论文摘要
n-GaAs是一种典型的半导体材料,广泛地应用于探测器和耿氏效应管等方面,于是n-GaAs的混沌研究对相关器件的制备和应用具有理论指导作用。本文首先简述了混沌的基本知识及混沌控制的主要方法、GaAs的能带结构及载流子输运特性。然后,对于直流和交流共同偏置的n-GaAs,利用其动力学方程,通过分岔图、李指数、吸引子和时间序列等表征方法数值研究了其混沌特性,分析了这个n-GaAs系统进入混沌的方式及不同参数区间内该系统的动力学行为（周期的或混沌的）,最后对n-GaAs系统的混沌状态进行控制,使该系统进入稳定的周期状态,并对其控制结果给出了理论分析。
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