高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的研究

高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的研究

论文摘要

高功率980nm脊形量子阱半导体激光器作为光纤放大器的泵浦源,以及在通讯、军事和医疗等方面的广阔应用前景,成为目前产业化的热点和焦点而受到高度重视。本论文首先综述了高功率、高光束质量980nm半导体激光器(LD)的应用前景及发展概况,综合并分析了其主要研究内容及关键技术,进而对量子阱激光器进行了的优化设计,对980nm脊形量子阱LD材料的MBE生长进行了大量的实验,采用大光腔结构,成功地获得了最大斜率效率为0.89W/A。远场水平发散角为9°,垂直发散角为28°。高光束质量980nm脊形量子阱半导体激光器,器件在3μm条宽,750μm腔长时,25℃温度下,阈值电流为17mA,100mA电流下连续输出功率达到70mW。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 目录
  • 第一章 绪论
  • 1.1 高功率半导体激光器的研究进展
  • 1.2 980nm半导体激光器的发展
  • 1.3 本论文的主要工作
  • 第二章 980nm脊形量子阱半导体激光器的结构设计与理论分析
  • 2.1 980nm脊形量子阱半导体激光器外延结构设计的理论基础
  • 2.2 980nm脊形量子阱半导体激光器中的量子阱的设计
  • 2.3 980nm脊形量子阱半导体激光器结构优化设计
  • 第三章 高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的器件制备
  • 3.1 分子束外(MBE)技术简介
  • 3.2 高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的器件制备
  • 3.3 高功率980nm脊形量子阱半导体激光器制备后工艺流程
  • 3.4 器件特性及结论
  • 第四章 980nm脊形量子阱半导体激光器输出的研究
  • 4.1 980nm脊形量子阱半导体激光器的模场表达式
  • 4.2 980nm脊形量子阱半导体激光器的模场特点
  • 4.3 980nm脊形量子阱半导体激光器与光纤耦合
  • 总结
  • 致谢
  • 参考文献
  • 相关论文文献

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