本文主要研究内容
作者王星星,辜敏（2019）在《Cu-SiO2复合薄膜的电化学过程》一文中研究指出：目前有关凝胶薄膜电化学形成机理的研究较少。以醋酸铜、正硅酸乙酯和柠檬酸钠在室温下配制了nCu2+∶nCit3-为1∶2,pH值为5.2,nCu2+∶nSi分别为3∶7,2∶8和1∶9的澄清透明的复合溶胶（Sol 1,Sol 2,Sol 3）;以这3种复合溶胶为电解液,采用恒电位沉积法在氧化铟锡（ITO）电极上制备了Cu-SiO2凝胶薄膜,并用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM/EDS）对薄膜进行表征;采用循环伏安法（CV）、交流阻抗技术（EIS）和计时安培法（CA）研究了复合薄膜的沉积机理。结果表明:在沉积电位范围内得到Cu-SiO2薄膜;在低电位下,Cu在Sol 1和Sol 2中的沉积过程为电化学控制,随着电位负移,电化学控制和Cu（Ⅱ）扩散控制同时存在,且Cu（Ⅱ）扩散控制起主要作用。反应电阻随着电位负移先减小再增大,反应电阻增大可能与ITO电极表面凝胶膜的形成有关。Sol 3中,研究电位下同时存在电化学控制和Cu（Ⅱ）扩散控制,且随着电位负移,Cu（Ⅱ）扩散控制也占主要作用。反应电阻随着沉积电位负移一直增大;研究电位下,Cu在溶胶中的电结晶过程遵循三维瞬时成核（3DI）生长机理。
Abstract
mu qian you guan ning jiao bao mo dian hua xue xing cheng ji li de yan jiu jiao shao 。yi cu suan tong 、zheng gui suan yi zhi he ning meng suan na zai shi wen xia pei zhi le nCu2+∶nCit3-wei 1∶2,pHzhi wei 5.2,nCu2+∶nSifen bie wei 3∶7,2∶8he 1∶9de cheng qing tou ming de fu ge rong jiao （Sol 1,Sol 2,Sol 3）;yi zhe 3chong fu ge rong jiao wei dian jie ye ,cai yong heng dian wei chen ji fa zai yang hua yin xi （ITO）dian ji shang zhi bei le Cu-SiO2ning jiao bao mo ,bing yong Xshe xian yan she yi （XRD）、sao miao dian jing （SEM/EDS）dui bao mo jin hang biao zheng ;cai yong xun huan fu an fa （CV）、jiao liu zu kang ji shu （EIS）he ji shi an pei fa （CA）yan jiu le fu ge bao mo de chen ji ji li 。jie guo biao ming :zai chen ji dian wei fan wei nei de dao Cu-SiO2bao mo ;zai di dian wei xia ,Cuzai Sol 1he Sol 2zhong de chen ji guo cheng wei dian hua xue kong zhi ,sui zhao dian wei fu yi ,dian hua xue kong zhi he Cu（Ⅱ）kuo san kong zhi tong shi cun zai ,ju Cu（Ⅱ）kuo san kong zhi qi zhu yao zuo yong 。fan ying dian zu sui zhao dian wei fu yi xian jian xiao zai zeng da ,fan ying dian zu zeng da ke neng yu ITOdian ji biao mian ning jiao mo de xing cheng you guan 。Sol 3zhong ,yan jiu dian wei xia tong shi cun zai dian hua xue kong zhi he Cu（Ⅱ）kuo san kong zhi ,ju sui zhao dian wei fu yi ,Cu（Ⅱ）kuo san kong zhi ye zhan zhu yao zuo yong 。fan ying dian zu sui zhao chen ji dian wei fu yi yi zhi zeng da ;yan jiu dian wei xia ,Cuzai rong jiao zhong de dian jie jing guo cheng zun xun san wei shun shi cheng he （3DI）sheng chang ji li 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自材料保护的王星星,辜敏，发表于刊物材料保护2019年06期论文，是一篇关于电化学沉积论文,复合薄膜论文,沉积机理论文,成核机理论文,电化学测试论文,材料保护2019年06期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自材料保护2019年06期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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