论文摘要
作为射频与微波系统的重要组件—微波功率薄膜电阻器可广泛应用于雷达、通讯、电子对抗等领域。本文主要开展了三个方面的工作:材料方面,采用反应直流磁控溅射技术制备TaN薄膜材料,主要研究了氮流量、薄膜厚度、Al掺杂和TaN/Al多层膜结构的工艺条件对TaN薄膜微结构和电性能的影响;在微波功率薄膜电阻器方面,由有耗传输线理论建立了微波功率薄膜电阻器的等效电路模型,采用HFSS软件设计、仿真了系列微波功率薄膜电阻器的结构尺寸和性能;器件制备方面,采用反应直流磁控溅射和掩膜图形化技术制备了系列TaN微波功率薄膜电阻器,验证设计仿真结果。通过从材料制备、器件设计和仿真以及器件制备的系统研究,得到如下几方面的结论:在材料制备方面,对于TaN薄膜,随氮流量的增加,薄膜的电阻率和TCR绝对值都逐渐增大,当氮流量从2%增加到6%,薄膜电阻率从约350μ?·cm增加到1030μ?·cm,TCR绝对值从30 ppm/℃增大到750 ppm/℃。当氮流量小于5%时,TaN薄膜中主要含低TCR的Ta2N相,当氮流量高于5%时,TaN薄膜中主要含高TCR的富氮相。薄膜厚度显著影响TaN薄膜的电学性质,随薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率和绝对值TCR都减小,当薄膜厚度从30nm增加到280 nm时,TaN薄膜电阻率从519μ?·cm减小到210μ?·cm,TCR绝对值从150 ppm/℃减小到30 ppm/℃;对于Al掺杂的TaN薄膜,随Al/Ta面积比的增加,薄膜的电阻率和TCR绝对值都逐渐增大,当Al/Ta面积比从0%增加到30%,薄膜的电阻率从250μ?·cm增大到2560μ?·cm,TCR绝对值从12 ppm/℃增大到270 ppm/℃,与未掺杂的TaN薄膜相比,其电阻率可调范围显著增大,而TCR并没有显著地恶化;对于TaN/Al多层膜,随氮流量的增加,薄膜的电阻率和TCR绝对值都逐渐增大,当氮流量从2%增加到6%,薄膜的电阻率640μ?·cm增大到1170μ?·cm,TCR从50 ppm/℃增大到350 ppm/℃,与未掺杂的TaN薄膜相比,其电阻率可调范围更宽。在微波功率薄膜电阻器设计和仿真方面,根据有耗传输理论建立了微波功率薄膜电阻器的等效电路模型,采用HFSS软件设计仿真了100W(DC~6GHz)、300W(DC~1.5GHz)、500W(DC~2GHz)、800W(DC~1GHz)的系列微波功率薄膜电阻器的结构和性能,获得了四个电阻器的结构与尺寸,且每个电阻器在各自频率范围内的驻波比均小于1.2。在TaN微波功率薄膜电阻器制备和测试方面,根据设计仿真结果,采用反应直流磁控溅射技术和掩膜图形化技术制备了系列TaN微波功率薄膜电阻器,所制备的系列微波功率薄膜电阻器的TCR绝对值均小于100 ppm/℃,在满功率测试期间电阻器表面温度均在120℃以下,在功率负载测试前后电阻器阻值变化均在3%以内,在设计的频率范围内微波功率薄膜电阻器的电压驻波比均小于1.2,测试结果与设计结果相一致。
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