2°GaAs衬底生长高质量GaP外延层的研究

论文摘要

本论文主要讨论2°GaAs衬底如何生长高质量GaP外延层。研究了GaP在GaAs衬底上的MOCVD生长和性质表征,主要包括GaP作为电流扩展层存在的问题、GaP生长温度和高温高速等层的生长速率对GaP薄膜的表面形貌、生长模式和晶体质量的影响,GaP的光电性质以及与结构质量的关系。应用XRD测试摇摆曲线的半高宽,使用高倍显微镜观看晶体表面质量。并初步确定了GaAs上GaP在高温的情况下的生长模式。最终我们得到一定范围内生长温度越高,生长速率越慢,GaP表面质量越好的结论。通过细致分析GaP的XRD摇摆曲线半高宽和晶体表面质量,优化GaP外延层生长,为生长高质量的GaP外延层提供了依据。为今后生产亮度更高、质量更好、性能更优的LED打下坚实的基础。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 目录
• 第一章 绪论
• 1.1 引言
• 1.2 AIGaInP LED的发展和现状
• 1.3 黄绿光AIGaInP LED的结构和发光原理
• 1.4 GaP的基本性质
• 1.5 本论文工作安排
• 第二章 行星式MOCVD的系统
• 2.1 外延生长技术
• 2.2 行星式MOCVD的系统
• 2.3 行星式MOCVD的反应室
• 2.4 行星式MOCVD反应室的结构
• 2.5 MOCVD的金属有机化合物源
• 2.6 MOCVD的生长
• 2.7 本章小结
• 第三章 MOCVD生长GaP的研究
• 3.1 GaP作为电流扩展层
• 3.2 衬底材料的选择
• 3.3 GaAs衬底上的GaP生长
• 3.4 本章小结
• 第四章 实验及结论
• 4.1 温度对GaP生长的研究
• 4.2 低温低速GaP生长的研究
• 4.3 高温高速GaP生长的研究
• 4.4 2°GaAs衬底和15°GaAs衬底上的生长对比
• 4.5 本章小结
• 总结
• 致谢
• 参考文献