强激光场中双原子分子的高次谐波产生

论文摘要

近年来,原子或者分子在强激光场中的高次谐波产生是一个广为研究的主题。这是因为高次谐波具有广阔的应用前景。首先,利用高次谐波人们可以获得相干的、脉冲持续时间短的XUV和X射线源。其次,高次谐波是人们实现阿秒相干脉冲的首选光源。第三,利用高次谐波可以实现分子的轨道成像。第四,高次谐波的研究对强场物理的研究有着强大的推动作用。目前实验和理论的研究主要集中在分子的高次谐波产生。因为分子具有更多的自由度和多中心特征,分子的高次谐波谱展示了比原子更复杂的结构,研究分子在强场中的动力学行为理论上也遇到了更多的困难。本文研究强激光场中双原子分子的高次谐波产生。通过解析分析和数值计算,本文深入细致的研究了强场中双原子分子高次谐波产生的机制,发展了理论模型,并对新奇的实验现象进行了解释。在第二章,我们发展了一个解析的模型来描述双原子分子的高次谐波产生。这个模型强调了电荷共振态对于大的核间距的分子高次谐波产生的重要影响,而且通过考虑两能级近似中忽略的连续态的贡献,它有能力描述大的核间距的分子的谐波谱的双平台结构:一个由于电荷共振形成的分子平台;一个由于束缚态-连续态跃迁形成的原子平台。理论计算结果与数值的计算结果展示了好的一致。我们的理论还明确了电荷共振态在形成分子的高次谐波谱的精细结构中的重要作用。并且显示通过调节分子的核间距,可以有效的控制谐波释放。在第三章,我们利用第二章的解析模型,研究大的核间距的双原子分子的高次谐波产生。我们发现大的核间距的双原子分子的谐波谱的平台区域显示了峰-谷结构。这些显著的的结构的位置对场强非常敏感。我们的分析揭示两中心干涉以及不同的电子轨道之间的干涉共同导致了某些波段的谐波被增强,某些波段的谐波被抑制,而且激光参数,例如强度,对这些干涉效应的影响非常大。在第四章,基于第三章对分子高次谐波产生机制的研究,我们研究利用分子的高次谐波实现分子的轨道成像。我们的研究显示,由于两中心干涉,高次谐波产生过程中的分子的再碰撞电子波包与分子电离时的最高占据的轨道和轨道的电离能密切相关。作为一个结果,分子的再碰撞电子波包的谱振幅可能和它的参考原子的再碰撞电子波包的谱振幅在某些能量区域显示很大的差别。这个发现意味着关于N2分子的轨道成像实验[Nature 432,867（2004）]可能无法推广到另外的分子,例如CO2。在第五章,基于第四章阐述的分子轨道成像实验的局限性,我们研究如何通过另外的方式从分子的高次谐波谱读取分子的结构信息。在这一章,我们数值地和解析地调查H2+在不同的核间距和激光强度下高次谐波谱产生的取向依赖。我们的计算显示不同取向的谐波谱在平台区域有明显的交叉点,而且这些交叉点的位置对激光强度有较弱的依赖。对这些交叉点的分析显示两中心干涉在高次谐波产生的电离和再结合过程中具有重要作用。我们展示在一个超快的时域内,可以利用这些交叉点读取分子的结构信息。在第六章,基于第二章和第五章对简单的分子H2+的研究,我们研究复杂的分子的高次谐波产生。在这一章,利用一个考虑平移不变性的强场近似模型,我们研究了O2和CO2分子高次谐波产生的取向依赖。计算显示对于O2,谐波产量在θ=50°的时候最强（θ是分子轴与外场之间的夹角）;对于CO2,在θ=50°和θ=60°的时候,低阶和高阶的谐波产量分别达到了最大。计算还显示,这两个分子的电离产量在θ=45°的时候达到了最大。关于CO2的计算结果与目前的理论预测（θ=30°时谐波产量最强）存在较大的差别。我们发现两中心干涉和分子的价轨道在电离过程中的相互作用是导致CO2分子的高次谐波这种不同寻常的取向依赖的重要原因。特别地,由于这种相互作用,谐波谱不同取向时的最先的交叉点包含了丰富的分子的轨道信息。在第七章,基于第六章的研究,我们详细的研究高次谐波产生的电离过程。在这一章,考虑强场近似的平移不变性,我们引入了修正的分子的强场近似（MM-SFA）。我们的模型适用于中性的双原子分子和双原子分子的离子。利用这个模型,我们研究了H2+,O2和CO2分子在强场中的电离对取向的依赖。我们把我们的结果和通过标准的分子的强场近似（SM-SFA）,分子的隧穿电离理论（MO-ADK）得到的结果进行了比较。MM-SFA得到的结果和数值模拟以及实验测量得到的结果符合得更好。MM-SFA还预测了当分子轴与外场的夹角是45°时,CO2分子的电离率最大。这一结果意味着当CO2分子的取向偏离了价轨道电子云最密集的轴的方向时,它的电离最强。这一结果是反直觉的,已经被目前的实验测量[Phys.Rev.Lett 98,243001（2007）]所证实。我们的分析显示导致这个新奇现象发生的是由于电离过程中的两中心干涉效应。以上各章节的研究,给出了分子高次谐波产生的半经典图像。在第八章,我们研究分子高次谐波产生的完整的量子机制。通过数值地模拟高次谐波产生的再碰撞过程,我们展示了一个谐波释放的完整的量子图像。这个模拟精确地包含了库伦效应,基态衰减,以及更高的束缚态对高次谐波产生的贡献。它揭示了带着一个宽的范围的能量的再结合电子都对释放某一阶谐波具有重要的贡献,这与半经典的图像是不同的。另外,基于这个模拟,我们提出了分子的高次谐波产生过程中的两中心干涉现象的完整的量子机制,并且明确了第一激发态在这个过程中的重要作用。

