导读:本文包含了方块电阻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:方块电阻,均匀性,电性能参数,太阳电池
方块电阻论文文献综述
杨爱静,李跃恒,陈璐,高艳飞[1]（2018）在《扩散轻掺杂方块电阻的均匀性研究》一文中研究指出本文通过研究了选择性发射极电池的工艺原理,不同设备制备的高方阻硅片的片内均匀性,并且在均匀性对电性能的影响。扩散方块电阻的均匀性对太阳电池的电性能至关重要,不仅影响到电池的转换效率,还影响到电池效率的分布,为解决轻掺杂区方块电阻的均匀性这个难点,需要使用低压扩散设备,对扩散时间,气体流量和工艺压力进行调节,然后进行工艺制作,会得到均匀性较好电性能的电池片。(本文来源于《电子世界》期刊2018年21期）
范少峰[2]（2018）在《在线镀膜玻璃方块电阻调整》一文中研究指出镀膜器插入锡槽窄段,利用化学气相沉积法在热的玻璃表面依次沉积上颜色抑制层、钠离子阻挡层和功能膜层,其中功能膜层为氟掺杂二氧化锡膜层。通过调整功能膜的膜层厚度、调整功能膜层F的掺杂量及改变膜层结构可以实现对大部分镀膜玻璃产品电阻控制的要求。生产中还可以利用现有锡槽设备及电阻测量工具监控镀膜玻璃电阻情况,并实时进行调整。(本文来源于《玻璃》期刊2018年09期）
叶鸣,王露,张松昌,冯鹏,贺永宁[3]（2018）在《导电薄膜方块电阻无损检测的微带传输线法》一文中研究指出针对纳米导电薄膜的方块电阻检测问题,提出了基于微带传输线的无损检测方法。通过引入空气缝隙,将待测导电薄膜及其衬底插入微带线横截面内,进而测量微波信号的插损来获得待测薄膜的导电特性。采用电磁仿真软件和实验测试对该方法进行了验证,结果表明:待测薄膜的方块电阻越大,对应的信号插损越小,从而初步证明了所提方法的可行性。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)》期刊2018-05-06）
马新宇,陈茜,廖杨芳,肖清泉,陈庆[4]（2017）在《原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构及方块电阻的影响》一文中研究指出采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg_2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400~600℃退火温度下制备出一系列Mg_2Si薄膜样品.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg_2Si薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,利用四探针测试仪测试薄膜样品的方块电阻,讨论了原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响.结果表明,采用原位退火方式成功在钠钙玻璃衬底上制备出单一相的Mg_2Si薄膜,退火温度为550℃时,结晶度最好,连续性和致密性最强,方块电阻最小.这对后续Mg_2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.(本文来源于《低温物理学报》期刊2017年05期）
王露,叶鸣,赵小龙,贺永宁[5]（2017）在《基于微波透射法的金属薄膜方块电阻测量理论及其应用》一文中研究指出依据矩形波导基模的场分布表达式和电磁边界条件,解析推导了插入金属薄膜后的矩形波导透射系数,建立了考虑介质衬底影响的金属纳米薄膜微波透射系数仿真计算方法及其方块电阻的微波测量方法.运用全波电磁仿真方法对金属纳米薄膜方块电阻的微波测量装置进行了仿真验证,结果表明透射系数幅度与方块电阻的对数之间呈线性关系.采用磁控溅射工艺分别在高阻硅和玻璃两种介质衬底表面制备了不同方块电阻值的银薄膜,并测量其微波透射系数.实测结果表明,提出的方法适用于方块电阻阻值为0.05—0.5?/square的金属薄膜.研究结果对于微纳制造领域的导电薄膜方块电阻表征具有参考价值.(本文来源于《物理学报》期刊2017年20期）
郭守君,王酣,赵飞[6]（2016）在《硅片方块电阻计量标准装置研制》一文中研究指出对测量方块电阻的双配置四探针法进行了研究,从理论上分析了该方法的优点:测量结果与探针间距无关,可使用不等间距探针头,具有自动修正边界影响的功能,不必寻找修正因子,论述了RS大小样片及边界附近的测试原理,给出了RS的计算公式。研制了基于双配置四探针法的硅片方块电阻计量标准装置,论述了该装置的软硬件设计,为校准硅片方块电阻标准样片提供了技术手段。解决了硅片方块电阻参数的量值传递问题。(本文来源于《国外电子测量技术》期刊2016年10期）
