导读:本文包含了多孔硅发光二极管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅衬底,多孔,残余应力,残余内应力
多孔硅发光二极管论文文献综述
邓冬梅,于乃森,王勇,邹新波,陈朋[1]（2010）在《Ⅲ族氮化物发光二极管在多孔硅上的生长》一文中研究指出目前在硅衬底上生长Ⅲ-N基器件受到了广泛关注。由于GaN异质结外延层和Si衬底之间存在明显晶格失陪和热失配,GaN层具有较大残余应力和很高的缺陷密度,这通常对器件性能造成显着影响。已有研究表明,在纳米量级尺度应用侧向外延技术可以提高Si上外延GaN的质量。但是由于工艺难(本文来源于《第十一届全国MOCVD学术会议论文集》期刊2010-01-13）
倪梦莹,李清山,李媛媛,王会新,曹小龙[2]（2004）在《多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究》一文中研究指出制备Al/多孔硅/c Si/Al结构的多孔硅发光二极管,利用其I V特性关系,以及在不同温度下其I V特性的变化,结合多孔硅的特殊微结构及性质,分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程;通过比较其发光猝灭前后I V特性的变化,解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合,是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。(本文来源于《液晶与显示》期刊2004年04期）
[3]（1998）在《多孔硅:从发光到发光二极管》一文中研究指出硅显微电子革命的核心所在。它比起其它半导体来，其优势完全依赖于其优良的材料和加工性能，以及围绕它发展起来的巨大技术基础。其它半导体不可能代替硅作为诸多电子应用中的所选材料。然而硅是一种效率特低的发光材料，为此，它在诸多光学应用中并不具有同等的优势。很久以(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊1998年02期）
杨国伟[4]（1994）在《多孔硅基发光二极管和光探测器》一文中研究指出本文评述了最新制备出的几种多孔硅（ＰＳ）基发光二极管和高灵敏度光探测器的制备、结构和性能，分析了在这些器件制备中所存在的一些问题，讨论了解决这些问题的可能途径。(本文来源于《半导体技术》期刊1994年02期）
杨国伟[5]（1993）在《多孔硅的电致发光和发光二极管》一文中研究指出本文较详细地描述了多孔硅的电致发光(EL),以及发光的量子限制效应的机制,并且讨论了目前已经制备出的几种多孔硅发光二级管:Ps/电解液型,Schot-tky-Like,PN结等二极管。最后,讨论了多孔硅作为半导体光电材料所存在的一些问题。(本文来源于《半导体光电》期刊1993年03期）
杨国伟[6]（1993）在《注入型多孔硅基发光二极管的研究进展》一文中研究指出主要评述了Schottky结和PN结多孔硅基发光二极管的结构和性能及其研究进展。讨论了器件界面态对其性能的影响。最后分析了目前器件研究中存在的亟需解决的问题以及解决方法。(本文来源于《半导体情报》期刊1993年06期）
多孔硅发光二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
制备Al/多孔硅/c Si/Al结构的多孔硅发光二极管,利用其I V特性关系,以及在不同温度下其I V特性的变化,结合多孔硅的特殊微结构及性质,分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程;通过比较其发光猝灭前后I V特性的变化,解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合,是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多孔硅发光二极管论文参考文献
[1].邓冬梅,于乃森,王勇,邹新波,陈朋.Ⅲ族氮化物发光二极管在多孔硅上的生长[C].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010
[2].倪梦莹,李清山,李媛媛,王会新,曹小龙.多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究[J].液晶与显示.2004
[3]..多孔硅:从发光到发光二极管[J].激光与光电子学进展.1998
[4].杨国伟.多孔硅基发光二极管和光探测器[J].半导体技术.1994
[5].杨国伟.多孔硅的电致发光和发光二极管[J].半导体光电.1993
[6].杨国伟.注入型多孔硅基发光二极管的研究进展[J].半导体情报.1993