有机自旋小分子半导体材料与器件制备及特性研究

论文摘要

自旋电子学是现代凝聚态物理学极具研究潜力的领域之一。与传统的电子学不同,自旋电子学将电子的自旋特性和电荷特性相结合,其核心内容是研究自旋极化电子的注入、输运、探测及调控,其目的是将器件的电特性、光特性和磁特性等组合在一起,实现新型的自旋电子器件。自旋电子学是电子学的重大发展,不仅导致了高密度存储器的出现,而且还导致了一些基础性的物理革命,如自旋流、自旋压、自旋霍尔效应等新物理概念或现象的出现。自旋电子学器件包括铁磁金属或磁性半导体与绝缘体、超导体、导体、半导体等构型的复合。目前研究发现,注入电流的自旋极化与注入层和传输层的电阻之比密切相关,而电阻不匹配正是传统材料难以实现高自旋注入效率的主要原因所在。为了与当今的微电子技术相结合,人们对半导体中的自旋现象进行了广泛的研究,但是传统无机半导体大多数是非磁性物质不含磁性粒子,并且晶格结构与磁性材料不同。与传统无机半导体相比,有机半导体具有自旋一轨道相互作用和超精细相互作用较弱、自旋扩散长度较长的优点,并且由于其自身“软物质”的特点晶格匹配问题较小,所以有机半导体有潜力成为自旋阀中自旋注入和输运的良好材料。就自旋注入有机半导体来讲,采用有机铁磁半导体作为自旋注入的电极被认为是解决晶格匹配和电导匹配问题的最佳方法之一。因此,有机磁性半导体材料的研究成为了新的研究热点,这必将促进全有机的自旋阀器件发展,从而开辟自旋电子学新的篇章。有机小分子半导体材料种类繁多、重量轻,具有丰富的结构和物理特性,其制备工艺简单、可塑性强,可以通过官能团修饰、杂化、掺杂等多种方法调控性能。有机小分子半导体材料在有机自旋电子器件中多被用来作为中间传输层,也被用作为制备有机磁性半导体材料而进行过渡金属掺杂的基体材料。2002年,Dediu研究组首次报道了有机材料中的自旋注入和输运,他们采用半金属La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）作为极化电子的注入层,中间传输层为有机半导体材料sexithenyl（T6）,发现了负磁电阻效应,表明有机层内存在自旋注入,两电极间存在自旋极化的电流。2004年,Xiong等人首次成功制备LSMO/Alq3/Co有机自旋阀器件,低温下测得约40%的负磁电阻效应；Majumdar等人采用LSMO作自旋极化电极,研究了LSMO/polymer/Co结构中的自旋极化注入现象；Yoo等人采用有机磁体V（TCNE）x作为自旋极化电极,研究了V（TCNE）x/rubrene/LAO/LSMO结构的自旋阀,观察到了磁电阻现象,向全有机自旋器件的实现迈出了重要一步。最近,在过渡金属掺杂的Alq3中发现了室温铁磁性。Co掺杂的Alq3是通过对纯的Co金属和Alq3粉末进行热共蒸发来合成的。在5%的Co（原子比Co/Al=0.5）掺杂的Alq3中发现了明显的铁磁现象,其磁矩大约为0.33μB/Co。在过渡金属掺杂的8-羟基喹啉铝（Alq3）中发现的室温铁磁性开启了有机自旋小分子半导体材料研究的大门。虽然经过多年研究,研究人员对有机自旋小分子半导体材料和器件的理解逐渐加深。但还有很多问题亟待解决,例如,失效层问题,室温磁电阻效应,过渡金属掺杂有机小分子的结构等。因此,本论文针对有机自旋小分子半导体材料与器件制备及特性研究,主要研究内容和结论如下：1. LSMO/Alq3/Co有机自旋阀中的正磁电阻研究首先我们采用热蒸发法制备了LSMO/Alq3/Co结构自旋阀,在低温100 K时观察到正12%的磁电阻效应。出现的正磁阻效应是指低阻态出现在两个铁磁电极磁化方向平行时,高阻态出现在两个铁磁电极磁化方向反平行时。在LSMO/Alq3/Co结构的有机自旋阀中观察到的正负磁电阻效应来源于对应Co的不同电子自旋态分布,这个自旋态分布与有机层厚度、有机/Co界面、Co晶格结构和杂质等因素相关。2.有机自旋阀的失效层研究采用原子力显微镜和卢瑟福背散射方法研究了有机自旋阀的起因。原子力显微镜的研究结果表明LSMO薄膜的突起和Alq3薄膜中自生长的针孔是导致器件短路的主要原因。我们还发现LSMO薄膜的表面起伏对随后生长的薄膜、LSMO/Alq3界面和Alq3/Co的界面有很大影响。此外,还发现厚度为1-4 nm的Alq3薄膜是可以作为有机隧道自旋阀的势垒层,前提是小的工作区域和绝缘层的加入。卢瑟福背散射的研究结果表明顶铁磁电极Co只注入距离有机层表面约20 nm的深度。3. LSMO/Alq3-Co/Co有机自旋电子器件中自旋输运研究在LSMO/Alq3-Co/Co有机自旋电子器件中,我们发现磁阻随着温度变化发生信号反转。大小约为10%的负磁电阻在10K低温下被观察到。随着温度升高,磁电阻经历符号改变。在室温,一个正9.7%磁阻被观察到,这个正磁阻随着外磁场单调变化。而在没有铁磁电极的Alq3-Co的复合物中只观察到约0.1%的室温磁阻。室温磁阻的增强是因为有自旋极化的载流子注入到Alq3-Co的纳米复合层中。4.Co掺杂Alq3薄膜的结构研究采用同步辐射表面掠入射X射线超精细结构（GIXAFS）和傅里叶红外吸收谱（FTIR）方法研究了过渡金属Co掺杂Alq3薄膜的结构特性。掠入射X射线超精细结构研究表明存在多价态Co-Alq3复合物,并且掺杂的Co原子倾向于定位在N和O原子中心位置,并与N和O原子成键。傅里叶红外吸收谱研究表明掺杂的Co原子和neridianal型Alq3相互反应,而不是形成无机化合物。5.8-羟基喹啉铁（Feq3）的磁性和光学性质研究采用实验和理论方法研究了Feq3的结构、磁学特性和光致发光特性。与没有磁性并发黄绿光的Alq3薄膜相比,Feq3薄膜在5 K的低温下显示顺磁行为,室温发射波长为392 nm的紫光。第一性原理计算表明Feq3分子的自旋态密度在费米能级处多数自旋和少数自旋发生劈裂。Feq3的总磁距约为1μB,主要来源于Fe的3d局域态,另有一小部分来源于Fe原子周围的非金属原子（C、N和O）。铁磁态和反铁磁态的能量差非常小约为1-2 meV,这与实验上观察到的顺磁行为相对应。

