论文摘要
激光器在医疗领域的应用日渐普及。对脉宽的精确控制,这是现代激光治疗安全性的根本保证。近年来脉冲持续时间已可以缩短至纳秒级,这与调Q开关技术的发展是密不可分的。DKDP晶体作为调Q器件,利用的是它的纵向电光效应,其半波电压不可调。从晶体特性的理论上讲,晶体长度的大小并不影响它调Q开关功能,但在实际的应用中,当晶体长度小于一定数值时,它就不能作为很好的调Q器件,因此,要先从晶体内电场情况来分析、找出原因,并以此给出晶体作为调Q开关的临界长度。该临界长度要既能精确控制脉冲宽度,消除电光开关内反向电场影响,又能节省材料、降低成本。然后,在DKDP晶体特性实验中测一下半波电压、消光比以及锥光干涉的清晰度会不会随着晶体长度的变化而变化,如果变化,又是怎样的趋势。最后,把不同长度的DKDP晶体放在YAG激光器腔内,求动静比,找出它失去调Q开关作用时的长度,与前面理论给出的长度对比,给出分析结果。基于此,本课题组做了大量工作并取得了一定进展,本论文的主要内容和结果如下:通过改进调制晶体两端电极的安装位置,可以有效地提高调Q器件的电光性能。
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