 本文的主要工作
  • 第二章 键稀疏和晶场稀疏对混合自旋BCM 临界行为的影响
  • 2.1 理论推导
  • 2.2 结果讨论
  • 2.3 结论
  • 第三章 键稀疏和晶场稀疏混合自旋 BCM 的磁学特性
  • 3.1 理论推导
  • 3.2 结果讨论
  • 3.3 结论
  • 结束语
  • 参考文献
  • 攻读硕士学位期间完成的论文
  • 致谢
  • 详细摘要
  • 相关论文文献

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