808nm半导体功率放大激光器增透膜研究

论文摘要

808nm半导体激光器是以AlGaAs晶体的(110)自然解理面作为谐振腔。本论文采取在半导体激光器芯片的前端面镀增透膜,并在半导体激光放大器的前、后两个腔面镀增透膜,以获得高的阈值增益、降低阈值电流、提高量子效率和激光器的输出功率。采用吸收小,散射少的薄膜材料设计介质膜,使得激光器前腔面的反射率显著降低。镀膜前,LD和SLA的各端面反射率大约为31.947%。为半导体激光器出射端面设计的增透膜为单层三氧化二铝,可以将反射率降低至约为1.607%。为半导体激光放大器设计的增透膜为单层氧化铪,前、后腔面的反射率可以降低至约为0.1%。与此同时,镀制的膜层保护了器件端面,防止氧化和水蒸气的侵蚀。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 第一章 绪论
• 1.1 引言
• 1.2 论文研究目的和内容
• 第二章 半导体激光器物理基础与基本结构
• 2.1 光波模、光子态和光子简并度
• 2.2 光的自发辐射、受激辐射和受激吸收
• 2.3 原子集居数反转分布和光放大
• 2.4 激光的特性
• 2.5 半导体激光器
• 第三章 薄膜技术
• 3.1 薄膜的光学性质
• 3.2 增透膜
• 第四章 膜系设计
• 4.1 膜料的选取
• 4.2 增透膜的设计
• 第五章 工艺制备
• 5.1 设备介绍
• 5.2 电子束离子辅助制备工艺
• 2的化学制备方法'>5.3 HfO₂的化学制备方法
• 结论
• 致谢
• 参考文献