论文摘要
本论文的主要实验内容是在ITO玻璃衬底上利用等离子增强金属有机化学气相淀积-Ⅱ系统制备氧化镁薄膜材料及氧化锌半导体薄膜材料。实验中通过改变生长时的氧气流量和温度条件,分析了生长条件的改变对氧化镁薄膜材料在表面形貌及光学透过率及电阻率等方面的影响。在制备出较高质量的氧化镁半导体薄膜材料的基础上,在其上同样利用MOCVD方法生长了氧化锌半导体材料,制备了ITO/MgO/ZnO/Al底栅型薄膜晶体管器件,并对器件的输出特性曲线及转移特性曲线等进行了电学方面的测试经过大量实验,我们获得了性能稳定的TFT器件,我们所制备的ZnO-TFT器件透射率在90%以上,满足液晶显示器的要求,开/关电流比为103量级,阈值电压为2.5V,迁移率达可到11.57cm2/Vs。
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