论文目录

• 目录
• CONTENTS
• 摘要
• ABSTRACT
• 符号说明
• 第一章 绪论
• 1.1 自旋电子学
• 1.1.1 自旋电子学简介
• 1.1.2 自旋输运基本原理
• 1.2 有机自旋电子学
• 1.2.1 有机小分子半导体
• 1.2.2 过渡金属掺杂有机小分子的磁性
• 1.2.3 有机自旋电子器件的研究进展
• 1.3 拟展开的研究内容
• 参考文献
• 第二章 样品制备测试技术及理论计算方法
• 2.1 实验材料准备
• 2.1.1 铁磁电极
• 2.1.2 有机半导体材料
• 2.2 薄膜生长设备
• 2.2.1 真空热蒸发镀膜
• 2.2.2 薄膜厚度监控
• 2.3 测试方法
• 2.3.1 表面形貌的观察
• 2.3.2 结构和成分的测试分析
• 2.3.3 差热分析方法
• 2.3.4 磁性测量
• 2.3.5 磁场下电输运测量
• 2.4 第一性原理计算和密度泛函理论的基本概念
• 2.4.1 绝热近似
• 2.4.2 Hartree-Fock近似
• 2.4.3 Hohenberg-Kohn定理
• 2.4.4 Kohn-Sham定理
• 2.4.5 基于密度泛函的程序包VASP简介
• 参考文献
• 3Co有机自旋阀中正磁阻效应'>第三章 LSMO/Alq₃Co有机自旋阀中正磁阻效应
• 3.1 引言
• 3.2 实验方法
• 3.3 实验结果和分析
• 3.4 小结
• 参考文献
• 第四章 有机自旋阀中失效层起因研究
• 4.1 引言
• 4.2 实验方法
• 4.3 结果和讨论
• 4.3.1 原子力显微镜分析
• 4.3.2 卢瑟福背散射分析
• 4.3.3 电学特性分析
• 4.3.4 工作区域大小分析
• 4.4 小结
• 参考文献
• 3-Co/Co有机自旋电子器件中磁电阻效应'>第五章 LSMO/Alq₃-Co/Co有机自旋电子器件中磁电阻效应
• 5.1 引言
• 5.2 实验方法
• 5.3 结果和分析
• 5.4 小结
• 参考文献
• 第六章 钴掺杂8-羟基喹啉铝结构研究
• 6.1 引言
• 6.2 实验方法
• 6.3 结果和讨论
• 6.3.1 差热分析
• 6.3.2 X射线超精细结构分析
• 6.3.3 傅里叶红外吸收谱分析
• 6.4 小结
• 参考文献
• 第七章 8-羟基喹啉铁薄膜磁性和光致发光效应研究
• 7.1 引言
• 7.2 实验和计算方法
• 7.3 结果和讨论
• 7.3.1 实验结果
• 3分子计算分析'>7.3.2 孤立Feq₃分子计算分析
• 7.3.3 单斜晶胞计算分析
• 7.3.4 磁相互作用分析
• 7.3.5 光致发光谱分析
• 7.4 小结
• 参考文献
• 第八章 总结
• 8.1 主要结论
• 8.2 主要创新点
• 附图、表目录及说明
• 攻读博士学位期间发表的论文和申请专利目录
• 致谢
• 附录: 发表英文论文
• 学位论文评阅及答辩情况表