论文摘要
本文论述了ZnO的晶体结构和特性,低维ZnO材料制备方法及发展现状。采用平均粒径分别为200nm和20nm的ZnO粉末为原料,在不采用任何催化剂条件下通过控制合成温度和时间等工艺参数,分别采用915MHz和2450MHz微波加热法固相合成了一维棒状、多针状、一维六方柱状、六方微米管状ZnO材料,并研究了其合成工艺,通过XRD,SEM表征显示:线状、棒状、管状ZnO晶须都有较好的结晶度,线状和棒状ZnO晶须直径均匀,形貌规则。根据微波场加热的特点与ZnO晶体的极性生长特性,初步研究了不同形貌的ZnO晶须的生长过程,研究表明,晶须的生长机理为固-气生长:高温区的ZnO粉末蒸发成为ZnO气体,在低温区Zn蒸气和O2重新结合发生化学反应形成固相ZnO沉积在气—固界面形核长大,在不同的工艺条件下合成形貌不同的晶须(棒状、针状、柱状);当温度足够高时,氧空位集中点变成“蒸发源”,形成微米管。室温光致发光谱测试表明晶须具有一定的紫外发光性能,同时晶须中出现氧空位等缺陷。采用波导法,用Agilent N5230A型矢量网络分析仪对ZnO纳米粉、微米粉、棒状晶须的微波电磁性能进行了分析。结果显示:同ZnO纳米粉、微米粉相比,棒状ZnO晶须在11GHz左右具有更强的微波吸收特性。以Si(111)为基片,采用PLD方法以陶瓷ZnO靶在有氧的气氛下,通过正交实验法控制激光能量、基片温度、氧气分压、脉冲频率、沉积时间等工艺参数来研究ZnO薄膜生长的优化工艺,在150mJ脉冲能量、500℃基片温度、0.1Pa氧气压强、7Hz脉冲频率、60min沉积时间的PLD沉积工艺下获得的ZnO薄膜在379nm处出现了强的紫外带边发射峰,此时其XRD的(002)峰的半峰宽为0.275,具有高的薄膜质量。上述研究表明微波固相、PLD等外场制备方法能有效控制材料显微结构,其生产周期短、设备简单且能源消耗少、无污染,是一种适合当前社会发展需要的“绿色环保”的制备方法。
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