锌基半导体纳米材料的控制生长与改性研究

锌基半导体纳米材料的控制生长与改性研究

论文摘要

纳米材料形貌和性能的可控成为新阶段研究的主旋律。本文以ZnO和ZnS纳米材料为研究对象,发展了简便、节能、快速、易于大规模化生产的燃烧法来制备镁或镉掺杂的氧化锌纳米材料,并通过掺杂离子的引入来控制ZnO材料的生长和调节其光学性能。主要成果如下:1、通过低温燃烧的方法来制备(ZnCd)O,发现Cd在原材料中的加入能够影响产物的形貌,主要生成半卷曲的带状产物。Cd的溶入能够使晶格发生一定程度的畸变而使得E2high非极性拉曼模式蓝移。5%的Cd掺杂样品600℃退火后由于固溶Cd浓度较高,从而形成一个更深的能级而发出大约600nm的橙红色发射。1000℃退火后,由于Cd的脱溶析出而生成立方CdO相,而使得得带边发射变成双峰发射,可见光区变成与CdO有关的525nm发射占统治地位。无论Cd的含量及退火温度的变化,其带边发光峰没有出现特别明显的红移,这为其以后进一步在紫外发光二极管,紫外激光器方面的应用研究打下基础。2、通过低温燃烧的方法来制备(ZnMg)O,发现随着Mg在原材料中的加入能够形成卷曲的片状产物。Mg含量较高时会生成宽带隙的Zn掺杂的MgO包裹在Mg掺杂的ZnO外面,而使得发射大大增强。由于带隙紫外发射与绿色发射比例随激发强度的增加而增加,意味着与缺陷有关的绿色发射可能来自近带边的浅施主能级到带双电荷的氧空位跃迁。另外Mg掺杂能够使ZnO带隙发射峰明显的蓝移,特别是高Mg含量时,不仅能调节带隙,而且更能形成量子限域效应而使得带边发射增强。3、采用简单的无催化剂热蒸发的方法,在水平管式炉中成功地合成二氧化硅均匀包裹硫化锌纳米球结构。通过TEM发现其芯部主要为空心结构,且芯部还存在没被完全还原分解掉的ZnS纳米颗粒或纳米棒,从而导致样品存在460nm的ZnS缺陷光发射。而且这种非晶结构里含有大量的单质微晶硅,从而导致很强的橙红色发射。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 第1章 绪论
  • 1.1 引言
  • 1.2 氧化锌
  • 1.2.1 基本物理性质
  • 1.2.2 氧化锌的发光机制
  • 1.2.3 氧化锌的研究现状
  • 1.3 硫化锌
  • 1.3.1 基本物理性质
  • 1.3.2 硫化锌的研究进展
  • 1.4 半导体纳米材料制备方法
  • 1.4.1 热蒸发法
  • 1.4.2 水热和溶剂热法
  • 1.4.3 溶胶凝胶法
  • 1.4.4 燃烧法
  • 1.5 本文研究内容
  • 第2章 燃烧法制备Cd掺杂的半卷曲状ZnO微米带
  • 2.1 引言
  • 2.2 实验部分
  • 2.2.1 实验原理
  • 2.2.2 试剂
  • 2.2.3 试验制备过程
  • 2.2.4 样品检测
  • 2.3 结果与讨论
  • 2.3.1 X射线衍射分析
  • 2.3.2 形貌表征
  • 2.3.3 样品的能谱分析
  • 2.3.4 样品的Raman散射光谱图分析
  • 2.3.5 样品的光致发光图谱分析
  • 2.4 本章小结
  • 第3章 燃烧法制备Mg掺杂的卷曲状ZnO微米片
  • 3.1 引言
  • 3.2 实验部分
  • 3.2.1 实验原理
  • 3.2.2 试剂
  • 3.2.3 试验制备过程
  • 3.2.4 样品检测
  • 3.3 结果与讨论
  • 3.3.1 X射线衍射分析
  • 3.3.2 SEM测试及形貌分析
  • 3.3.3 EDS测试分析
  • 3.3.4 拉曼光谱分析
  • 3.3.5 光致发光谱分析
  • 3.4 本章小结
  • 2包裹ZnS纳米球的结构与光学性质'>第4章 SiO2包裹ZnS纳米球的结构与光学性质
  • 4.1 引言
  • 4.2 实验部分
  • 4.2.1 制备过程
  • 4.2.2 样品检测
  • 4.3 结果与分析
  • 4.3.1 X射线衍射分析
  • 4.3.2 形貌与微结构分析
  • 4.3.3 傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析
  • 4.3.4 光致发光谱分析
  • 4.3.5 生长机制
  • 4.4 本章小结
  • 第5章 结论
  • 致谢
  • 参考文献
  • 攻读学位期间的研究成果
  • 相关论文文献

    标签:;  ;  ;  ;  

    锌基半导体纳米材料的控制生长与改性研究
    下载Doc文档

    猜你喜欢