论文目录

• 摘要
• Abstract
• 第一章 绪论
• §1.1 强场物理的背景
• §1.2 强场物理中的高次谐波辐射的产生
• §1.2.1 高次谐波辐射研究的重大意义
• §1.2.2 高次谐波辐射实验研究的进展
• §1.2.3 高次谐波辐射理论研究的进展
• §1.2.4 高次谐波辐射研究目前遇到的困难
• 第二章 双原子分子高次谐波产生过程中的电荷共振效应
• §2.1 引言
• §2.2 解析理论
• 1—E₀）/ω（?）1'>§2.2.1 中等大小的核间距R和（E₁—E₀）/ω（?）1
• 1—E₀）/ω（?）0'>§2.2.2 大的核间距R和（E₁—E₀）/ω（?）0
• §2.3 数值的结果
• §2.3.1 两能级模型在计算谐波谱时的缺陷
• §2.3.2 我们的模型计算得到的谐波谱
• §2.3.3 初始条件和核间距的影响
• §2.3.4 大的核间距R时的Cutoff规则
• §2.4 结论
• 第三章 大的核间距的分子的高次谐波产生:两中心干涉效应
• §3.1 引言
• §3.2 解析的理论和数值的结果
• §3.3 结论
• 第四章 利用高次谐波实现分子的轨道成像
• §4.1 引言
• §4.2 数值计算的方法和数值结果分析
• §4.3 结论
• 第五章 利用不同取向分子谐波谱的交叉点读取分子的信息
• §5.1 引言
• §5.2 解析理论和数值的结果
• §5.3 结论
• 第六章 分子高次谐波产生的取向依赖:两中心干涉和分子轨道的影响
• §6.1 引言
• §6.2 解析理论
• §6.3 数值结果
• §6.4 结论
• 第七章 双原子分子高次谐波产生中的电离过程的研究
• §7.1 引言
• §7.2 解析理论
• §7.3 数值结果
• §7.3.1 MM-SFA和SM-SFA在小R时的比较
• §7.3.2 G-SFA和SM-SFA在小R时的比较
• §7.3.3 MM-SFA和SM-SFA在大R时的比较
• §7.3.4 MM-SFA和G-SFA对沿着场方向的电离概率的预测的比较
• §7.4 结论
• 第八章 高次谐波产生的完整量子图像
• §8.1 引言
• §8.2 数值的方法
• §8.3 数值的结果和分析
• §8.4 结论
• 第九章 总结和展望
• §9.1 本论文工作的主要结论
• §9.2 后续工作的安排
• 附录
• 1-E₀）/ω（?）1'>§.1（E₁-E₀）/ω（?）1
• 1-E₀）/ω（?）0'>§.2（E₁-E₀）/ω（?）0
• 参考文献
• 发表文章目录
• 致谢