林杰斯[7]（2016）在《基于四探针技术的新型方块电阻测试仪设计》一文中研究指出半导体产业是现代信息产业的基础,晶圆掺杂的均匀性直接关系到信息产业尤其是集成电路的质量。而方块电阻是表征晶圆掺杂均匀性的重要而又直接的参数,是衡量半导体生产工艺的重要指标之一。目前,国际上测试硅晶圆方块电阻的方法主要是四探针测试技术,且其智能化、自动化、集成化程度高,但国内四探针测试仪普遍存在测试速度慢,自动化程度低,无法准确定位等不足,与国外差距较大。基于此,本论文致力于设计一款自动化和集成化程度较高的、基于四探针技术的新型方块电阻测试仪。本系统设计基于经典的四探针技术,使用带细分控制的步进电机驱动载片台水平方向精确运动,采用直线电机和配重方式控制探头垂直方向运动,以在晶圆上精确定位测点;控制方面,以STM32单片机为核心,设计具有友好人机界面的触摸屏实现对测点定位、测试量程自动匹配、自动测试和数据处理,最终以多种形式输出结果、测量单元中,恒流源使用精密运放,配合具有20位模数转换的电压测量电路和以负反馈方式实现电流的稳定输出;同时,为实现装置的产品化,设计专用电源电路和保护电路。通过调试和实际测量,系统达到预期目标:能完成对2英寸~8英寸晶圆多至49点的方块电阻自动布点测试;方块电阻测量范围:20?/sq~20k?/sq,重复性精度达±2%;测试速度达到?5.02 s/point;本系统较好实现四探针测试仪的自动化和集成化,在一定程度上弥补国内方块电阻测试仪的不足,有较大的应用价值。(本文来源于《华南农业大学》期刊2016-06-01）
杨云良,廖杨芳,姚震震,肖清泉,张宝晖[8]（2015）在《Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响。结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si(220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si(220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度。最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响。(本文来源于《半导体技术》期刊2015年07期）
陈峰,任罗伟,陈恒江,谢立利[9]（2014）在《多晶高阻长度对多晶电阻方块值的影响》一文中研究指出在集成电路中光刻、腐蚀、横向扩散等工艺步骤常会引起电阻阻值的变化,因此在集成电路版图绘制过程中,版图画法对电阻的影响很大。在集成电路设计过程中电阻通常都设计得比较长,容易忽略电阻长度对阻值的影响。当需要将电阻长度设计得较小时,势必要考虑电阻长度对集成电路阻值的影响。在一些不同的工艺中,电阻变短时电阻长度对阻值的影响趋势很可能相反。对比不同工艺中多晶电阻制造的原理,通过流片取得一家工艺厂实际电阻的阻值,分析并比较与其类似的工艺,同时对比另一家工艺厂电阻阻值随长度变化的影响,给出区分多晶电阻长度对阻值影响的判别依据。(本文来源于《电子与封装》期刊2014年12期）
何秉元[10]（2014）在《钨化学气相淀积工艺方块电阻均匀性的研究》一文中研究指出钨化学气相淀积因为其在接触孔/通孔填充中出色的台阶覆盖能力而在半导体工业中被广泛应用,在量产中经常会出现监控片的方块电阻均匀性超规格。本文主要研究了加热器、气体输送、氟化铝、机械传片定位、真空微漏等因素对方块电阻均匀性的影响,特别周期性等离子清洗产生的氟化铝对晶圆边缘的抑制反应是影响腔体维护频率的主要原因,并提出改善均匀性的有效办法。(本文来源于《中国集成电路》期刊2014年11期）
方块电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
镀膜器插入锡槽窄段,利用化学气相沉积法在热的玻璃表面依次沉积上颜色抑制层、钠离子阻挡层和功能膜层,其中功能膜层为氟掺杂二氧化锡膜层。通过调整功能膜的膜层厚度、调整功能膜层F的掺杂量及改变膜层结构可以实现对大部分镀膜玻璃产品电阻控制的要求。生产中还可以利用现有锡槽设备及电阻测量工具监控镀膜玻璃电阻情况,并实时进行调整。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
方块电阻论文参考文献
[1].杨爱静,李跃恒,陈璐,高艳飞.扩散轻掺杂方块电阻的均匀性研究[J].电子世界.2018
[2].范少峰.在线镀膜玻璃方块电阻调整[J].玻璃.2018
[3].叶鸣,王露,张松昌,冯鹏,贺永宁.导电薄膜方块电阻无损检测的微带传输线法[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(上册).2018
[4].马新宇,陈茜,廖杨芳,肖清泉,陈庆.原位退火温度对Mg_2Si薄膜结构及方块电阻的影响[J].低温物理学报.2017
[5].王露,叶鸣,赵小龙,贺永宁.基于微波透射法的金属薄膜方块电阻测量理论及其应用[J].物理学报.2017
[6].郭守君,王酣,赵飞.硅片方块电阻计量标准装置研制[J].国外电子测量技术.2016
[7].林杰斯.基于四探针技术的新型方块电阻测试仪设计[D].华南农业大学.2016
[8].杨云良,廖杨芳,姚震震,肖清泉,张宝晖.Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响[J].半导体技术.2015
[9].陈峰,任罗伟,陈恒江,谢立利.多晶高阻长度对多晶电阻方块值的影响[J].电子与封装.2014
[10].何秉元.钨化学气相淀积工艺方块电阻均匀性的研究[J].中国集成电路.2014