论文摘要
本文首先对脊型半导体激光器的发展和应用进行了综述,其次对脊型半导体激光器的发光原理、材料、结构进行了理论分析,进而对脊型半导体激光器进行了优化设计。在对光刻原理进行研究分析的基础上,分别采用了干法和湿法腐蚀工艺,对腔长为1000μm、条宽为10μm的激光器芯片进行腐蚀。实验发现：干法腐蚀的芯片垂直性好,但表面粗糙；湿法腐蚀的芯片表面光滑,但垂直性不好。我们对设计并制作的脊型半导体激光器进行了数据测试,得到的结果如下：干法腐蚀制作的脊型半导体激光器的远场水平发散角为9°,垂直发散角为28°,P-I特性曲线是线性的；湿法腐蚀制作的脊型半导体激光器的远场水平发散角为10°,垂直发散角为30°,P-I特性曲线在120mA以后出现向下弯曲现象。我们得出如下结论：干法腐蚀制作的脊型半导体激光器比湿法腐蚀制作的脊型半导体激光器性能更优越。
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