SiC-C涂层阻氢性能的研究

SiC-C涂层阻氢性能的研究

论文摘要

SiC具有优良的抗辐射性能和高的热传导性,氢及其同位素在SiC中的扩散系数比在金属中低的多,因而具有很好的阻氢效果,适合作容器内壁的阻氢涂层材料。虽然国内外众多科研机构在SiC涂层阻氢机理方面做了大量的研究工作,但是,对于实际应用中的工艺改进却少有论述。本工作对不同工艺离子束混合制备的SiC-C涂层,研究SiC-C涂层阻氢性能及其影响因素,为SiC-C涂层实际应用提供依据。对离子束混合沉积技术(ion beam mixing)在不锈钢和碳钢基体上沉积SiC-C涂层进行加热去氩处理(200℃/30min,400℃/30min),研究涂层加热去氩处理对辐照氢离子分布的影响。部分氢离子辐照样品进行后加热处理(300℃/20min、600℃/20min、900℃/20min),研究氢在SiC-C涂层中的热稳定性。红外光谱研究氢离子辐照SiC-C涂层的微观结构;二次离子质谱仪(SIMS)研究涂层元素的深度分布及其原子团状态;扫描电镜(SEM)观察涂层表面形貌。由此,研究不同工艺条件下制备的涂层的阻氢性能,研究氢元素在SiC-C涂层中的热稳定性和不同基团的热稳定性。结果表明:(1)对SiC-C涂层热稳定性研究表明,加热至300℃,SiC-C涂层中的氢含量下降不多,说明绝大多数氢仍稳定在SiC-C涂层中;温度升高至600℃时,涂层中的氢含量已有明显下降;900℃时,氢已不在SiC-C涂层中,说明此时的涂层已失去了阻氢能力。(2)离子束混合沉积的SiC-C涂层进行不同温度的加热去氩处理使更多的氢被束缚在涂层中。从而有效提高涂层的阻氢性能。(3)Cu元素的加入在SiC-C涂层和基体之间起到了一个过渡的作用,提高了涂层与基体的结合强度。

论文目录

  • 中文摘要
  • 英文摘要
  • 1 引言
  • 1.1 论文研究的目的和意义
  • 1.2 氢裂的控制
  • 1.3 常见的阻氢涂层
  • 2 氢在材料中的性质
  • 2.1 气体氢的吸附
  • 2.2 氢在金属中的存在形式
  • 2.3 氢原子的应变场
  • 2.4 氢陷阱
  • 2.5 金属中的氢陷阱
  • 2.6 氢的扩散和迁移
  • 3 SiC-C涂层的制备
  • 3.1 涂层制备技术原理及简介
  • 3.2 SiC的结构及性质
  • 3.3 SiC-C涂层的制备
  • 4 实验数据分析
  • 4.1 分析测试技术介绍
  • 4.2 实验数据分析
  • 4.3 结论
  • 参考文献
  • 作者在读期间科研成果简介
  • 致谢
  • 相关论文文献

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