本文主要研究内容
作者王岩岩,王刘丽,王洁,周炜曜,张瑞英（2019）在《面向高效单结GaInP太阳电池的介质复合纳米结构的仿真研究》一文中研究指出：以实现宽谱减反介质复合纳米结构表面的高效单结GaInP太阳电池为目标,利用严格耦合波分析理论,仿真研究了该电池表面的介质复合纳米结构对太阳电池宽谱减反、归一化吸收、最大化理想效率的影响。该介质复合纳米结构从上往下依次为SiO2纳米锥、SiO2介质层和SiNx介质层,通过对SiO2纳米锥占空比、深宽比以及对SiO2和SiNx介质层厚度等参数的系列仿真最终优化出适用于单结GaInP电池的表面结构。结果表明:当SiO2纳米锥底部直径D=550 nm、高度H=650nm、SiNx介质层厚度为60 nm时电池具有最高的最大化理想转换效率为28.58%。上述结果为后期实验以及该类电池实现规模化生产奠定了基础。
Abstract
yi shi xian kuan pu jian fan jie zhi fu ge na mi jie gou biao mian de gao xiao chan jie GaInPtai yang dian chi wei mu biao ,li yong yan ge ou ge bo fen xi li lun ,fang zhen yan jiu le gai dian chi biao mian de jie zhi fu ge na mi jie gou dui tai yang dian chi kuan pu jian fan 、gui yi hua xi shou 、zui da hua li xiang xiao lv de ying xiang 。gai jie zhi fu ge na mi jie gou cong shang wang xia yi ci wei SiO2na mi zhui 、SiO2jie zhi ceng he SiNxjie zhi ceng ,tong guo dui SiO2na mi zhui zhan kong bi 、shen kuan bi yi ji dui SiO2he SiNxjie zhi ceng hou du deng can shu de ji lie fang zhen zui zhong you hua chu kuo yong yu chan jie GaInPdian chi de biao mian jie gou 。jie guo biao ming :dang SiO2na mi zhui de bu zhi jing D=550 nm、gao du H=650nm、SiNxjie zhi ceng hou du wei 60 nmshi dian chi ju you zui gao de zui da hua li xiang zhuai huan xiao lv wei 28.58%。shang shu jie guo wei hou ji shi yan yi ji gai lei dian chi shi xian gui mo hua sheng chan dian ding le ji chu 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自光电子·激光的王岩岩,王刘丽,王洁,周炜曜,张瑞英，发表于刊物光电子·激光2019年05期论文，是一篇关于介质复合纳米结构论文,宽谱减反论文,电池论文,光电子·激光2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自光电子·激光2019年05期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：介质复合纳米结构论文; 宽谱减反论文; 电池论文; 光电子·激光2019年05期论文;