本文主要研究内容
作者宋成,潘峰（2019）在《反铁磁薄膜材料与高密度信息存储》一文中研究指出：信息技术的进步要求存储器件朝超高密度、低功耗和高速度方向发展。反铁磁材料相比铁磁,由于其没有铁磁残余场、对磁场扰动不敏感和本征频率高等诸多优势,在超高密度信息存储和THz等领域有广阔的应用前景。实现反铁磁磁矩的有效操控和电学探测成为实现反铁磁存储技术信息写入与读出的关键。我们利用高性能铁电基片和具有自旋轨道力矩效应的反铁磁材料Mn2Au构造铁电/反铁磁异质结,成功实现电场调控反铁磁自旋轨道力矩效
Abstract
xin xi ji shu de jin bu yao qiu cun chu qi jian chao chao gao mi du 、di gong hao he gao su du fang xiang fa zhan 。fan tie ci cai liao xiang bi tie ci ,you yu ji mei you tie ci can yu chang 、dui ci chang rao dong bu min gan he ben zheng pin lv gao deng zhu duo you shi ,zai chao gao mi du xin xi cun chu he THzdeng ling yu you an kuo de ying yong qian jing 。shi xian fan tie ci ci ju de you xiao cao kong he dian xue tan ce cheng wei shi xian fan tie ci cun chu ji shu xin xi xie ru yu dou chu de guan jian 。wo men li yong gao xing neng tie dian ji pian he ju you zi xuan gui dao li ju xiao ying de fan tie ci cai liao Mn2Augou zao tie dian /fan tie ci yi zhi jie ,cheng gong shi xian dian chang diao kong fan tie ci zi xuan gui dao li ju xiao
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自TFC’19第十五届全国薄膜技术学术研讨会的宋成,潘峰，发表于刊物TFC’19第十五届全国薄膜技术学术研讨会2019-11-15论文，是一篇关于,TFC’19第十五届全国薄膜技术学术研讨会2019-11-15论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自TFC’19第十五届全国薄膜技术学术研讨会2019-11-15论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。