论文摘要
MEMS是微机电系统的简称,是多种学科交叉融合的前沿高技术,是未来的主导产业之一,将对21世纪人类的科学技术、生产方式和生活方式产生深远的影响。MEMS标准工艺的研究对于MEMG器件的制造有着重要的意义。MEMS标准工艺主要由工艺流程以及版图设计规则两部分组成。本论文基于硅基微细加工技术,按照硅基MEMS微型传感器的器件结构,利用现有设备条件,对表面牺牲层MEMS工艺以及体硅MEMS工艺中部分关键技术进行工艺摸索。主要开展了以下几方面的工作:1、初步探索了表面牺牲层MEMS工艺中对在聚酰亚胺牺牲层薄膜上淀积结构层的应力及应力梯度控制。通过一系列对比试验验证了聚酰亚胺薄膜对于温度的不稳定性,为在聚酰亚胺薄膜上淀积低应力结构层提供了工艺的优化方向。2、主要研究了MEMS体硅工艺的核心—深硅刻蚀工艺,优化了深硅刻蚀工艺条件,得到了较好的工艺结果(几乎垂直的侧壁陡直度,小于200nm的侧壁粗糙度以及切底)。在此基础上初步优化设计了一套硅基MEMS体微细加工标准工艺流程,并已成功用于研发MEMS惯性器件,为高效率制造出高性能的MEMS器件提供了技术支持。
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标签：标准工艺论文; 微细加工技术论文; 设计规则论文; 深硅刻蚀论文; 聚酰亚胺牺牲层论文; 应力及应力梯度控制论文;