论文摘要
Cd基Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物(如CdTe、CdS、CdZnTe)具有合适的带隙宽度、高吸收系数与较大的原子序数使之在太阳能电池、辐射计数器中都有良好的应用前景。本文概述了Cd基Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物在太阳能电池与辐射计数器中的应用,并对CdTe多晶薄膜的制备进行了进一步的探索,同时,对Rietveld结构精修进行了初步的摸索与应用。本文主要总结了我以下四个方面的工作:(1)设计了一种以真空镀膜仪器为基体自行设计蒸发源实现近距离升华制备CdTe多晶薄膜的方法,并对该沉积系统的温度随各影响因素的变化作了一个初步的研究;(2)利用近距离升华法成功地制备了织构可控的CdTe多晶薄膜,并对该薄膜的光吸收特性进行了研究;(3)利用近距离升华制备了具有纳米结构的CdTe半导体薄膜,并结合XRD、SEM分析对纳米结构的生长过程进行了初步的推断;(4)系统地介绍了Rietveld方法的发展历程及基本原理,并将Rietveld方法成功地应用于本实验室水热合成制备的NiS2、FeS2粉体的结构精修之中,并利用定量相分析的结果分析了最终产物中各相的含量。通过上面的工作,我们得到如下主要结论:(1)本实验中电流改变工艺直接影响镍片加热器与基片的升温速率;镍片加热器的规格直接影响到温差的高低;(2)采用近距离升华法制备织构可控的CdTe多晶薄膜,其择优取向有赖于电流增加速率,且不同择优取向的CdTe多晶薄膜的带隙宽度变化不大;(3)使用近距离升华法可以制备多种形貌的CdTe纳米结构,且该方法具有成本低廉、产量大等特点;(4)根据Rietveld精修结果,我们发现伴随着反应温度的升高及反应时间的延长,主相NiS2和杂相Ni3S4晶格常数的变化呈现相反的变化趋势;对水热法合成的FeS2的定量相相分析结果说明反应温度为180℃下的样品白铁矿含量较低,因此,本实验条件下水热合成FeS2粉晶的适宜反应温度为180℃。
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