论文摘要
本文分别以硅微粉和硅溶胶引入SiO2包覆SiC粉体,进行SiC粉体的抗氧化性实验,并研究了包覆SiC粉体抗氧化动力学行为。在SiO2包覆SiC粉体抗氧化性实验中,分别考察了矿化剂、SiO2引入量、包覆次数、烧成等因素对包覆效果和红外辐射性能的影响,综合运用氧化增重原理、X射线衍射分析仪、傅里叶变换红外光谱仪、红外辐射测量仪等测试手段对包覆SiC后的抗氧化性、物相组成、红外透过性和辐射性能进行了表征。在包覆SiC粉体抗氧化动力学实验中,考察了不同温度下、36h循环氧化对SiC包覆效果和辐射性能的影响,并建立起硅微粉和硅溶胶包覆SiC,以及纯SiC的氧化动力学方程,最后利用Arrhenius关系式得出相应的氧化活化能。研究发现,在1300℃氧化4h条件下,不论SiO2以硅微粉或硅溶胶形式引入,均有较好的包覆效果,在1300℃都转化成方石英,且不加矿化剂时的包覆效果更好,方石英晶形发育更趋完整。从硅微粉和硅溶胶包覆效果对比来看,硅溶胶稍优于硅微粉。两种包覆方法均有提高纯SiC辐射率的作用,且硅溶胶包覆SiC的辐射率值稍高于硅微粉包覆的试样。实验表明,1300℃下硅微粉和硅溶胶包覆SiC循环氧化增重曲线分别遵循如下指数形式的数学模型: y = 3.7759(1-10-0. 0316t)、y = 3.698(1-10-0. 0228t)。而1300℃下纯SiC的循环氧化增重曲线则遵循幂函数形式的数学模型: y = 1.2766t0.3649。利用Arrhenius方程探讨了氧化反应速率常数k与氧化温度T的关系式,并计算得到硅微粉包覆SiC、硅溶胶包覆SiC和纯SiC的氧化活化能分别为41822.7456J/mol,44366.8296J/mol,36321.3718J/mol。
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