TaN薄膜材料及微波功率薄膜电阻器研究

TaN薄膜材料及微波功率薄膜电阻器研究

论文摘要

作为射频与微波系统的重要组件—微波功率薄膜电阻器可广泛应用于雷达、通讯、电子对抗等领域。本文主要开展了三个方面的工作:材料方面,采用反应直流磁控溅射技术制备TaN薄膜材料,主要研究了氮流量、薄膜厚度、Al掺杂和TaN/Al多层膜结构的工艺条件对TaN薄膜微结构和电性能的影响;在微波功率薄膜电阻器方面,由有耗传输线理论建立了微波功率薄膜电阻器的等效电路模型,采用HFSS软件设计、仿真了系列微波功率薄膜电阻器的结构尺寸和性能;器件制备方面,采用反应直流磁控溅射和掩膜图形化技术制备了系列TaN微波功率薄膜电阻器,验证设计仿真结果。通过从材料制备、器件设计和仿真以及器件制备的系统研究,得到如下几方面的结论:在材料制备方面,对于TaN薄膜,随氮流量的增加,薄膜的电阻率和TCR绝对值都逐渐增大,当氮流量从2%增加到6%,薄膜电阻率从约350μ?·cm增加到1030μ?·cm,TCR绝对值从30 ppm/℃增大到750 ppm/℃。当氮流量小于5%时,TaN薄膜中主要含低TCR的Ta2N相,当氮流量高于5%时,TaN薄膜中主要含高TCR的富氮相。薄膜厚度显著影响TaN薄膜的电学性质,随薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率和绝对值TCR都减小,当薄膜厚度从30nm增加到280 nm时,TaN薄膜电阻率从519μ?·cm减小到210μ?·cm,TCR绝对值从150 ppm/℃减小到30 ppm/℃;对于Al掺杂的TaN薄膜,随Al/Ta面积比的增加,薄膜的电阻率和TCR绝对值都逐渐增大,当Al/Ta面积比从0%增加到30%,薄膜的电阻率从250μ?·cm增大到2560μ?·cm,TCR绝对值从12 ppm/℃增大到270 ppm/℃,与未掺杂的TaN薄膜相比,其电阻率可调范围显著增大,而TCR并没有显著地恶化;对于TaN/Al多层膜,随氮流量的增加,薄膜的电阻率和TCR绝对值都逐渐增大,当氮流量从2%增加到6%,薄膜的电阻率640μ?·cm增大到1170μ?·cm,TCR从50 ppm/℃增大到350 ppm/℃,与未掺杂的TaN薄膜相比,其电阻率可调范围更宽。在微波功率薄膜电阻器设计和仿真方面,根据有耗传输理论建立了微波功率薄膜电阻器的等效电路模型,采用HFSS软件设计仿真了100W(DC~6GHz)、300W(DC~1.5GHz)、500W(DC~2GHz)、800W(DC~1GHz)的系列微波功率薄膜电阻器的结构和性能,获得了四个电阻器的结构与尺寸,且每个电阻器在各自频率范围内的驻波比均小于1.2。在TaN微波功率薄膜电阻器制备和测试方面,根据设计仿真结果,采用反应直流磁控溅射技术和掩膜图形化技术制备了系列TaN微波功率薄膜电阻器,所制备的系列微波功率薄膜电阻器的TCR绝对值均小于100 ppm/℃,在满功率测试期间电阻器表面温度均在120℃以下,在功率负载测试前后电阻器阻值变化均在3%以内,在设计的频率范围内微波功率薄膜电阻器的电压驻波比均小于1.2,测试结果与设计结果相一致。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 第一章 绪论
  • 1.1 研究的目的和意义
  • 1.2 TaN薄膜材料及微波功率电阻器的简介
  • 1.3 国内外研究动态
  • 1.3.1 国外TaN薄膜材料及微波功率电阻器研究进展
  • 1.3.2 国内TaN薄膜材料及微波功率电阻器研究进展
  • 1.4 选题依据与研究内容
  • 1.4.1 选题依据
  • 1.4.2 研究内容
  • 第二章 TaN薄膜制备及性能研究
  • 2.1 TaN薄膜的制备方法及分析测试简介
  • 2.1.1 TaN薄膜的制备方法简介
  • 2.1.2 TaN薄膜的性能测试
  • 2.2 氮流量对TaN薄膜的微结构和性能的影响
  • 2.2.1 TaN薄膜的表面形貌
  • 2.2.2 氮流量对TaN薄膜成分的影响
  • 2.2.3 氮流量对TaN薄膜厚度的影响
  • 2.2.4 氮流量对TaN薄膜相结构的影响
  • 2.2.5 氮流量对TaN薄膜方阻和电阻率的影响
  • 2.2.6 氮流量对TaN薄膜TCR的影响
  • 2.3 厚度对TaN薄膜结构和性能的影响
  • 2.3.1 厚度对TaN薄膜相结构的影响
  • 2.3.2 厚度对TaN薄膜方阻和TCR的影响
  • 2.4 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响
  • 2.4.1 掺Al的TaN薄膜的表面形貌
  • 2.4.2 Al/Ta面积比对TaN薄膜的相结构的影响
  • 2.4.3 Al/Ta面积比对TaN薄膜厚度的影响
  • 2.4.4 Al/Ta面积比对TaN薄膜电阻率的影响
  • 2.4.5 Al/Ta面积比对TaN薄膜TCR的影响
  • 2.5 TaN/Al多层薄膜的微结构及电性能
  • 2.5.1 TaN/Al多层薄膜的表面形貌
  • 2.5.2 氮流量对TaN/Al多层薄膜结构的影响
  • 2.5.3 氮流量对TaN/Al多层薄膜电阻率的影响
  • 2.5.4 氮流量对TaN/Al多层薄膜TCR的影响
  • 2.6 本章小结
  • 第三章 TaN微波功率薄膜电阻器的设计与仿真
  • 3.1 微波功率薄膜电阻器模型的建立
  • 3.2 功率负载与薄膜电阻器微波性能的关系
  • 3.3 微波功率薄膜电阻器常用电极结构
  • 3.4 微波功率薄膜电阻器的设计与仿真
  • 3.4.1 微波功率薄膜电阻器的设计与仿真方法
  • 3.4.2 微波功率薄膜电阻器的设计与仿真结果
  • 3.5 小结
  • 第四章 TaN微波功率薄膜电阻器的制备及性能测试
  • 4.1 TaN微波功率薄膜电阻器的制备
  • 4.2 TaN微波功率薄膜电阻器的性能测试
  • 4.2.1 TaN微波功率薄膜电阻器的功率和TCR测试
  • 4.2.2 TaN微波功率薄膜电阻器的频率测试
  • 4.3 小结
  • 第五章 结论与展望
  • 5.1 结论
  • 5.2 展望
  • 致谢
  • 参考文献
  • 攻硕期间取得的研究成果
  • 相关论文文献

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